WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Министерство образования и науки Украины

Севастопольский национальный технический университет

РАСЧЕТ БЛОКА ОПТРОННОЙ РАЗВЯЗКИ

Методические указания к выполнению

расчетно-графического задания № 1

по дисциплине «Основы компьютерно-интегрированного управления»

для студентов специальностей:

7.092501- «Автоматизированное управление технологическими процессами»

7.092502- «Компьютерно-интегрированные технологические процессы и производство»

дневной и заочной форм обучения Севастополь Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) УДК 621.396.6.038. Расчет блока оптронной развязки: Методические указания к выполнению расчетно-графического задания / Сост.: А.И. Левченко, Ю. К. Сопин. Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2005 32 с.

Целью методических указаний является оказание помощи студентам в изучение инженерных методов расчета систем гальванической развязки информационных сигналов, построенных на основе оптоэлектронных преобразователей, а также принципов их моделирования в среде «CIRCUITMAKER».

Методические указания рассмотрены и утверждены на заседании кафедры «Автоматизация технологических процессов и производств» 16 мая 2005 г., протокол № Допущено учебно-методическим центром СевНТУ в качестве методических указаний Рецензент:

Копп В.Я., доктор техн. наук, профессор, заведующий кафедрой «Автоматизированные приборные системы»

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

СОДЕРЖАНИЕ

1. Краткие теоретические сведения………………………………………………….. 2. Схемотехника блока оптронной развязки………………………………………... 2.1 Схемотехника буферных устройств……………………………………………... 2.2 Схемотехника блока управления………………………………………………… 2.3 Блоки оптронной развязки для сопряжения цифровых устройств……………. 2.3.1 Блок оптронной развязки с ТТЛ-входом и ТТЛ-выходом………………….... 2.3.2 Блок оптронной развязки с токовым управлением…………………………… 2.4 Блоки оптронной развязки для сопряжения исполнительных устройств постоянного и переменного тока………………………………………………… 3. Расчет блока оптронной развязки…………………………………………………. 3.1 Расчет буферного устройства на основе диодной оптопары в генераторном режиме…………………………………………………………….

3.2 Расчет буферного устройства на основе диодной оптопары в параметрическом режиме………………………………………………………... 3.3 Расчет буферного устройства на биполярных транзисторах…………………... 3.4 Расчет буферного устройства на основе транзисторной оптопары…………... 3.4.1 Расчет двухкаскадного буферного устройства……………………………….. 3.4.2 Расчет однокаскадного буферного устройства……………………………….. 3.5 Расчет блока оптронной развязки для сопряжения цифровых устройств…….. 3.6 Расчет блока оптронной развязки типа «токовая петля»………………………. 4. Варианты индивидуальных заданий……………………………………………… 5. Содержание отчета…………………………………………………………………. 6. Перечень сокращений……………………………………………………………… Библиографический список………………………………………………………….. Приложение А. Варианты сопряжения исполнительных устройств с системой управления…………………………………………………………. Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

1. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Гальваническая развязка информационных сигналов применяется в компьтерно-интегрированных системах управления (КИСУ) для исключения электрической (гальванической) связи между источниками управляющего и исполнительного сигналов. Данная задача сводится к разделению общего провода источника и приемника информации за счет введения дополнительного информационного канала между ними. В качестве информационного канала используются различные физические поля и эффекты: электростатическое поле на границе раздела двух сред (полевые транзисторы); электромагнитное поле (трансформаторы тока и напряжения, электромагнитные реле, сфокусированный световой поток и т.п.).

Наибольшее распространение в КИСУ получили блоки оптронной развязки, построенные на основе оптоэлектронных преобразователей.

Основу блока оптронной развязки (БОР) составляет оптопара (оптрон), который включает излучатель и приемник светового потока, заключенные в корпус, и разделенные оптически прозрачной средой. В качестве фотоизлучателя обычно используют инфракрасные излучающие диоды, а в качестве фотоприемника - фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и фоторезисторы. В зависимости от типа фотоприемника различают диодные, транзисторные, тиристорные и резисторные оптроны.

Фотоприемник диодной оптопары может работать в генераторном и параметрическом режимах. [2].

Генераторный режим реализуется при холостом ходе выходной цепи фотодиода. При номинальном входном токе фотоизлучателя на выводах фотодиода генерируется фото-ЭДС ЕФ= (0,7 0,8) В потенциал открытого pn-перехода на основе кремния [7].

В параметрическом режиме фотодиод включается через ограничивающий резистор в цепь источника постоянного напряжения в обратном направлении. Резистор ограничивает обратный ток фотодиода и предотвращает его лавинообразный пробой. Световой поток, возбужденный входным током фотоизлучателя, обусловливает увеличение обратного тока фотодиода, величина которого возрастает с увеличением светового потока [2].

Фотоприемник транзисторной оптопары обладает внутренним усилением фототока базы и функционирует аналогично биполярному транзистору в ключевом режиме. В тиристорных оптопарах в качестве фотоприемника используются управляемые световым потоком полупроводниковые структуры: фотодинисторы, фототиристоры. Эти структуры имеют релейную характеристику и позволяют коммутировать токи большой величины [2].





На основе резисторной оптопары реализуются преобразователи и модуляторы электрических сигналов [2].

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

2. СХЕМОТЕХНИКА БЛОКА ОПТРОННОЙ РАЗВЯЗКИ

Схемотехника и методики расчета БОР определяются типом используемой оптопары, режимом ее работы, мощностью нагрузки, а также характером управляющего сигнала.

Обобщенная структурная схема БОР представлена на рисунке 2.1.

Блок управления фотоизлучателем (блок 1) вырабатывает цифровой электрический сигнал, обеспечивающий импульсное излучение светового потока. Данный поток воспринимается фотоприемником оптопары (блок 2). На выходе фотоприемника возникает исполнительный электрический сигнал в виде тока или напряжения.

Буферное устройство (блок 3) обеспечивает энергетическое согласование выходной цепи фотоприемника с нагрузкой. В качестве нагрузки используются исполнительные устройства: двигатели, электромагнитные реле, пускатели, распределителем гидравлической или пневматической энергии и т.п.

