WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Н.П. Белов, А.С. Шерстобитова, А.Д. Яськов

СПЕКТРЫ ИНФРАКРАСНОГО ОТРАЖЕНИЯ

КРИСТАЛЛОВ И ИХ ВЗАИМОСВЯЗЬ

С ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ

ВЕЩЕСТВА

Методические указания по выполнению

курсовой работы

Санкт-Петербург

2013

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ

ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ

Н.П. Белов, А.С. Шерстобитова, А.Д. Яськов

СПЕКТРЫ ИНФРАКРАСНОГО ОТРАЖЕНИЯ

КРИСТАЛЛОВ И ИХ ВЗАИМОСВЯЗЬ

С ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ

ВЕЩЕСТВА

Методические указания по выполнению курсовой работы Санкт-Петербург Белов Н.П., Шерстобитова А.С., Яськов А.Д., Спектры инфракрасного отражения кристаллов и их взаимосвязь с характеристическими параметрами вещества. – СПб: НИУ ИТМО, 2011. – 64 с.

Учебное пособие включает методические указания к выполнению курсовой работы. Приводятся основные теоретические положения, задания на курсовую работу, а также рекомендации по ее выполнению.

Методические указания предназначены для студентов ИФФ, обучающихся по направлениям: 140400 «Техническая физика», 200201 «Лазерная техника и лазерные технологии», специальности 200201.65. «Твердотельная оптоэлектроника».

Рекомендовано к печати решением ученого Совета ИФФ СПб НИУ ИТМО, протокол № 6 от 11 июня 2013 г.

В 2009 году Университет стал победителем многоэтапного конкурса, в результате которого определены 12 ведущих университетов России, которым присвоена категория «Национальный исследовательский университет». Министерством образования и науки Российской Федерации была утверждена программа его развития на 2009–2018 годы. В 2011 году Университет получил наименование «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики»





Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Белов Н. П., Шерстобитова А. С., Яськов А. Д., I. Введение Инфракрасная оптическая спектроскопия является мощным средством определения характеристических параметров электронных и колебательных состояний кристаллов. Особенности спектров отражения кристаллов в ближней и средней инфракрасной области спектра чаще всего обусловлены взаимодействием излучения с колебаниями атомов кристаллической решетки фононами, а также, когда концентрации свободных носителей заряда в кристаллах достаточно велики, – взаимодействием излучения с плазменными колебаниями свободных электронов (плазмонами).

По спектрам колебательного отражения могут быть определены частоты длинноволновых колебаний атомов кристалла 0 (энергии фононов 0 ), постоянная затухания этих колебаний (время жизни ), высокочастотная и низкочастотная фононов диэлектрическая проницаемости, определяемые соответственно вкладом в поляризуемость кристалла связанных электронов, а также суммарным вкладом связанных электронов и фононов.

По спектрам плазменного отражения могут быть определены частота плазменных колебаний свободных электронов:

1/ Ne где N – концентрация свободных электронов, e – заряд электрона, m – эффективная масса, 0 – электрическая постоянная.

Цель курсовой работы состоит в определении перечисленных характеристических параметров по прилагаемым в настоящем задании спектрам решеточного или плазменного отражения (в работе предлагается один из видов этих спектров).

II. Основные теоретические положения Коэффициент отражения света при нормальном падении излучения на границу раздела «вакуум-поглощающая среда» может быть представлен выражением:

показатель преломления и комплексная диэлектрическая проницаемость; n – показатель преломления; k – показатель поглощения; 1 и 2 – вещественная и мнимая части диэлектрической проницаемости.

Взаимосвязь между n и k с одной стороны, а также 1 и 2 с другой дается соотношением:

2 2nk.

В кристаллах с ионной химической связью, содержащих два атома в элементарной ячейке, взаимодействие электромагнитных волн с кристаллической решеткой в области однофононного резонанса хорошо описывается моделью одного эквивалентного осциллятора. Собственная частота эквивалентного осциллятора соответствует частоте длинноволнового поперечного TO фонона 0 TO, его постоянная затухания определяется временем жизни ТО (Г) фононов, а амплитуда – вкладом колебаний кристаллической решетки в поляризуемость кристалла 0. Частотная зависимость 1 и 2 (как n и k) в модели одного эквивалентного осциллятора дается выражением:

Выражения (2), (4) и (5) используются для нахождения параметров, 0 и по экспериментально измеренному спектру отражения 1.

