WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Учебная программа дисциплины

СД.Ф.03 Материалы и методы нанотехнологии

направление подготовки 210600 – нанотехнология

дипломированных специалистов

по специальности 210601 – нанотехнология в электронике

и бакалавров техники и технологий

1. Область применения

Данная дисциплина относится к дисциплинам регионального компонента,

преподается в течение 7-8 семестров.

2. Цели и задачи дисциплины Основная цель изучаемой дисциплины – дать представление о предельных возможностях микротехнологий, об основных направлениях развития современной нанотехнологии, о материалах и методах нанотехнологий применительно к созданию элементной базы наноэлектроники, квантовых приборов и устройств.

В задачи изучаемой дисциплины входит изучение основных технологических процессов, с помощью которых в настоящее время создаются наноразмерные элементы и структуры, а также представление о наиболее эффективных методах контроля параметров и свойств формируемых наноразмерных объектов.

3. Требования к уровню освоения содержания дисциплины (требования к знаниям, умениям и навыкам, приобретенным в результате изучения дисциплины) Курс «Материалы и методы нанотехнологий» относится к одной из наиболее быстро развивающихся отраслей знаний и базируется на достижениях квантовой теории, физики твердого тела, физики полупроводников. Курс рассчитан на студентов, овладевших базовыми представлениями о квантово-размерных эффектах, особенностями их реализации на известных материалах и структурах, а также реально представляющих существующие в настоящее время и потенциальные проблемы при дальнейшем развитии направления.

В результате изучения дисциплины студент должен:

Знать и уметь использовать - физическую сущность процессов, протекающих при реализации нанотехнологий, возможности и характеристики материалов, используемых в нанотехнологиях.

Иметь представления - об основных технологических процессах, с помощью которых в настоящее время создаются наноразмерные (квантоворазмерные) элементы и структуры;

- о наноматералах, используемых в технологических процессах;





- о наиболее эффективных методах контроля параметров и свойств формируемых наноразмерных объектов.

Иметь навыки - в проведении эпитаксиальных процессов, в туннельной и атомно-силовой микроскопии, проведении зондовых нанотехнологий.

4.Объем дисциплины и виды учебной работы Всего Семестры Виды учебной работы часов 7 Общая трудоемкость дисциплины Аудиторные занятия Лекции 64 32 Практические занятия (ПЗ) Семинары (С) Лабораторные работы (ЛР) 32 и (или) другие виды аудиторных занятий Самостоятельная работа 34 Курсовой проект (работа) Расчетно-графическая работа Реферат и (или) другие виды самостоятельной работы Вид итогового контроля (зачет, З, Э З, Э экзамен) 5. Содержание дисциплины 5.1. Разделы дисциплины и виды занятий №п/п Раздел дисциплины Лекции ПЗ (или С) ЛР * 1. Введение в нанотехнологию * * 2. Наностуктурные элементы вещества Материалы на основе наноструктурных * 3.

элементов * 4. Материалы электроники для нанотехнологий * 5. Основы теории зародышеобразования 6. Механизмы эпитаксии * * 7. Эпитаксиальные методы Технология двумерных * * 8. гетероэпитаксиальных полупроводниковых систем * 9. Самоорганизация квантовых точек и нитей * 10. Самоорганизация нанотрубок * 11. Субмикронная литография * 12. Субмикронные технологии Физические эффекты в туннельно-зондовой * 13.

нанотехнологии Формирование нанорельефа поверхности * 14.

15. Локальная модификация полупроводниковых 16. Массоперенос с нанометровым разрешением 17. Локальное анодное окисление металлов Методы контроля наноструктур по составу, размерам, степени упорядоченности 5.2. Содержание разделов дисциплины 1. Введение в нанотехнологию (НТ) Цели и задачи НТ. Основные понятия и определения. Физические и технологические проблемы и ограничения микроминиатюризации полупроводниковых устройств.

Применение методов НТ для уменьшения размеров приборов. Перспективные наноматериалы и направления нанотехнологии. Основные требования по созданию объектов наноэлектроники и нанофотоники. Представление о реализации квантово-размерных эффектов, оценка предельных геометрических величин элементов, где реализуется эффект размерного квантования (квантовые точки, квантовые проволоки, квантовые ямы).