2.1. Схемотехника буферных устройств При выборе схемы буферного устройства БОР необходимо учитывать электрические параметры нагрузки (номинальные напряжение, ток, мощность или сопротивление нагрузки). В случае мощной нагрузки (например, обмотка управления электромагнитного пускателя, электрогидроклапана и т.п.) буферное устройство представляет собой усилитель мощности с низким выходным сопротивлением; при работе БОР на входное сопротивление ТТЛ-микросхем буферное устройство - усилитель тока или напряжения с ТТЛ-выходом; в случае использования КМОПмикросхем-буферное устройство содержит преобразователь уровня или согласующий усилитель мощности.

Пример электрической схемы буферного устройства на основе диодной оптопары в генераторном режиме представлен на рисунке 2.2.

Рисунок 2.2 Принципиальная схема буферного устройства БОР на основе диодной оптопары Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Нагрузкой БОР является обмотка управления электропневмоклапана (ЭПК).

Усилитель мощности реализован на базе неинвертирующего операционного усилителя (ОУ), имеющего высокое входное сопротивление R вх 109...1012 Ом. Обмотка управления ЭПК включена в коллекторную цепь составного транзистора VT1, VT (схема Дарлингтона). Выводы фотодиода оптопары подключены к неинвертирующему входу ОУ относительно заземленного общего провода. Коэффициент усиления Коу изменяется с помощью переменного резистора R2. При наличии светового потока излучателя (Iвх 0) на выходе ОУ образуется напряжение Uвых=Еф(1+ R2/R1), приложенное между базой и эмиттером составного транзистора на элементах VT1 и VT2.

Этим напряжением транзисторы VT1 и VT2 открываются, входя в режим насыщения. Потенциал объединенного коллектора становится близким потенциалу земли (в режиме насыщения напряжение между коллектором и эмиттером транзистора соответствует остаточному напряжению Uост, логический ноль). При прохождении по обмотке управления коллекторного тока Iк составного транзистора VT1, VT2 на ней образуется напряжение питания Е. В результате электромагнит ЭПК «включается», обеспечивая направленную подачу сжатого воздуха в пневмомагистраль. При отсутствии светового потока излучателя (ток управления Iвх = 0) транзисторы VT1, VT2 закрываются, обмотка управления обесточивается, а электромагнит ЭПК переходит в исходное «выключенное» (например, за счет действия силы упругости возвратной пружины), что изменяет направление сжатого воздуха в пневмомагистрали.

Пример электрической схемы буферного устройства на основе диодной оптопары в параметрическом режиме показан на рисунке 2.3.

Рисунок 2.3 Принципиальная схема буферного устройства БОР на основе диодной оптопары В этом режиме при наличии светового потока излучателя внутренне сопротивление фотодиода уменьшается, поскольку обратный световой фототок превышает обратный темновой ток. Таким образом, при наличии тока управления в цепи изсв лучателя обратный световой фототок фотодиода I ф создает на резисторе R1 падесв ние напряжения U R1 I ф R1. Это напряжение усиливается неинвертирующим ОУ до уровня насыщения составного транзистора VT1, VT2. В результате к обмотке управления подключается напряжение питания +Е - электромагнит ЭПК «включен».

При отсутствии тока управления в цепи излучателя обратный темновой ток фотот диода I ф практически равен нулю, транзисторы VТ1, VT2 выходят из насыщения, а Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) напряжение питания +Е отключается от обмотки управления - электромагнит ЭПК На рисунке 2.4 представлена электрическая схема буферного устройства на биполярных транзисторах в ключевом режиме.

Рисунок 2.4 Принципиальная схема буферного устройства БОР на биполярных При наличии тока управления световой поток излучателя генерирует обратный световой фототок I св фотодиода, который усиливается транзистором VT1.

Под действием падения напряжения U R1 I св R1, приложенного через резистор R2 между базой и эмиттером, транзистора VT1, последний насыщается, (потенциал коллектора близок к потенциалу земли). Транзистор VT2 закрывается (на коллекторе формируется потенциал +Е), а транзистор VT3 открывается, пропуская ток через обмотку управления ЭПК. При отсутствии тока управления обратный темновой фот тоток фотодиода I обр практически отсутствует (составляет доли наноампер), транзистор VТ1 закрыт (потенциал коллектора равен +Е), транзистор VT2 насыщается, а транзистор VT3 выходит из насыщения электромагнит ЭПК «выключается».

На рисунке 2.5,а, б представлены электрические схемы буферного устройства БОР на основе транзисторной оптопары.

Рисунок 2.5 Электрические схемы буферного устройства БОР на основе транзисторной Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Фототранзистор оптопары и входной транзистор VT1 усилителя мощности образуют «комплементарную пару» транзисторов (комплект npn/pnp). Выходной транзистор VT2 коммутирует обмотку управления ЭПК (Рисунок 2.5, а). При работе БОР на заземленную нагрузку транзисторный ключ VT2 из схемы исключается, а нагрузка включается в цепь заземленного коллектора транзисторного ключа VT (Рисунок 2.5, б). При недостаточном значении коэффициента усиления тока базы в качестве выходного ключа VT1 можно использовать составной транзистор (схема Дарлингтона) [7].

2.2. Схемотехника блока управления На рисунках 2.6, 2.7, а, б представлены схемы блока управления излучателем оптопары. В схеме управления на основе транзисторного ключа ограничивающий резистор R1 предотвращает токовый пробой светодиода, обеспечивая номинальный ток питания излучателя I вх ; резистор R2 увеличивает входное сопротивление транзисторного ключа (Рисунок 2.6). В схеме управления на основе RS-триггера включение светодиода осуществляется сигналом «логического нуля» с инверсного выхода Q триггера DD1 (Рисунок 2.7, а). При необходимости двухканального управления излучатели подключаются к прямому Q и инверсному Q выходам RS-триггера через резисторы R1 и R2 соответственно (Рисунок 2.7, б).

Рисунок 2.6 – Электрическая схема блока управления излучателем диодной оптопары базе Рисунок 2.7 – Электрические схемы блока управления излучателем на основе RS-триггера Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 2.3. Блоки оптронной развязки для сопряжения цифровых устройств При проектировании КИСУ возникает необходимость сопряжения внешних устройств с микропроцессорной системой управления (микроконтроллер, персональный компьютер и т.п.). Для сопряжения цифровых устройств с различными уровнями логических сигналов в структуру БОР (Рисунок 2.1) вводятся преобразователи уровня и усилители тока, построенные на базе ТТЛ - и КМОП-микросхем [2].