Частотная зависимость величин 1 (), 2 () и R (), определяемая выражениями (2), (4) и (5) в области однофононного резонанса, изображена графически на рис. 1.

Рис. 1 Зависимости 1 (), 2 () и R () от длины волны ( 0 = 15; = 12;

Из рассмотренных выражений и рис. 1 следует, что значение коэффициента отражения R в коротковолновой области спектра (вдали от 0 ) определяется, в основном, ; соответствующее значение R в длинноволновой области спектра зависит, в основном, от 0.





Длинноволновый край полосы отражения соответствует частоте 0.

Ширина полосы отражения определяется из соотношения Лидлена-СаксаТеллера:

где частота 1 соответствует коротковолновому краю полосы отражения и довольно близка к частоте продольного длинноволнового (q = 0) оптического фонона: 1 ( r ).

Рассмотренные данные по величинам длинноволнового и коротковолнового коэффициентов отражения, положению и ширине полосы отражения необходимо использовать при выборе начальных приближений для численного поиска параметров, 0 и.

В кристаллах, содержащих свободные носители заряда (полупроводниках или металлах), для области плазменного резонанса частотная зависимость вещественной и мнимой частей диэлектрической проницаемости ( 1 и 2 ) или показателя преломления и показателя поглощения (n и k) имеют вид:

где диэлектрическая проницаемость может иметь смысл или 0 в зависимости от положения плазменного края (в коротковолновой или длинноволновой области по отношению к полосе решеточного отражения при 0 ), p – плазменная частота свободных носителей заряда, – время релаксации плазменных колебаний (соизмеримое с временем жизни свободных носителей), а – подвижность свободных носителей.

Выражения (2), (7) и (8) используются для нахождения параметров, p и по экспериментально измеренному спектру отражения R ().

Вид спектров 1, 2 и R, определяемый выражениями (2), (7) и (8), изображен на рис. 2.

Рис. 2 Зависимости 1 (), 2 () и R () от длины волны ( =15, p = Из рассмотренных выше выражений и рис. 2 следует, что значение коэффициента отражения R в коротковолновой области спектра (вдали от p ) определяется, в основном, параметром, положение плазменного края (частота, соответствующая быстрому возрастанию R с увеличением ) соответствует плазменной частоте p, а крутизна края плазменного отражения, а также степень отклонения от R = 0 в области минимума и R = 1 в области длинных волн зависят от параметра.

Рассмотренные данные по значениям R в области коротких и длинных волн, а также положению и крутизне края плазменного отражения необходимо использовать для выбора начальных приближений при численном анализе параметров, p и.

Минимальная энергия, необходимая для «разрыва» собственных валентных связей в кристалле, составляет ширину его запрещенной зоны Еg. Для определения ширины запрещенной зоны можно измерять спектры пропускания плоскопараллельных пластинок, изготовленных из исследуемого кристалла:

где T – коэффициент пропускания исследуемой пластины, – коэффициент поглощения, x – толщина пластины.

Показатель поглощения связан с коэффициентом поглощения следующим выражением:

Вид спектров пропускания и поглощения для кристалла с шириной запрещенной зоны Еg = 2.81 эВ показан на рис. 3.

Граница перехода от области «прозрачности» к области собственного поглощения называется краем собственного поглощения.

Форма края собственного поглощения определяется строением энергетических зон. Две различные ситуации при формировании края собственного поглощения изображены на рисунке 4 (а, б), где показаны зонные диаграммы зависимости энергии электрона E на уровнях валентной зоны и зоны проводимости от волнового числа q для полупроводников с прямой и непрямой структурами энергетических зон. На этом рисунке – энергия кванта света, – энергия колебаний кристаллической решетки, En – энергия свободного электрона в зоне проводимости; Ep – энергия свободной дырки в валентной зоне; qn – волновое число свободного электрона в зоне проводимости; qр – волновое число свободной дырки в валентной зоне.

