WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Программа

краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы

по направлению

«Планарные материалы (пленки и покрытия, интерфейсы, молекулярные

слои, гетероструктуры) и технологии их получения»

на базе учебного курса

«Атомно-слоевое осаждение тонких пленок»

Цель: изучение физических принципов технологии атомно-слоевого осаждения тонких плнок Категория слушателей: преподаватели и научные работники высшей школы Срок обучения: _24 часа_ Форма обучения: _с частичным отрывом от работы Режим занятий: _8 часов в день_ Целью данного курса является ознакомление с физическими основами технологии атомно-слоевого осаждения (АСО) тонких плнок. На примере роста пленок диоксида титана демонстрируются возможности метода АСО для прецизионного управления толщиной, химического состава и структурой получаемых пленок. На примере осаждения оксида алюминия из триметилалюминия (ТМА) и воды проводится лабораторный практикум по развитию практических навыков по работе с современным технологическим оборудованием АСО тонких пленок и покрытий.

Требования к уровню освоения учебного курса Преподаватели должны:

Знать:

o область применения технологии атомно-слоевого осаждения (АСО);

o физико-химические основы метода АСО;

o устройство установки АСО тонких плнок.

Иметь навыки:

o сбора, систематизации и анализа научно-технической и другой профессиональной информации в области технологий АСО тонких плнок;

o включать приобретенные знания о технологии АСО тонких плнок в уже имеющуюся систему знаний и применять эти знания в самостоятельных методических разработках;

o переносить полученных знания о технологии АСО тонких плнок на смежные предметные области и к использованию этих знаний для построения междисциплинарных методических разработок.

Иметь представление:

o о теоретических моделях АСО;

o о принципе самоконтролируемости процесса АСО;

o о возможных механизмах хемосорбционных поверхностных реакций: обмене лигандами, диссоциации, ассоциации;

o об уравнении баланса на основе закона сохранения массы для процесса АСО;

o о методах анализа результатов АСО тонких плнок.

Научные работники должны:





1.Знать:

o область применения технологии АСО;

o физико-химические основы метода атомно-слоевого осаждения;

o устройство установки АСО тонких плнок;

o теоретические модели АСО и область их применимости;

o уравнение баланса на основе закона сохранения массы для процесса АСО.

2.Иметь навыки:

o сбора, систематизации и анализа научно-технической и другой профессиональной информации в области технологий АСО тонких плнок;

o планирования и проведения исследований и экспериментов с использованием технологии АСО тонких плнок;

o генерировать новые плодотворные научно-технические и инновационные идеи с использованием технологии АСО;

o переносить полученных знания о технологии АСО тонких плнок на смежные предметные области и к использованию этих знаний для создания новых объектов техники и технологии и для инновационной деятельности;

3.Иметь представление:

o о принципе самоконтролируемости процесса АСО;

o о возможных механизмах хемосорбционных поверхностных реакций: обмене лигандами, диссоциации, ассоциации;

o о методах анализа результатов АСО тонких плнок.

Учебный курс «Атомно-слоевое осаждение тонких пленок» состоит из дистанционной и очной частей.

Дистанционная часть учебного образовательного курса обеспечивает слушателя необходимым объмом знаний по выбранной тематике, включая подготовку слушателя к проведению лабораторного практикума. Задача дистанционной составляющей учебного курса – подготовить слушателя к очному посещению лаборатории в Московском физикотехническом институте.

В дистанционной (теоретической) части учебного курса изложены физические основы метода атомно-слоевого осаждения (АСО), получившего в последнее время широкое распространение как новый технологический метод, обеспечивающий рост тонких пленок высокого качества на больших площадях подложек. Теоретическая часть учебного курса состоит из четырех лекций:

Лекция 1: Основные закономерности процесса атомно слоевого осаждения Атомно-слоевое осаждение - новая технология получения тонких пленок высокого качества. Основные понятия. Реакционный цикл. Принцип самоконтролируемости процесса атомно-слоевого осаждения. Физико-химические основы метода атомнослоевого осаждения. Возможные механизмы хемосорбционных поверхностных реакций:

обмен лигандами, диссоциация, ассоциация. Причины возникновения насыщения.

Лекция 2: Теоретические модели атомно-слоевого осаждения Модель плотной упаковки исходных молекул. Модель с учетом длин и углов связей молекул реагентов. Модель по числу и размерам лигандов (модель плотной упаковки лигандов). Уравнение баланса на основе закона сохранения массы для процесса атомнослоевого осаждения. Расчет максимально возможной плотной упаковки лигандов на поверхности подложки. Прирост слоя за один реакционный цикл.