В случае значительного удаления внешнего устройства от микропроцессорной системы в блоке управления фотоизлучателем оптопары применяется генератор тока типа «токовая петля» [4].

2.3.1 Блок оптронной развязки с ТТЛ-входом и ТТЛ-выходом На рисунке 2.8 представлены электрические схемы БОР с ТТЛ-входом и ТТЛвыходом [2, 9].

Блок управления излучателем оптопары реализован на логическом элементе DD1.1 (структура ТТЛ), выполняющем функцию инвертора. При наличии сигнала «логической единицы» на входе элемента DD1.1 катод фотоизлучателя имеет потенциал земли. Поскольку по отношению к напряжению +E1 излучатель находится в прямом включении, через pn-переход протекает ток управления I вх, величина которого определяется ограничивающим резистором R1 и напряжением питания Е1.

Если на входе элемента DD1.1 присутствует сигнал «логического нуля», на его выходе образуется сигнал «логической единицы» (уровень напряжения, близкий к напряжению питания Е1 ). В этом случае разность потенциалов между анодом и катодом излучателя равна нулю, что обусловливает прекращение тока управления ( I вх =0). В качестве буферного устройства БОР используется логический элемент DD1.2 (структура ТТЛ), формирующий выходной сигнал необходимой мощности.

Резистор R2 ограничивает обратное напряжение на фотодиоде при отсутствии тока управления (Рисунок 2.8, а), либо является нагрузкой фотоприемника, работающего Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) в параметрическом режиме (Рисунок 2.8, б).

На рисунке 2.9 представлена схема БОР для сопряжения информационных сигналов ТТЛ и КМОП [2, 9].

Транзистор VT1 обеспечивает усиление мощности сигнала на выходе логического элемента DD1.1 (структура КМОП). Характер выходного сигнала БОР определяется внутренней структурой буферного элемента DD1.2 (структура КМОП или ТТЛ).

Рисунок 2.9 – Электрическая схема БОР для сопряжения информационных сигналов ТТЛ и КМОП 2.3.2 Блок оптронной развязки с токовым управлением На рисунке 2.10 представлена электрическая схема БОР типа «токовая петля».

Данная схема обеспечивает согласование уровней сигналов последовательного интерфейса RS-232C (±12В) с уровнями ТТЛ - сигналов (+5В) внешних устройств [4].

Излучатель оптопары управляется от генератора тока (ГТ) на транзисторах VT1, VT2. Величина выходного тока ГТ определяется напряжением между базой и эмиттером транзистора VT2 (потенциалом d открытого pn-перехода) и резистором R2. Диоды VD1, VD2 пропускают в цепь управления излучателем оптопары только положительные импульсы тока; резистор R4 имитирует нагрузку ГТ при отключенCreate PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) ном оптроне, резистор R3 формирует смещение на базе транзистора VT1, а резистор R1 ограничивает его базовый ток. При поступлении на базу транзистора VT1 отрицательного потенциала –12В («логическая единица» для интерфейса RS-232C) в цепи коллектора транзистора VT1 формируется ток управления излучателем. В результате фотоэффекта в коллекторной цепи фототранзистора возникает ток, а на резисторе R5 формируется ТТЛ-сигнал («логический нуль»). При наличии на базе транзистора VT1 уровня напряжения +12В («логический нуль для интерфейса RSC») ток в цепи излучателя прекращается, а на коллекторе фототранзистора формируется ТТЛ-сигнал («логическая единица»). При необходимости ТТЛ-сигнал на выходе оптопары может быть проинвертирован.

2.4. Блоки оптронной развязки для сопряжения исполнительных В качестве исполнительных устройств систем автоматизации применяются распределители гидравлической и пневматической энергии, коммутаторы электрической энергии, двигатели и т.п. Питание указанных устройств осуществляется как постоянным, так и переменным током. Для управления двигателем постоянного тока (ДПТ) можно использовать БОР с буферным устройством на комплементарных транзисторах (Рисунок 2.11). Для управления асинхронным двигателем (АД) на выходе буферного устройства включается электромагнитное реле постоянного тока, контакты К1 которого подключают АД к сети переменного тока (Рисунок 2.12). Для управления мощными исполнительными устройствами, работающими на переменном токе, в схеме БОР применяют управляемые вентили: динисторы, тиристоры, семисторы (Рисунок 2.13, а, б) [2, 9].

Рисунок 2.12 - Электрическая схема БОР на базе электромагнитного реле Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Рисунок 2.13 Электрическая схема БОР на основе управляемых вентилей Управляемый световым потоком фотодинистор замыкает диагональ постоянного тока диодного моста, что обеспечивает подключение асинхронного двигателя к однофазной сети переменного тока 220В 50 Гц (Рисунок 2.13, а). Аналогичным образом коммутация асинхронного двигателя осуществляется с помощью семистора (Рисунок 2.13, б). Управление семистором реализуется посредством БОР на основе транзисторного оптрона и электромагнитного реле Р1. По сигналу управления, соответствующему уровню «логической единицы», контакты К1 реле Р1 подключают короткозамкнутую диагональ постоянного тока диодного моста к общему проводу фототранзистора, что обеспечивает «включение» семистора VS1 и коммутацию асинхронного двигателя в сеть переменного тока 220В 50 Гц. По сигналу «логического нуля» семистор VS1 выключает асинхронный двигатель.

В приложении «А» представлены варианты сопряжения исполнительных устройств с системой управления [9].

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

3. РАСЧЕТ БЛОКА ОПТРОННОЙ РАЗВЯЗКИ

Расчет электрической схемы БОР проводится в направлении «с выхода на вход» от нагрузки БОР к системе управления фотоизлучателем (Рисунок 2.1).

Исходными данными для расчета буферного устройства БОР являются электрические параметры нагрузки: номинальные напряжение, ток, мощность или сопротивление. Исходными данными для расчета блока управления фотоизлучателем оптопары являются параметры управляющего сигнала.