Рис. 3 Спектры пропускания T( ) и поглощения ( ) для кристалла с Рис. 4 Зонные диаграммы для полупроводников с прямой (а) и непрямой (б) Зависимость коэффициента поглощения от энергии квантов света в полупроводниках с прямой структурой энергетических зон имеет вид:

где А – постоянная.

Зависимость коэффициента поглощения от энергии квантов света в полупроводниках с непрямой структурой энергетических зон имеет вид:

где B – постоянная.

III. Задание на курсовую работу Получить распечатки спектров решеточного или плазменного отражения R(), а также спектра пропускания T( ).

Определить для каждого из прилагаемых спектров параметры, 0, 0 и в случае решеточного отражения или параметры, p и в случае плазменного отражения. Найти также m, предполагая N = 1018 см-1.

По спектру пропускания определить значение ширины запрещенной зоны Еg.

Произвести расчеты спектров решеточного или плазменного отражения, а также спектра поглощения ( ) для кристалла с прямой структурой энергетических зон. Изобразить рассчитанные зависимости R() IV. Рекомендации по выполнению курсовой работы На рис. 5 показано положение параметров, 0, R, R0 и 0.

Рис. 5 Зависимости 1, 2 и R от приведенной частоты / Расчет значений 0 и производится по формулам:

Вещественная 1 и мнимая 2 части комплексной диэлектрической проницаемости определяются по (4) и (5).

Коэффициент отражения для амплитуды и интенсивности задаются выражениями соответственно:

На рис. 6 показано положение параметров, R и p.

Расчет значения производится по формуле (14). Вещественная и мнимая 2 части комплексной диэлектрической проницаемости определяются по (7) и (8). Коэффициент отражения для амплитуды и интенсивности задаются выражениями (15) и (16). По формуле (1) найти значение эффективной массы m.

По спектру T( ) найти значение ширины запрещенной зоны Еg.

Используя выражение (11), построить зависимость ( ) для кристалла с прямой структурой энергетических зон.

По данным T( ) рассчитать спектр поглощения:

Установить область энергий квантов, где спектральная зависимость коэффициента поглощения имеет наибольшую скорость изменения, и провести в этой области линейную интерполяцию зависимости () (рис. 7). По данным линейной интерполяции найти ширину запрещенной зоны Еg и найденное значение сравнить с величиной, определенной по спектру T( ).

Рис. 6 Зависимости и R от частоты при различных концентрациях N Рис. 7 Определение ширины запрещенной зоны Еg по спектру поглощения Расчет спектров решеточного отражения, используя математический пакет MATLAB Задание значений коэффициентов отражения в длинноволновой и коротковолновой областях спектра:

R0;

Задание длины волны, соответствующей частоте 0 :

l0;

Задание значения постоянной затухания:

Задание диапазона длин волн:

Расчет низкочастотной диэлектрической проницаемости:

e0=((sqrt(R0)+1)/(1-sqrt(R0)))^2;

Расчет высокочастотной диэлектрической проницаемости:

e=((sqrt(R)+1)/(1-sqrt(R)))^2;

Расчет диапазона частот:

w=2*pi*3e14./l;

Расчет частоты 0 :

w0=2*pi*3e14./l0;

Расчет вещественной части диэлектрической проницаемости:

e1=e+(e0-e).*(1-(w./w0).^2)./(((1-(w./w0).^2).^2)+ (w./w0).^2.*(g./w0).^2);

Расчет мнимой части диэлектрической проницаемости:

e2=(e0-e).*(g./w0).*(w./w0)./(((1-(w./w0).^2).^2)+ (w./w0).^2.*(g./w0).^2);

Определение комплексной диэлектрической проницаемости:

e=e1-i*e2;

Расчет коэффициента отражения для амплитуды:

r=(sqrt(e)-1)./(sqrt(e)+1);

Расчет коэффициента отражения для интенсивности:

R=abs(r).^2;

Построение зависимости коэффициента отражения от длины волны:

plot(l,R);

Построение зависимостей вещественной и мнимой частей диэлектрической проницаемости от длины волны:

plot(l,e1,l,e2);

Расчет спектров плазменного отражения, используя VI.