Лекция 3: Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида титана Реагенты для атомно-слоевого осаждения диоксида титана. Параметры процесса.

Определение прироста толщины пленки за реакционный цикл. Элементный и химический состав формируемых пленок. Фурье- ИК спектроскопический и рентгено- дифракционный анализ структуры диоксида титана, формируемого методом атомно-слоевого осаждения.





Расчет прироста толщины диоксида титана за один экспериментальный цикл.

Лекция 4: Атомно-слоевое осаждение тонких пленок оксида алюминия Установка атомно-слоевого осаждения тонких пленок: основные узлы и принцип работы.

Применение модели плотной упаковки лигандов для расчета прироста толщины оксида алюминия за один экспериментальный цикл.

Очная (экспериментальная) часть учебного курса заключается в изучении принципов функционирования установки атомно-слоевого осаждения АСО SUNALE TM R-150 (Финляндия). Основные задания на лабораторный практикум:

- Разработать и заполнить в управляющем компьютере установки атомно-слоевого осаждения (АСО) Sunale R-150 технологический маршрут осаждения оксида алюминия;

- Провести эксперимент по АСО оксида алюминия (Al2O3) из триметилалюминия (ТМА, Al(CH3)3) и воды при температуре подложки 300 0С, количество циклов-500;

- по результатам определения толщины сформированной пленки оксида алюминия определить прирост толщины слоя за цикл.

Методические рекомендации по реализации учебной программы На дистанционную и очную части учебного курса отводится по 12 часов соответственно. Полное содержание лекций в электронной дистанционной части учебного курса находится на сайте www.nanoobr.ru. Для контроля степени освоения теоретической части учебного курса (лекций) используются тестовые вопросы для самопроверки и контрольные вопросы.

Лекция 1: Основные закономерности процесса атомно-слоевого осаждения 1. Отличительной чертой АСО является?

В) Импульсная попеременная подача Г) Получение большого числа материалов 2. В результате какого механизма образуются летучие продукты?

3. Возникновение насыщения зависит?

В) От размеров и от количества лигандов Г) не зависит от размеров и количества 4. От чего зависит преобладание того или иного механизма?

А) От концентрации ОН- групп Б) От размеров лигандов В) От количества подаваемого реагента Г) От всего вышеперечисленного Лекция 2: Теоретические модели атомно-слоевого осаждения 1. Какая из моделей учитывает размеры исходных молекул?

А) Модель 1 (Морозов и Ритала) Б) Модель 2 (Юлиламми) В) Модель 3 (Сиимон, Аарик и Пуурумен) Г) Все вышеперечисленные 2. Какое значение принимает на практике?

3. Чему равно количество освобожденных лигандов в молекуле MLn в случае, если реакция идет по механизму диссоциации?

4. Какая величина связывает между собой количество ОН - групп перед началом реакции и количество ОН- групп поверхности, реагирующих с MLn - реагентом?

5. Каким законом описывается хемосорбция?

А) Законом сохранения импульса Б) Законом сохранения энергии В) Законом сохранения масс Г) Законом сохранения заряда Лекция 3: Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диоксида титана 1. Каким методом исследовали показатель преломления полученных пленок?

2. Какова степень окисления титана в диоксиде титана?

3. Возможно ли получение аморфного диоксида титана методом АСО?

А) Нет, TiO2 всегда кристаллический Б) Да, если количество циклов В) Да, если количество циклов 400 Г) Всегда 4. Какая кристаллическая модификация наблюдаются при осаждении диоксида титана методом АСО в указанных условиях процесса?

5. С ростом толщины пленки размеры кристаллитов?

В) Остаются неизменными Г) В зависимости от температуры 6.Какую модель мы использовали для расчета h?

А) Учитывающую размеры исходных Б) Учитывающую размеры и геометрию В) Учитывающую размеры и число Г) Никакую лигандов 7. Число лигандов в Ti(OC2H5)4 равно?

Контрольные вопросы для проверки материала в количестве 18 вопросов Расскажите об особенностях АСО.

Что является причиной высокой однородности и конформности пленок, получаемых методом АСО?

Каковы основные механизмы хемосорбции ?

Что может являться причинами насыщения в хемосорбционных процессах?

Каковы преимущества метода АСО в сравнении с другими методами осаждения?

Назовите основные этапы реакционного цикла АСО?