3.1. Расчет буферного устройства на основе диодной оптопары в Необходимо рассчитать элементы электрической схемы буферного устройства Расчет проводится в следующей последовательности.

1. Определяется номинальный ток Iн обмотки управления ЭПК 3. Выбирается тип ОУ. В качестве ОУ применяем микросхемы например, типа 4. Определяется необходимый коэффициент усиления тока 0 составного транзистора на элементах VT1 и VT2.

5. Выбираются выходные транзисторы VT1 и VT2, исходя из следующих соображений.

Максимально допустимые мощность, рассеиваемая на коллекторе составного транзистора Pk max должна быть больше мощности нагрузки Pk. max 1,5...3,0 Pн.

Максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер U кэ. max должно быть больше напряжения питания Е – U кэ. max 2...3E.

Маломощные транзисторы, используемые в первых каскадах, имеют малое допустимое значение коллекторного тока, но высокий коэффициент передачи тока базы ( 20 100). С другой стороны, мощные транзисторы, используемые в выходных каскадах, имеют коэффициент min = 10…20, а коллекторный ток может достигать нескольких ампер. Реальный коэффициент усиления составного транзистора p 1 2, где 1, 2 - соответствующие коэффициенты усиления тока базы транзисторов схемы Дарлингтона. При выборе транзисторов VT1, VT2 необходимо чтобы расчетное значение коэффициента передачи тока базы p было не меньше заданного Таким образом, первый (входной) транзистор VT1 целесообразно выбирать меньшей мощности, а оконечный (выходной) VT2 - большой мощности.

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Выбираются транзисторы VT1,VT2 [5]:

VT1- КТ315Г: 1 20...150 ; Ik max = 100мА; Uкэ.max = 30 В;

VT2- КТ819Г: 2 10...20 ; Ik max = 7мА; Uкэ.max = 40 В.

Для расчета принимаются минимальные значения параметров: 1 = 20; 2 = 10.

6. Определяется реальное значение коэффициента усиления по току Р и проводится сравнение с расчетным значением.

Поскольку параметр p больше параметра 0 транзисторы VT1 и VT2 выбраны правильно.

Примечание - Параметры 1 и 2 могут выбираться не только по минимальным значениям. Данный параметр можно выбрать по справочнику в заданном для транзистора диапазоне.

7. Для обеспечения насыщения составного транзистора (VT1, VT2) напряжение на выходе ОУ U оу принимается в диапазоне U оу 1.5...3.0В.

8. Выбирается тип оптопары и принимается уровень фото-ЭДС Eф = 0,75В [2].

Определяется необходимый коэффициент усиления Kоу операционного усилителя [3].

9. Определяется отношение резисторов R1, R 10. Определяется величина резистора R2 в цепи отрицательной обратной связи ОУ. Для расчета принимается R1 = 10 кОм [3].

11. Определяется ток обратной связи Ioc через резисторы R1 и R 12. Определяется мощность резисторов R1 и R 13. Выбираются резисторы по ГОСТ [6] 3.2. Расчет буферного устройства на основе диодной оптопары в Исходные данные: номинальная мощность нагрузки: Рн = 12Вт;

Необходимо рассчитать элементы электрической схемы буферного устройства БОР на основе диодной оптопары в параметрическом режиме (Рисунок 2.3).

Предварительный расчет буферного устройства проводиться по пунктам 1- методики, изложенной в разделе 3.1.

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Дальнейший расчет проводится в следующей последовательности.

Технические характеристики диодной оптопары типа АОД 101Б представлены Таблица 3.1 Технические характеристики оптопары АОД 101Б 3. Принимается напряжение U1 на выходе оптопары, соответствующее уровню логической единицы, U1 = U R1 1В и определяется величина резистора R 4. Определяется необходимый коэффициент усиления К оу операционного Напряжение на выходе ОУ U оу выбирается в диапазоне U оу 1.5...3.0В.

5. Определяется отношение резисторов R3, R 6. Определяется величина резистора R3 в цепи отрицательной обратной связи ОУ. Принимается R2 = 10 кОм [3] 7. Определяется ток обратной связи Ioc через резисторы R2 и R 8. Определяется мощность резисторов R1, R2, R Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 3.3. Расчет буферного устройства на биполярных транзисторах Исходные данные: номинальная мощность нагрузки Рн=12Вт;

Необходимо рассчитать элементы электрической схемы усилителя мощности на биполярных транзисторах (Рисунок 2.4).

Расчет ведется в следующей последовательности.

1. Определяется номинальный ток Iн управления ЭПК 2. Выбирается тип диодной оптопары (Таблица 3.1). Определяется обратный ток I обр фотодиода 3. Определяется требуемый коэффициент усиления тока 4. Определяется минимальное число транзисторов в усилителе мощности, обеспечивающее заданное значение параметра 0. В каскадах усилителя мощности коэффициент усиления тока i распределяется равномерно Следовательно, транзисторы VT1, VT2, VT3 усилителя мощности должны иметь минимальный коэффициент усиления тока min 14,94.

Таким образом, в буферном устройстве (Рисунок 2.4) выбираются три транзистора [5] Определяется реальный коэффициент усиления тока Р Таким образом, транзисторы VT1, VT2, VT3 выбраны правильно.

Насыщение транзистора VT3 обеспечивается при закрытом транзисторе VT2, а насыщение транзистора VT2 - при закрытом транзисторе VT1. Величины резисторов R1…R5 определяются из законов Ома и Кирхгоффа с учетом остаточного напряжения U ост транзисторов в режиме насыщения и статического потенциала d участка эмитттер-база (для германиевых транзисторов d 0,3...0,4B ; для кремниевых транзисторов d 0,6...0,8B ). Для выбранных транзисторов (см. п. 4) принимается d 0,7 B ; U ост 0,1B.

5. Определяется ток базы I б.нас.3 транзистора VT3 в режиме насыщения Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 6. Определяется величина резистора R5 в коллекторной цепи транзистора Задается величина тока коллектора I k.нас.2 транзистора VT2 в режиме насыщения: I k.нас.2 I б.нас.3. Принимается для расчета I k.нас.2 60мА.

Определяется величина резистора R5 и его мощность Р Выбор величины резистора R5 по ГОСТ: R5=390 Ом.