2. Наностуктурные элементы вещества Наноструктурные элементы вещества: атомы, молекулы, фуллерены, нанотрубки, кластеры.

Квантовые точки – искусственные молекулы. Наноструктурные полимеры.

3. Материалы на основе наноструктурных элементов Нанокристаллы, нанотрубки, наностержни и их производные. Структурные элементы для наноматериалов более высокого порядка. Углеродные нанотрубки, технология изготовления, структура и свойства. Области применения.

4. Материалы электроники для нанотехнологий Кремний и его модификации, в том числе кремний на изоляторе, пористый кремний.

Сравнительный анализ перспектив Si, Ge, А3В5, А2В6, А4В4. Гетероструктуры (ГС) и наиболее распространенные системы полупроводниковых материалов на основе твердых растворов А3В5. Тройные и четверные соединения на основе A3B5. Материалы на основе нитридов и их применение. Проблема подложек и выращивание буферных слоев.





5. Основы теории зародышеобразования Зародышеобразование в тонких пленках. Понятие критического зародыша.

Термодинамическая теория зародышеобразования. Молекулярно-кинетическая теория зародышеобразования.

6. Механизмы эпитаксии Гомо- и гетероэпитаксия. Механизмы гетероэпитаксиального роста: Франка-ван-дерВерме, Фольмера-Вебера, Странски-Крастанова.

7. Эпитаксиальные методы Физическое осаждение из паровой фазы (MBE). Получение аморфных, поликристаллических и монокристаллических пленок. Молекулярно-лучевая эпитаксия элементарных полупроводников и полупроводников на основе соединений А3В5, осаждение пленок диэлектриков и металлов.

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD): его виды, основные закономерности и методика. Эпитаксия из металлоорганических соединений и летучих неорганических гидридов (MOCVD). Наиболее распространенные системы веществ - источников компонент полупроводниковых материалов и твердых растворов. МОС-гидридная эпитаксия полупроводников на основе соединений А3В5. Особенности выращивания эпитаксиальных пленок нитридов бинарных соединений.

8. Технология двумерных гетероэпитаксиальных полупроводниковых систем Гетероструктуры с квантовыми ямами (КЯ). Принципы выбора полупроводниковых материалов. Модуляционное и -легирование. Гетероструктуры с высокой плотностью двумерного электронного газа (ДЭГ). Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT-транзисторы). Сверхрешетки (СР) квантовых ям. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур с квантовыми ямами.

9. Самоорганизация квантовых точек и нитей Квантовые точки. Самоорганизованный рост по механизму Странского-Крастанова.

Теория самоорганизованного роста квантовых точек. Системы полупроводниковых материалов для выращивания структур с КТ. Рост наноструктур на фасетированных плоскостях.

Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков. Массивы вертикальносвязанных КТ. Периодические структуры плоских доменов. Структуры с периодической модуляцией состава в эпитаксиальных пленках твердых растворов полупроводников.

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур с квантовыми точками.

10. Самоорганизация нанотрубок Преобразование планарных напряженных гетероструктур в трехмерные, имеющие радиальную симметрию (нанотрубки). Перспективы изготовления электронных приборов с применением нанотрубок.

11. Субмикронная литография Уменьшение размеров элементов методами традиционной планарной технологии за счет разработки, создания и применения экстремальных ультрафиолетовых источников излучения со сверхкороткой длиной волны (13,5 нм) при процессах литографии. Источники экстремального ультрафиолета. Лазерное излучение: взаимодействие с поверхностью и применение в НТ. Лазерная абляция. Многослойные брэгговские зеркала. Резисты на основе неорганических материалов. ДВУФ-нанолитограф. Нанолитография. Электронная, ионная и рентгеновская литографии. Применение «линзы Кумахова» для нанолитографии. Маски и резисты для разных типов литографии. Сравнительный анализ перспектив ультрафиолетовой, электронной, ионной и рентгеновской литографий. Нанопечатная литография. Понятие о литографически-индуцированной самосборке наноструктур.

12. Субмикронные технологии Ионный синтез наноструктур на поверхности и в объёме полупроводников.

Формирование нанокристаллов кремния и германия в диоксиде кремния и полимерных материалах при ионной бомбардировке. Процессы самоорганизации наноструктур при ионном синтезе. Анизотропное распыление поверхности полупроводниковых материалов при воздействии ионных пучков.