Перечислите основные теоретические модели АСО?

Каков основной недостаток модели, описывающей процесс АСО на основе плотной упаковки исходных молекул реагентов?

Напишите на основе закона сохранения массы уравнение баланса для процесса АСО?

Как рассчитывается максимально возможная концентрация хемисорбированных лигандов?

10) Какими методами может быть исследована кристаллическая структура тонких пленок?

11) Какими методами может быть исследован химический состав тонких пленок?

12) Какая теоретическая модель процесса АСО была использована для расчета прироста за цикл в данной 13) Каковы основные узлы установки АСО тонких пленок?

14) Напишите реакцию образования Al2O3 из ТМА и воды?

15) Если процесс определяется самонасыщением, то какова будет зависимость h от длительности 16) импульса подачи реагента ?

Как влияет температура подложки на процесс АСО из ТМА и воды?

17) Какими по-вашему свойствами должны обладать исходные реагенты для других процессов АСО?

18) В конце очной части учебного курса слушатели готовят отчеты по темам контрольных рефератов, которые используются для контроля степени усвоения всего учебного курса на базе экспериментальных результатов и их обработки с применением знаний из дистанционной части курса.

Применение атомно-слоевого осаждения в технологии современной микроэлектроники Сравнение метода атомно-слоевого осаждения с другими методами получения тонких пленок.

Реализация реакций в хемисорбированных слоях – основа высокого качества тонких пленок, формируемых методом атомно-слоевого осаждения.

Основные хемосорбционные процессы, протекающие при атомно-слоевом осаждении тонких пленок.

Теоретические модели процесса атомно-слоевого осаждения тонких пленок.

Структура и свойства тонких пленок диоксида титана, формируемого атомно-слоевым осаждением Атомно-слоевое осаждение тонких пленок оксида алюминия.

Атомно-слоевое осаждение тонких пленок диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью.

Оборудование для атомно-слоевого осаждения тонких пленок.

Обзор наиболее применяемых исходных реагентов в процессах атомно-слоевого осаждение.

10.

Основные требования к исходным реагентам.

«Атомно-слоевое осаждение тонких Лекция 1: Основные закономерности процесса атомно-слоевого осаждения Лекция 2: Теоретические модели атомно-слоевого осаждения Лекция 3: Атомнослоевого осаждение тонких пленок диоксида Лекция 4: Атомнослоевого осаждение тонких пленок оксида алюминия Список литературы (основной и дополнительной), а также других видов учебно-методологических материалов и пособий, необходимых для изучения (конспектов лекций, видеолекций, лазерных дисков и др.).

и др. дополнительных источников информации в кол-ве – 8.

1 А.П Алехин, Физико-химические основы субмикронной технологии: Учебное пособие. -М.:

МФТИ,2007, с.45.

2 R.L.Puurunen, J.Appl.Phys, 2005,97,p. 121301.

3 F.A. Cotton, G.Wilkinson, Basic Inorganic Chemistry, John Wiley&Sons,New York 1976,p.88.

4 H. Knzinger, P.Ratnasamy,Catal.Rev.-Sci.Eng.1978,17,31.

5. Ritala M., Leskela M., Rauhala E.// Chem. Mater. 1994. V.6. P.556.

6. Puurunen R.L.// Chem. Vap. Deposition. 2003. V.9. №5. P.249.

7. Puurunen R.L.// Chem. Vap. Deposition. 2003. V.9. №6. P.327.

8. Lusvardi V.S., Barteau M.A., Dolinger W.R., Farneth W.E.// J. Phys. Chem. 1996. V.100. P. Полное содержание лекций в электронной дистанционной части учебного курса на Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»



Похожие работы:

«Лабораторная работа Изучение задачи нескольких тел посредством компьютерного моделирования С.А. Чернягин Московский физико-технический институт (Государственный университет) Кафедра теоретической физики Аннотация Основная задача данного практикума – изучение движения нескольких тел в порождаемом ими гравитационном поле. Задача движения тел в гравитационных полях является одной из важнейших астрофизических задач и имеет множество сфер пр именения таких как движение в планетных системах, динамика...»