Определяется мощность Р5 резистора R 7. Определяется величина резистора R6 в базовой цепи транзистора VT Ток I б.нас.3 формируется источником питания +Е и резисторами R5, R6 при закрытом транзисторе VT2.

Определяется ток базы насыщения I б.нас. Определяется мощность Р6 резистора R 8. Определяется ток базы I б.нас.2 транзистора VT2 в режиме насыщения 9. Определяется величина резистора R3 в коллекторной цепи транзистора Задается величина тока коллектора I k.нас.1 транзистора VT1 в режиме насыщения: I k.нас.1 I б.нас.2. Принимается для расчета I k.нас.1 3,5мА.

Определяется величина резистора R3 и его мощность Р Определяется мощность Р3 резистора R 10. Определяется величина резистора R4 в базовой цепи транзистора VT2.

Ток I б.нас.2 формируется источником питания +Е и резисторами R3, R4 при закрытом транзисторе VT1.

Определяется ток базы насыщения I б.нас. Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Для обеспечения запаса по току I б.нас.2 принимается:

Уточняется ток базы насыщения I б.нас. Полученное значение тока I б.нас.2 3 мА. Следовательно, насыщение транзистора VT2 обеспечивается (см. п. 8).

Определяется мощность Р4 резистора R 11. Определяется ток базы I б.нас.1 транзистора VT1 в режиме насыщения 12. Определяется величина резистора R1 и его мощность Р1.

Задается уровень напряжения U1 I оп R1, сформированного на резисторе R1 обратным током фотодиода I оп =0,15мА. Для насыщения транзисторов необхообр димо обеспечить уровень напряжения U1 =1,5-3,0 В. Принимается U1 = I,5 В.

Определяется мощность Р1 резистора R 13. Определяется величина резистора R2 и его мощность Р2.

Выбирается R2=4,7кОм.

Определяется мощность Р2 резистора R 3.4. Расчет буферного устройства на основе транзисторной оптопары В зависимости от мощности нагрузки, буферное устройство может быть двухкаскадным и однокаскадным (Рисунок 3.5, а, б).

3.4.1 Расчет двухкаскадного буферного устройства Исходные данные: напряжение на нагрузке Uн = 24 В;

Необходимо рассчитать элементы электрической схемы двухкаскадного буферного устройства БОР на основе транзисторной оптопары (Рисунок 3.5, а).

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Выбирается транзисторная оптопара АОТ 123 А, Б, В. Электрические параметры оптопары приведены в таблице 3.2 [2].

Таблица 3.2 - Технические характеристики оптопары АОТ Для определения коэффициента передачи тока выбранной оптопары используется график зависимости коэффициента передачи от напряжения U кэ между коллектором и эмиттером фототранзистора при фиксированном остаточном напряжении U ост const (Рисунок 3.1) [2].

2. По данным таблицы 3.2 из графика (Рисунок 3.1) определяется выходной ток фототранзистора I вых I оп при токе управления I вх 20мА и при напряжении коллектор-эмиттер Uкэ = Е=24В.

3. Определяется необходимый коэффициент усиления тока 4. Определяется минимальное значение коэффициента усиления тока транзисторов VT1, VT2.

Для двухкаскадного усилителя мощности (Рисунок 3.5, а) 0 1 2.

Полагается, что коэффициенты усиления транзисторов i равны меду собой Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Минимальное значение коэффициента усиления биполярных транзисторов =10 [5, 7].

Определяется реальное значение коэффициента усиления тока Р Выбираются транзисторы в усилителе мощности [5]:

Поскольку p 0, транзисторы VT1, VT2 выбраны правильно.

5. Определяется ток коллектора I k1 транзистора VT 6. Определяется величина и мощность разделительного резистора R3 в цепи базы выходного транзистора VT Транзистор VT2 насыщается коллекторным током I k1 насыщенного транзистора VT1. В соответствии со вторым законом Кирхгофа:

Выбирается по ГОСТ [6]: R3 = 150 Ом.

Определяется мощность Р3 резистора R Следовательно, мощность резистора R3 должна быть не менее 4 Вт.

В качестве резистора R3 выбирается два резистора мощностью 2 Вт, соединенные параллельно [6]: R3 – ОМЛТ – 2 – 300 5%.

7. Определяется ток I k 2 в коллекторной цепи транзистора VT2 в режиме насыщения 8. Определяется величина резистора R1 и его мощность P1.

В соответствии со вторым законом Кирхгофа: E d U оп I оп R1. ост к Определяется мощность Р1 резистора R Выбирается по ГОСТ [6]: R1 – ОМЛТ – 0,125 – 1,5к 5%.

9. Определяется величина резистора R2 и его мощность P 2.

При насыщении фототранзистора ток I оп протекает по резистивному делитек В соответствии со вторым законом Кирхгофа:

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) где U оп 0,3В остаточное напряжение фототранзистора (см. Таблица 2.2) В результате расчета в схеме буферного усилителя мощности (Рисунок 1.5, а) в соответствии с ГОСТ выбраны следующие элементы [5, 6]:

Примечание - Проведенный расчет показывает, что при использовании двухкаскадного усилителя мощности (Рисунок 2.5, а) реальное значение коэффициента усиления Р значительно превышает необходимое значение 0, что позволяет в принципе коммутировать ток нагрузки в 3 раза превышающий заданное значение 3.4.2 Расчет однокаскадного буферного устройства Исходные данные: напряжение на нагрузке Uн = 24 В;

Необходимо рассчитать элементы электрической схемы двухкаскадного буферного устройства БОР на основе транзисторной оптопары (Рисунок 3.5, б).

1. Выбор типа транзисторной оптопары и расчет ее выходного тока Iвых Iоп к 2. Определяется необходимый коэффициент усиления тока 1 транзистора 3. Определяется суммарное сопротивление R д резистивного делителя R1, R в коллекторной цепи фототранзистора 4. Определяется величина резистора R1 и его мощность P1.

Определяется мощность Р1 резистора R Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 5. Определяется величина резистора R2 и его мощность P 2.

Определяется мощность Р2 резистора R 6. Определяется коммутируемый ток нагрузки I н Таким образом, однокаскадный усилитель мощности (Рисунок 2.5, б) обеспечивает коммутацию заданного тока I н 0,5A.