13. Физические эффекты в туннельно-зондовой нанотехнологии Электростатические эффекты, локальный тепловой нагрев, пластическая деформация, полевое испарение положительных и отрицательных ионов, пондеромоторный эффект, эффект электронного ветра. Концепция туннельно-зондовой нанотехнологии в газах и жидкостях.

14. Формирование нанорельефа поверхности подложек Условия контактного формирования нанорельефа поверхности подложек. Требования к зондам, их защита от воздействия подложки. Условия бесконтактного формирования нанорельефа поверхности подложек. Проблема сварки электродов. Подбор материалов зонда и подложки. Расчет областей пластического течения в подложках.

15. Локальная модификация полупроводниковых подложек Условия локальной глубинной модификации полупроводниковых подложек. Оценка порогового напряжения, глубины залегания области модификации. Условия для локальной электродинамической модификация поверхности подложек. Оценка максимального сжимающего напряжения на поверхности подложки. Оценка локального нагрева.

Модификация свойств среды в зазоре между туннельным зондом и подложкой. Критическое поле для формирования молекулярных мостиков. Формирование молекулярных мостиков из адсорбата воздуха. Формирование микропроводников в жидких диэлектриках.

16. Массоперенос с нанометровым разрешением Полевое испарение проводящих материалов с нанометровым разрешением. Оценка размытия проводящих дорожек. Основы управления массопереносом. Режим формирования острия зонда. Электрохимический массоперенос. Условия для электрохимического массопереноса. Массоперенос из газовой фазы.

17. Локальное анодное окисление металлов Основы теории локального анодного окисления металлов на воздухе. Влияние исходной пленки окисла. Влияние влажности воздуха. Устойчивость зондов.

18. Методы контроля наноструктур по составу, размерам, степени упорядоченности Требования к контрольно-измерительным методикам по чувствительности, пространственному разрешению, возможности проведения рутинного экспресс-контроля.

6. Лабораторный практикум 7. Учебно-методическое обеспечение дисциплины 7.1. Рекомендуемая литература а) основная литература:

1. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем.СПб.: Наука, 2001.-160 с.

2. Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, В.А.Щукин, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг.

Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры //ФТП.- 1998.-Т.32, №4.- с.385-410.

3. Драгунов В.П., Неизвестный В.А., Гридчин В.А.. Основы наноэлектроники: Учебное пособие.- Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000.-332 с.

4. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников, - Москва, 2002 г. - 376 с.

5. Пул Ч., Оуенс Ф. Нанотехнологии.-М.: Техносфера, 2004.-328 с.

6. Харрис П. Углеродные нанотрубы и родственные структуры. Новые материалы XXI века.-М.: Техносфера, 2003.-336 с.

7. В.К. Неволин. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. М.: МИЭТ,1996 -90 с.

б) дополнительная литература:

1. М.Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1979.

2. Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах, т.1 и 2, М., Сов. радио, 1981.

3. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //ФТП.-1998.Т.32, №1.- с.3-18.

4. Рыков С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. С-П.: Наука, 2001 – 51 с.

5. Л.Ченг, К.Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия. М.: Мир, 1989.

6. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса и П.

Аливисатоса. – М.: Мир, 2002 – 291с.

Программа составлена в соответствии с Государственным образовательным стандартом по специальности 210601 - нанотехнология в электронике, направлению подготовки 210600 - нанотехнология Автор программы С. М. ПЛАНКИНА

 
Похожие работы:

«РОССИЙСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ДРУЖБЫ НАРОДОВ ПРОГРАММЫ ПРОФИЛЬНОГО ОБУЧЕНИЯ ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫЙ ПРОФИЛЬ Программа стратегического развития РУДН на 2012-2016 гг. Москва 2013 Издание подготовлено в рамках реализации Программы стратегического развития РУДН на 2012-2016 гг. Программы профильного обучения: естественнонаучный профиль. Составители: Джумаева Р.Р., Болохов С.В., Курилкин В.В., Карасева Н.В. М.: РУДН, 2013. — 124 стр. Пособие содержит необходимый методический материал для организации работы...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тверской государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физико-технического факультета Б.Б. Педько 2012 г. Учебно-методический комплекс по дисциплине ОБЩИЙ ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ. ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ для студентов 2 курса очной формы обучения направления 010700.62 Физика, специальностей 010801.65 Радиофизика и электроника, 010704.65 Физика конденсированного...»

«Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе Белорусского государственного университета А.Л. Толстик (дата утверждения) Регистрационный № УД-/ Программа основного вступительного экзамена в магистратуру по специальности 1-31 80 06 ХИМИЯ 2013 г Составители: Воробьева Татьяна Николаевна, профессор кафедры неорганической химии, доктор химических наук, профессор; Василевская Елена Ивановна, доцент кафедры неорганической химии, кандидат химических наук, доцент;...»

«Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН Диссертация допущена к защите зав. кафедрой Сурис Роберт Арнольдович 2012 г. ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени МАГИСТРА Тема: Исследование структуры и магнитных свойств магниторезистивных нанокомпозитных плёнок SiO2(Co % ат.) на подложке GaAs Направление: 510400 – Физика Магистерская программа: 510403 – Физика конденсированного состояния Выполнил студент гр. 602 Уклеев Виктор Алексеевич...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Федеральное государственное бюджетное учреждение науки ИНСТИТУТ КРИОСФЕРЫ ЗЕМЛИ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РАН Программа принята УТВЕРЖДАЮ Ученым советом Института Директор ИКЗ СО РАН _ 2012 года В.П. Мельников (протокол №_) “_” 2012 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА В АСПИРАНТУРУ по специальности 25.00.10 Геофизика. Геофизические методы поисков месторождений полезных ископаемых отрасли наук 25.00.00. Науки о Земле ТЮМЕНЬ Данная программа содержит перечень вопросов для...»

«МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ им. Д.В. СКОБЕЛЬЦЫНА ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ ХХXIX международной конференции ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ (Москва 26 мая – 28 мая 2009 г.) Москва 2009 УДК 539.1.01.08 ББК 22.37. Т29 Под общей редакцией проф.А.Ф. Тулинова Редколлегия: В.С. Куликаускас, Г.П. Похил., Е.С. Машкова, В.С. Черныш, Ю.А. Ермаков Т29 Тезисы докладов ХХXIX международной конференции по физике...»

«Учреждение образования Белорусский государственный технологический университет УТВЕРЖДЕНА Ректором БГТУ профессором И. М. Жарским 17 мая 2011 г. Регистрационный № УД-547/баз. ТЕХНОЛОГИЯ ПОСЛЕПЕЧАТНЫХ ПРОЦЕССОВ Учебная программа для специальности Технология полиграфических производств 1-47 02 01 Минск БГТУ 2011 УДК 686.12 (073) ББК 37.88 я 73 Т 38 Рекомендована к утверждению: Кафедрой полиграфических производств учреждения образования Белорусский государственный технологический университет...»

«ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ. Настоящая программа предназначена для проведения вступительных испытаний с абитуриентами, поступающими в магистратуру по направлению подготовки 05.04.01 Геология. Целью вступительного испытания является выявление готовности соискателей к освоению магистерских программ по направлению подготовки 05.04.01 Геология. В ходе письменного экзамена определяется уровень категориальнопонятийного аппарата соискателей по геологии, уровень владения теоретическими знаниями, сформированными...»

«ПРОГРАММА развития института теоретической и прикладной химии Северного Арктического федерального университета имени М.В.Ломоносова на 2011-2020 годы Архангельск 2011 Миссия Создание условий и обеспечение устойчивого развития образовательной и научно-исследовательской деятельности в области фундаментальной и прикладной химии, химической и биотехнологии, биомедицинской техники, охраны окружающей среды, стандартизации, метрологии и управлении качеством для формирования и развития...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тульский государственный университет Кафедра физики Утверждаю Декан факультета Кибернетики В.С. Карпов _2011 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА дисциплины ФИЗИКА Направление подготовки: 231000 Программная инженерия. Профиль подготовки: Разработка программно-информационных систем. Квалификация выпускника: 62 бакалавр Форма обучение: очная Тула 2011 г....»