«АНО ВПО ЦС РФ РОССИЙСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КООПЕРАЦИИ ИНСТИТУТ ТОРГОВЛИ И РЕСТОРАННОГО БИЗНЕСА КАФЕДРА ИНЖЕНЕРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ДИСЦИПЛИН И СЕРВИСА _ 2007 г. УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА ФИЗИКА специальность 230201.65 Информационные системы и технологии Москва 2007 Лебедева А.Л. Физика: Учебная программа. - М.: Российский университет кооперации, 2007. - 20 с. Учебная программа по дисциплине Физика (цикл общих математических и естественнонаучных дисциплин, федеральный компонент) для специальности 230201.65...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) УТВЕРЖДАЮ Первый проректор-проректор по учебной работе _ Л.А. Боков “_” 2012 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА По дисциплине Физика Для специальности 020801.65 – Экология Факультет Радиоконструкторский Профилирующая кафедра Радиоэлектронных технологий и экологического...»

«Министерство образования Республики Беларусь Белорусский государственный университет Факультет радиофизики и компьютерных технологий УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе _А.Л.Толстик Рег. № _ Программа основного вступительного испытания для поступающих в магистратуру по специальностям 1-31 80 07 Радиофизика 1-31 81 05 Квантовая радиофизика и лазерные технологии Минск 2013 Авторы: Рудницкий Антон Сергеевич, д.ф.-м.н., профессор, Афоненко Александр Анатольевич, д.ф.-м.н., профессор, Садов...»

«Приложение 1 к приказу № 19 осн от 21 февраля 2013 г. Рабочая программа дисциплины 1. Название дисциплины: Методы обработки рентгендифракционных данных 2. Лекторы. 2.1. К.ф.-м.н., доцент, Авдюхина В.М., кафедра физики твердого тела физического факультета МГУ, e-mail: vmaphys@gmail.com, телефон.: +7(495) 939-46-10. 3. Аннотация дисциплины. Рассмотрены картины рассеяния рентгеновских лучей кристаллами и сплавами при различной геометрии съемки и использовании различных длин волн рентгеновского...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Вологодский государственный педагогический университет Факультет прикладной математики, компьютерных технологий и физики Кафедра математики и методики преподавания математики ПРОГРАММА вступительного экзамена в аспирантуру по специальности 13.00.02 – Теория и методика обучения и воспитания (математика) (Направление подготовки 44.00.00 –...»

«ПРОГРАММА развития института теоретической и прикладной химии Северного Арктического федерального университета имени М.В.Ломоносова на 2011-2020 годы Архангельск 2011 Миссия Создание условий и обеспечение устойчивого развития образовательной и научно-исследовательской деятельности в области фундаментальной и прикладной химии, химической и биотехнологии, биомедицинской техники, охраны окружающей среды, стандартизации, метрологии и управлении качеством для формирования и развития...»

«Министерство образования РФ Ростовский государственный университет геолого-географический факультет кафедра физической географии экологии и охраны природы Программа комплексной учебной зональной общегеографической практики студентов 2 курса дневного отделения, обучающихся по специальности 012500 Географ-преподаватель Ростов-на-Дону 2003 2 Рассмотрено, одобрено и рекомендовано для издания на заседании кафедры физической географии, экологии и охраны природы. Протокол № 11, от 15 апреля 2003г....»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Амурский государственный университет Кафедра Химии и естествознания УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ концепции современного естествознания Основной образовательной программы по направлению подготовки 031100.62 (лингвистика) Благовещенск 2012 2 УМКД разработан к.т.н., доцентом М.А. Мельниковой Рассмотрен и рекомендован на заседании...»

«Открытое акционерное общество Научно-производственная фирма Геофизика УТВЕРЖДАЮ Генеральный директор А.Р. Адиев _ 2012 г. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ 25.00.17 – РАЗРАБОТКА И ЭКСПЛУАТАЦИЯ НЕФТЯНЫХ И ГАЗОВЫХ МЕСТОРОЖДЕНИЙ отрасль 25.00.00 Науки о Земле Присуждаемая ученая степень Кандидат наук Уфа - 2012 2 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПОСЛЕВУЗОВСКОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ПО ОТРАСЛИ Науки о Земле 1.1. Ученая степень, присуждаемая при условии...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации УДК ГРНТИ Инв. № УТВЕРЖДЕНО: Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Казанский институт биохимии и биофизики Казанского научного центра Российской академии наук От имени Руководителя организации /Гречкин А.Н. / М.П. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ОТЧЕТ о выполнении Государственного контракта № 16.740.11.0197 от 24 сентября 2010 г. и Дополнения от 22 марта 2012 г. № 1 Исполнитель: Федеральное государственное бюджетное...»