В результате расчета в схеме буферного усилителя мощности выбраны следующие элементы [5, 6]:

Транзистор: VT1-КТ 819А.

Резисторы: R1 – ОМЛТ – 0,125 – 1,5к 5%. R2 – ОМЛТ – 0,125 – 100 5%.

3.5. Расчет блока оптронной развязки для сопряжения цифровых Расчет блока оптронной развязки для сопряжения цифровых устройств, реализованных на интегральных микросхемах (ИМС) структуры ТТЛ или КМОП сводится к следующему (Рисунок 2.6…2.9):

выбор типа транзисторов в усилителе тока фотоизлучателя;

выбор структуры ИМС управляющего логического устройства;

выбор структуры буферных цифровых устройств, обеспечивающих управление выходным ключевым каскадом, коммутирующим нагрузку;

расчет ограничивающих резисторов R1, R2, R3 управляющего и буферного Транзистор VT1 в схеме управления оптроном должен обладать коэффициентом 1 передачи тока базы, достаточным для получения номинального тока I вх фотоизлучателя. Цифровые управляющие элементы выбираются по параметрам сигнала управления, а буферные элементы по параметрам нагрузки.

В схеме управления (Рисунок 2.6) коэффициент 1 транзистора VT1 и величины ограничивающих резисторов R1 и R2 определяются из соотношений где U вх - уровень управляющего сигнала; d - потенциал открытого pn – перехода (фотоизлучателя и эмиттерного перехода транзистора); I б, Uост, - соответственно базовый ток и остаточное напряжение на коллекторе транзистора в режиме насыщения (у транзисторов малой и средней мощности напряжение Uост 0,1…0,3 В; у мощных транзисторов Uост 0,5…1,5 В).

В схемах управления излучателем на основе цифровых элементов резисторы, Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) ограничивающие ток I вх, определяются по формулам (Рисунок 2.7…2.9) где U1, U 0, I1, I 0 соответственно уровни напряжений и токов, эквивалентных сигналам логической единицы и логического нуля на выходе цифрового элемента (эти параметры определяются по справочнику для конкретной микросхемы).

Ограничивающие резисторы R2 и R3 в цепи фотоприемника диодного оптрона, работающего в параметрическом режиме (Рисунок 2.8, 2.9), определяются с учетом допустимого обратного падения напряжения на фотодиоде U ф.д, его обратно- обр го светового I ф.св и темного I ф.т фототока Для формирования цифрового сигнала на входе схемы управления фотоизлучателем, либо на выходе фотоприемника (например, фотодиода) необходимо обеспечить необходимые уровни логических сигналов U 1, U 0 соответствующих ИМС (Рисунок 2.8, 2.9).

При напряжении питания E 2 5B уровни цифровых сигналов U 1, U 0 составляют [2, 7]:

где U п.з 3,7 В уровень помехозащищенности КМОП-структуры.

Выбрав по справочнику уровни цифровых сигналов U1, U 0, I1, I 0 для соответствующих ИМС, можно определить величины ограничивающих резисторов R1, R 2, R 3 из следующих уравнений Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 3.6. Расчет блока оптронной развязки типа «токовая петля»

Расчет элементов схемы БОР типа «токовая петля» на основе транзисторной оптопары проводится в следующей последовательности (Рисунок 2.10) 1. Выбирается тип транзисторного оптрона. Генератор тока на транзисторах VT1, VT2 должен сформировать в цепи фотоизлучателя ток управления I вх необходимой величины. Дальнейший расчет проводится для транзисторного оптрона АОТ 123 I вх 20мА (Таблица 3.2).

2. Расчет генератора тока. Выбираются транзисторы VT1, VT2 типа КТ 814А (структура pnp) [5]. Принимаются для расчета значения коэффициентов передачи тока базы транзисторов: 1 2 10.

3. Определяется ток эмиттера I э1 транзистора VT 4. Определяется величина резистора R2 в эмиттерной цепи транзистора VT 5. Определяется мощность Р2 резистора R 6. Определяется базовый ток I б1 транзистора VT 7. Определяется ограничивающий резистор R1 в базовой цепи транзистора VT1 и его мощность P Выбирается по ГОСТ: R1 – ОМЛТ – 0,125 – 6,2к 5 %.

8. Определяется ограничивающий резистор R3 в коллекторной цепи транзистора VT2 и его мощность P3.

Транзистор VT2 создает смещение на базе транзистора VT1. Потенциал коллектора VT2 относительно земли (общего провода ГТ) U k 2 E п1 2 d, а ток базы I б1 транзистора VT1 равен току коллектора транзистора I k 2 VT2: I k 2 I б1. Поскольку резистор R3 одним концом подключен к источнику питания Е п1 12 В, падение напряжения U 3 на резисторе R3 определяется из соотношения (Рисунок 2.10) В результате преобразований определяется величина резистора R Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) 9. Определяется статическое сопротивление rст излучателя оптопары АОТ 10. Определяется сопротивление R4, имитирующее нагрузку ГТ при «отключенной» оптопаре, из условия Определяется мощность P4 резистора R 11. Определяется выходной ток фототранзистора I вых I оп при токе управлек ния I вх 20мА и напряжении коллектор-эмиттер Uкэ = Е2=5В (Таблица 3.2).

12. Определяется величина резистора R5 при напряжении питания фототранзистора Е 2 5В и его мощность P 13. В качестве развязывающих диодов VD1, VD2 выбираются диоды КД512.

В результате расчета выбраны следующие элементы схемы БОР:

Примечание - Расчет БОР для сопряжения с исполнительными устройствами постоянного и переменного тока проводится с учетом их номинальной мощности:

при сопряжении с ДПТ мощность нагрузки соответствует мощности двигателя; при сопряжении исполнительных устройств посредством реле постоянного тока мощность нагрузки соответствует мощности управляющей обмотки реле; при сопряжении АД с помощью динисторной оптопары, либо системы реле – семистор расчет буферного устройства сводится к выбору силовых диодов выпрямителя по величине обратного напряжения и выпрямленного тока.


Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

4. ВАРИАНТЫ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ

ЗАДАНИЕ

Рассчитать и промоделировать в среде «CIRCUITMAKER» блок оптронной развязки (БОР) информационных сигналов в соответствии с индивидуальным заданием. Код варианта индивидуального задания выбирается по двум последним цифрам (ВА) зачетной книжки студента (Таблица 4.1).