«МИНЗДРАВСОЦРАЗВИТИЯ РОССИИ Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ГБОУ ВПО ИГМУ Минздравсоцразвития России) Фармацевтический факультет Кафедра общей химии УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе _А. В. Щербатых _ 20_12 год РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ (МОДУЛЯ) ОСНОВЫ ХРОМАТОГРАФИИ _ наименование дисциплины (модуля) для специальности: 060301 Фармация Разработчик(и)/Составитель(и):...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации УДК ГРНТИ Инв. № УТВЕРЖДЕНО: Исполнитель: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский физико-технический институт(Государственный университет) От имени Руководителя организации _// М.П. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТЧЕТ о выполнении Государственного контракта № 14.740.11.0960 от 05 мая 2011 г. Исполнитель: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего...»

«Частное учреждение образования Минский институт управления УТВЕРЖДАЮ Ректор Минского института управления Н.В. Суша _2014г. Регистрационный № УД–_ ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА В МАГИСТРАТУРУ по специальности 1-408002 Системный анализ, управление и обработка информации (по отраслям) Минск, 2014 СОСТАВИТЕЛИ: В.В.Таборовец, профессор кафедры автоматизированных информационных систем Частного учреждения образования Минский институт управления, кандидат технических наук, доцент; заведующий...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Утверждаю Ректор СФУ _ Е.А Ваганов _ 2012 г. Основная профессиональная образовательная программа послевузовского профессионального образования (аспирантура) по специальности 01.04.01 Приборы и методы экспериментальной физики Присуждаемая ученая степень кандидат физико-математических наук, кандидат...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральский государственный педагогический университет Институт физики и технологии Кафедра технологии РАБОЧАЯ УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА по дисциплине Стандартизация, сертификация, метрология для ООП 100100– Сервис Профиль Сервис транспортных средств по циклу Б.3.Б.11 Профессиональный цикл Базовая (общепрофессиональная) часть Очная форма обучения...»

«1072 18-Проблемы преподавания физики Ахмедьянова Гузель Муртазовна, 4 курс Стерлитамакский гоc.пед.институт, физико-математический Методика обучения самостоятельной работе над залдачами по физике Научный руководитель: Михайлова В.В., кандидат педагогических наук, доцент, кафедра теории и методики обучения физике Адрес: 453480 Башкирия, Аургазинский р-н, с.Толбазы, ул. А.Матросова 6-2 стр. 1078 E-Mail: titosgpi@yandex.ru Ахметов Артур Равильевич, 4 курс Стерлитамакский государственный...»

«НАНОХИМИЯ Учебная программа для специальности 1-31 05 01 Химия (по направлениям) Направления специальности: 1-31 05 01-01 научно-производственная деятельность Пояснительная записка Курс по выбору “Нанохимия” предназначен для студентов старших курсов и магистрантов химического факультета. Его цель - ознакомить студентов с основными достижениями нанотехнологии, нанообъектами (кластерами, наночастицами, квантовыми точками и др.), особыми свойствами вещества в наноразмерном состоянии, способами...»

«Учебно-методическое объединение высших учебных заведений Республики Беларусь по химико-технологическому образованию Учреждение образования Белорусский государственный технологический университет УТВЕРЖДАЮ Ректор БГТУ профессор _И.М. Жарский 26 июня _ 2008 г. Регистрационный № УД-015/ уч. Уравнения математической физики Учебная программа для специальности 1-53 01 01 Автоматизация технологических процессов и производств 2008 г. 2 СОСТАВИТЕЛИ: Марченко В.М., заведующий кафедрой высшей математики...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электродинамики УТВЕРЖДАЮ Декан радиофизического факультета профессор _ А.В. Якимов _ 2006г. Учебная программа дисциплины ДС.07.1 Специальная теория относительности по специальности 013800 Радиофизика и электроника и дисциплины ОПД.В.01 Специальная теория относительности по...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Институт почвоведения и агрохимии СО РАН Институт химии нефти СО РАН Горно-Алтайский государственный университет Национальный комитет по торфу Докучаевское общество почвоведов ПРОГРАММА VIII Всероссийской с международным участием научной школы молодых ученых БОЛОТА И БИОСФЕРА к 100-летию Константина Евгеньевича Иванова и 110-летию Николая Ивановича Пьявченко 10–15 сентября 2012 года На Школе...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.