«Пущинский научный центр Российской академии наук Администрация города Пущино Пущинский государственный университет Пущино, 2011 УДК 573.4; 574.6; 577.1; 577.2; 577.3; 577.4; 581.5; 591.1; 631.4 БИОЛОГИЯ – НАУКА ХХI ВЕКА: 15-я Международная Пущинская школаконференция молодых ученых (Пущино, 18 - 22 апреля 2011 года). Сборник тезисов. Международная школа-конференция молодых ученых - ежегодное научное мероприятие, организуемое и проводимое Пущинским научным центром РАН, институтами ПНЦ, Пущинским...»

«НЕКОММЕРЧЕСКАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ АССОЦИАЦИЯ МОСКОВСКИХ ВУЗОВ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ НАУЧНО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ Пособие по физике для поступающих в вузы Состав научно-образовательного коллектива: Ильин Ю.А., Ралетнев В.И., Скорохватов Н.А., Феофилактова Т.В. Москва 2010 г. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И...»

«МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ им. Д.В. СКОБЕЛЬЦЫНА ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ ХХXIX международной конференции ПО ФИЗИКЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ С КРИСТАЛЛАМИ (Москва 26 мая – 28 мая 2009 г.) Москва 2009 УДК 539.1.01.08 ББК 22.37. Т29 Под общей редакцией проф.А.Ф. Тулинова Редколлегия: В.С. Куликаускас, Г.П. Похил., Е.С. Машкова, В.С. Черныш, Ю.А. Ермаков Т29 Тезисы докладов ХХXIX международной конференции по физике...»

«Первое приглашение г. Геленджик, Россия, 10-14 сентября 2012 г. Европейская ассоциация геоученых и инженеров (EAGE) приглашают Вас принять участие в 14-й научно-практической конференции по проблемам комплексной интерпретации геологогеофизических данных при геологическом моделировании месторождений углеводородов ГЕОМОДЕЛЬ-2012. Конференция традиционно состоится в городе Геленджике с 10 по 14 сентября 2012 г. В среднем, число участников конференции ГЕОМОДЕЛЬ составляет 300-500 ведущих...»

«Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению на базе учебного курса Физика и технология наноэлектроники (наименование учебного курса) Цель: Изучение физических основ технологий современной микро- и наноэлектроники, включая процессы формирования приборов. Категория слушателей преподаватели и научные работники высшей школы Примерный срок обучения 36 часов Форма обучения _с частичным отрывом от работы, дистанционно- очная Режим...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тверской государственный университет Экономический факультет Кафедра Экономики и управления производством УТВЕРЖДАЮ Руководитель ООП подготовки Магистров _ 2012 г. Учебно-методический комплекс по дисциплине Основы управления проектными рисками Для студентов I курса Направление подготовки 011200.68 Физика Специализированная программа подготовки магистров Физика магнитных явлений,...»

«ВТОРАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ БАЗЫ ДАННЫХ, ИНСТРУМЕНТЫ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ ОСНОВЫ ПОЛЯРНЫХ ГЕОФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ (ПОЛАР - 2012) 22-26 мая 2012 года, Троицк, ИЗМИРАН Программа конференции 22 мая 2012 года, вторник День заезда, регистрация в ИЗМИРАН, размещение. 12:00 - 15:00 – экскурсия по подразделениям ИЗМИРАН: Магнитная обсерватория, Ионосферная станция, Отдел космических лучей, Центр прогнозов космической погоды. 15:00 – заседание рабочей группы по проекту Полярная геофизика Ямала 23 мая 2012...»

«Учебно-методическое объединение по классическому университетскому образованию РФ Согласовано: Утверждаю _ Председатель Совета УМО Директор Института проблем экологии по классическому университетскому и эволюции РАН им. А.Н. Северцова, образованию академик РАН Д.С. Павлов академик РАН В.А. Садовничий Примерная основная образовательная программа высшего профессионального образования по направлению подготовки 020400 Биология утверждено приказом Минобрнауки России от 17 сентября 2009 г. № 337. ФГОС...»

«Библиография новых поступлений отдела абонементного обслуживания за октябрь 2011 г. Естественные науки в целом (20) 20 Б 90 Будущее науки в XXI веке : следующие пятьдесят лет / под ред. Джона Брокмана ; [пер. с англ. Ю. В. Букановой]. — Москва : АСТ : Астрель ; Владимир : ВКТ, 2011. — 255 с. За последние пятьдесят лет наука совершила настоящий прорыв. Освоение космоса и клонирование, Интернет, нанотехнологии и открытие планет за пределами Солнечной системы уже стали для нас реальностью. Но мир...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.