Таблица 4.1 - Код индивидуального задания 1. Диодная оптопара – «А»

Генераторный режим фотоприемника – «ВА»

Усилитель мощности на базе операционного усилителя Устройство управления фотоизлучателем – транзисторный ключ Исполнительное устройство - двигатель постоянного тока (ДПТ) – электрические параметры см. Таблица 4.2.

Параметрический режим фотоприемника – «ВА»

Усилитель мощности на базе транзисторных ключей Устройство управления фотоизлучателем – RS- триггер Исполнительное устройство – асинхронный двигатель (АД) – электрические параметры см. Таблица 2.

2. Транзисторная оптопара – «А»

2.1 Режим фотоприемника – инвертор с общим эмиттером – «ВА»

Усилитель мощности на комплементарных транзисторах Устройство управления фотоизлучателем – D – триггер Исполнительное устройство – электромагнитное реле постоянного тока (РПТ) – электрические параметры см. Таблица 2.

2.2 Режим фотоприемника – повторитель с общим коллектором – «ВА»

Усилитель мощности на биполярных транзисторах Устройство управления фотоизлучателем – «Токовая петля»

Исполнительное устройство – электромагнитный коммутатор переменного тока (КПТ) – электрические параметры см. Таблица 2.

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Таблица 4.2 – Электрические параметры нагрузки БОР Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Продолжение таблицы 4. Исполнительные Двигатели постоянного и Электромагнитные коммутаторы Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

5. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

Расчетно-графическое задание выполняется на листах белой бумаги формата Отчет должен содержать следующие разделы.

3. Структурная и электрическая принципиальная схемы БОР (в соответствии с индивидуальным заданием).

4. Расчет параметров принципиальной электрической схемы БОР.

5. Имитационная модель БОР в среде «CIRCUITMAKER» с осциллограммами электрических сигналов в контрольных точках модели.

6. Сравнение результатов теоретического расчета и имитационного моделирования БОР. Расчет относительной погрешности результатов моделирования M по сравнению с теорией T осуществляется по формуле:

8. Приложение – Перечень элементов спроектированной принципиальной электрической схемы БОР (в соответствии с требованиями ЕСКД) [10].

6. ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ

КИСУ компьтерно-интегрированная система управления.

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1 Горошков Б.И. Радиоэлектронные устройства/Б.И. Горошков.- М.: Радио и связь, 2 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Справочник/В.И. Иванов, А. И.

Аксенов, А. М. Юшин - М.: Энергоатомиздат, 1988.- 448 с.

3 Кофлин Р. Операционные усилители и линейные интегральные схемы/Р. Кофлин, Ф. Дрискол.- М.: Мир, 1979.- 360 с.

4 Новиков Ю. В. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC/Ю.В. Новиков, О. А. Калашников, С.Э. Гуляев.- М.: «ЭКОМ», 5 Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/Под ред. Н.Н. Горюнова.-М.: Энергия, 1972.- 568 с.

6 Справочник: Резисторы/Под ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова- М.: Радио и связь, 1987.- 352 с.

7 Степаненко И.И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем/ И.И. Степаненко - М.: Энергия, 1973.- 608 с.

8 Малогабаритная радиоаппаратура: Справочник радиолюбителя/Р.М. Терещук и др.- К.: Наукова думка, 1976.- 561 с.

9 Чернов Е.А. Проектирование станочной электроавтоматики /Е.А. Чернов.- М.:

Машиностроение, 1989.-304 с.

10 Усатенко С.Т. Выполнение электрических схем по ЕСКД: Справочник/С.Т. Усатенко, Т.К. Каченюк, М.В. Терехова. - М.: Издательство стандартов, 1989.- 325 с.

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)

ПРИЛОЖЕНИЕ А.

Таблица А. 1 Варианты сопряжения исполнительных устройств с системой Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) Продолжение таблицы А. Включение индикаторной лампы Включение промежуточного реле с мощной обмоткой управления Управление силовым ключом Включение силового аппарата переменного тока Включение силового аппарата постоянного тока Включение силового аппарата переменного тока Включение силового аппарата постоянного тока Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)



Похожие работы:

«МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ухтинский государственный технический университет (УГТУ) ОЦЕНКА СТОИМОСТИ АВТОМАТИЗИРОВАННЫХ ИНФОРМАЦИОННЫХ СИСТЕМ Методические указания Ухта, УГТУ, 2014 УДК 004:33 (076) ББК 65.29 я7 А 89 Абрамичева, Т. В. А 89 Оценка стоимости автоматизированных информационных систем [Текст] : метод. указания / Т. В. Абрамичева, А. В. Павловская, Е. В. Истомина. – Ухта : УГТУ, 2014. – 56...»

«Государственное учреждение культуры Владимирской области Владимирская областная универсальная научная библиотека им. М. Горького Научно-методический отдел Платные услуги в муниципальных библиотеках Методическое пособие практику Владимир. 2008 г. УДК 024.2 ББК 74.34(2)к94 П 37 П 37 Платные услуги в муниципальных библиотеках: методическое пособие практику /Владим. обл. универсал. науч. б-ка им. М. Горького, Науч-метод. отд.; сост. Н. Г. Ступина.- Владимир, 2008.- 33 с. УДК 024.2 ББК 74.34(2)к ©...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра Лесное хозяйство ВВЕДЕНИЕ В СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальности 250201.65 Лесное хозяйство всех форм обучения Самостоятельное учебное электронное издание...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тихоокеанский государственный университет Дальневосточный юридический институт Кафедра государственно-правовых дисциплин Методические указания по дисциплине Административно - правовая организация управления собственностью для студентов всех форм обучения по специальности 030501.65 Юриспруденция КИМО разработано в соответствии с составом УМКД КИМО разработал: преподаватель...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра информационных систем ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальности 230201 Информационные системы и технологии всех форм обучения...»

«Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра материаловедения и технологии металлов ЛИТЕЙНОЕ ПРОИЗВОДСТВО И ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ ДАВЛЕНИЕМ Методические указания к лабораторным работам по курсу Технология конструкционных материалов для студентов технологических специальностей Минск 2012 УДК 621.74(075.8) ББК 34.61я73 Л64 Рассмотрены и рекомендованы редакционно-издательским советом университета. Составители: Д. В. Куис, П. В. Рудак Рецензент кандидат...»

«А.Б. КОСОЛАПОВ МЕНЕДЖМЕНТ В ТУРИСТИЧЕСКОЙ ФИРМЕ Допущено Советом Учебно методического объединения вузов России по образованию в области менеджмента в качестве учебного пособия по дисциплине специализации специальности Менеджмент организации МОСКВА 2009 УДК 338.48(075.8) ББК 65.433я73 К71 Рецензенты: О.П. Болотина, директор Восточного института, заведующая кафедрой социаль но культурного сервиса и туризма Дальневосточного государственного техничес кого университета, проф., В.И. Бартовщук,...»

«2 3 Оглавление АННОТАЦИЯ ТРЕБОВАНИЯ К ДИСЦИПЛИНЕ 1. 2. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ. 3. ОРГАНИЗАЦИОННО-МЕТОДИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ ДИСЦИПЛИНЫ 4. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ 4.1. СТРУКТУРА ДИСЦИПЛИНЫ 4.2. ТРУДОЁМКОСТЬ МОДУЛЕЙ И МОДУЛЬНЫХ ЕДИНИЦ ДИСЦИПЛИНЫ СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ ДИСЦИПЛИНЫ 4.3. 4.4. ЛАБОРАТОРНЫЕ/ПРАКТИЧЕСКИЕ/СЕМИНАРСКИЕ ЗАНЯТИЯ Перечень вопросов для самостоятельного изучения 4.5.1. 6. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ. 14 6.1. ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА 6.2....»

«Данное методическое пособие разработано в рамках проекта Тасис Европейским Союзом для Новых Независимых Государств КАК РАЗРАБОТАТЬ БИЗНЕС-ПЛАН Введение Краткое описание Бизнес и его общая стратегия Маркетинговый анализ и маркетинговая стратегия • Маркетинговый анализ • Маркетинговая стратегия Производство и эксплуатация • Планы развития • Покупка производственного предприятия и оборудования • План производства и расчет выпуска продукции • Производственные факторы План производства и...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО РЫБОЛОВСТВУ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МУРМАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Библиотека Справочно-библиографический отдел МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ОФОРМЛЕНИЮ НАУЧНЫХ РАБОТ МУРМАНСК 2012 Методические рекомендации по оформлению научных работ / сост.: Грибовская Е. А., Фролова Л. А., Числова М. В. ; Мурман. гос. техн. ун-т, Библиотека, Справочно-библиографический отдел. – Мурманск...»

«О.М. Астафьева Г.А. Горбунова ДЕЛОПРОИЗВОДСТВО Екатеринбург 2010 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОУ ВПО УРАЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЛЕСОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра управления качеством О.М. Астафьева Г.А. Горбунова ДЕЛОПРОИЗВОДСТВО Методические указания к учебной практике студентов I и II курсов очной формы обучения направления 657000 Управление качеством специальности 220501 Управление качеством Екатеринбург Печатается по рекомендации методической комиссии Института качества жизни....»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Каспришин Д.И., Колчин В.С., Томиямо С.К. ТЕХНИЧЕСКАЯ ЭКСПЛУАТАЦИЯ АВТОМОБИЛЕЙ Методические указания по разработке технологических процессов в курсовом и дипломном проектировании для студентов специальности 190601 - Автомобили и автомобильное хозяйство и 190603 - Сервис...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МАМИ Н.Т. Катанаев, Е.М. Паневина Методические указания по выполнению расчетно-графической работы Алгебра логики по дисциплине Информатика Под редакцией зав. кафедрой Информационные технологии в экономике д.т.н., проф. Н. Т. Катанаева Москва 2012 Катанаев Николай Трофимович, профессор, доктор технических наук Паневина Екатерина Михайловна, кандидат экономических наук Методические указания по...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра технологии деревообрабатывающих производств ЛЕСНОЕ ТОВАРОВЕДЕНИЕ С ОСНОВАМИ ДРЕВЕСИНОВЕДЕНИЯ Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов направления бакалавриата 250100 Лесное дело и...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра лесного хозяйства ЗАЩИТА ЛЕСА Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальности 250201.65 Лесное хозяйство всех форм обучения Самостоятельное учебное электронное издание СЫКТЫВКАР 2012...»

«ПРОЕКТИРОВАНИЕ СИСТЕМ АВТОМАТИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Издательство тгту Учебное издание ПРОЕКТИРОВАНИЕ СИСТЕМ АВТОМАТИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Методические указания Составители: ЧУРИКОВ Александр Алексеевич ШИШКИНА Галина Викторовна АНТОНОВА Людмила Львовна Редактор И.А. Д е н и с о в а Технический редактор М.А. Е в с е й ч е в а Инженер по компьютерному макетированию М.А. Ф и л а т о в а Подписано к печати 24.04. Формат 60 84 / 16. Бумага офсетная. Печать офсетная Гарнитура...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра информационных систем ИНФОРМАТИКА Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальности 150405 Машины и оборудование лесного комплекса всех форм обучения Самостоятельное учебное электронное...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С.М. Кирова Кафедра автомобилей и автомобильного хозяйства ОХРАНА ТРУДА НА АВТОМОБИЛЬНОМ ТРАНСПОРТЕ Учебно-методический комплекс по дисциплине для подготовки дипломированных специалистов по направлению 190000 “Транспортные средства”. Специальность...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра информационных систем ИНФОРМАТИКА Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальности 270205 Автомобильные дороги и аэродромы всех форм обучения Самостоятельное учебное электронное издание...»

«РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОТКРЫТЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ 20/43/2 Одобрено кафедрой Вычислительная техника МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ЗАЩИТЫ КОМПЬЮТЕРНОЙ ИНФОРМАЦИИ Задание на контрольную работу с методическими указаниями для студентов V курса специальности 220100 Вычислительные машины, комплексы, системы и сети (ЭВМ) Москва – 2005 1 1. ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ 1.1. Общие требования к выполнению контрольной работы Контрольная работа выполняется на листах формата А4. На титульном...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.