математический пакет MATLAB Задание значения высокочастотной диэлектрической проницаемости:

Задание значения постоянной затухания:

Задание значения концентрации свободных электронов:

Задание значения заряда электрона:

Задание значения эффективной массы:

Задание значения электрической постоянной:

e0;

Задание диапазона длин волн:

Расчет диапазона частот:

w=2*pi*3e14./l;

Расчет плазменной частоты:

wp=sqrt(N*q^2/(m*e*e0));

Расчет вещественной части диэлектрической проницаемости:

e1=e.*(1-((wp/g)^2)./((w./g).^2+1));

Расчет мнимой части диэлектрической проницаемости:

e2=(e./w).*g.*(((wp/g)^2)./((w./g).^2+1));

Расчет комплексной диэлектрической проницаемости:

e=e1-i*e2;

Расчет коэффициента отражения для амплитуды:

r=(sqrt(e)-1)./(sqrt(e)+1);

Расчет коэффициента отражения для интенсивности:

R=abs(r).^2;

Построение зависимости коэффициента отражения от длины волны:

plot(l,R);

Построение зависимостей вещественной и мнимой частей диэлектрической проницаемости от длины волны:

plot(l,e1,l,e2);

VII. Примеры заданий к расчету курсовой работы 1. Укажите, какое условие определяет зону Бриллюэна для линейной цепочки атомов из N атомов с постоянной кристаллической рештки a ?

2. На каком из приведнных ниже рисунков изображены схематически оптические колебания атомов?

3. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость групповой скорости акустических волн от волнового числа в линейной цепочке атомов?

4. На рисунке изображн спектр отражения кристалла в области «колебательной» полосы. Какую из величин определяет коэффициент отражения при 0 ?

а) статическую;

б) оптическую;

в) ТО – частоту колебаний атомов;

г) ТО – время затухания колебаний.

5. Какому из отмеченных на графике зависимости (q) значению частоты соответствует температура Дебая для акустических колебаний?

а) 1 ;

6. Укажите, какой из графиков определяет зависимость (q) для акустических колебаний атомов кристалла?

7. Каким соотношением устанавливается объм зоны Бриллюэна для простого кубического кристалла, содержащего N элементарных ячеек с постоянной кристаллической рештки a ?

8. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость удельной тепломкости кристалла от температуры в области высоких температур?

9. Какой из пяти особенностей, отмеченных на спектре отражения кристалла в области колебательной полосы, отвечает частота продольных оптических колебаний?

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5.

10. Сколько различных типов акустических колебаний имеется в кристалле, содержащем N элементарных ячеек по S атомов в каждой?

а) 3SN;

б) 3S – 3;

в) 3(S – 3);

г) 3;

д) 3S;

е) 3N.

11. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость плотности колебательных состояний от частоты в модели Дебая?

12. Какой из приведнных ниже рисунков схематически изображает акустические колебания атомов кристалла?

13. Каким соотношением определяется наименьший объм пространства, приходящийся на одно колебательное состояние в простом кубическом кристалле из N элементарных ячеек с постоянной кристаллической рештки a ?

14. Какой из приведнных ниже графиков описывает дисперсию колебаний в линейной одноатомной цепочке?

15. Какая из особенностей спектра отражения кристалла в области колебательной полосы определяет частоту длинноволновых поперечных оптических колебаний?

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5.

16. Какой из графиков изображает зависимость удельной тепломкости кристалла от температуры в области низких температур?

17. Какой из графиков изображает дисперсионные зависимости колебательных частот в линейной двухатомной цепочке?

18. Какие из изображнных ниже плоских моделей кристаллов являются простыми?

19. Какое число различных типов акустических колебаний имеется у кристалла, содержащего 3 атома в элементарной ячейке?

а) 1;

б) 3;

в) 4;

г) 5;

д) 6;

е) 9.

20. Какая из пяти отмеченных особенностей спектра отражения кристалла в области колебательной полосы определяет оптическую диэлектрическую проницаемость?

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5.

21. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость фазовой скорости от волнового числа для акустических колебаний?

22. Какое число поперечных оптических типов колебаний имеется в объмном кристалле с S = 3 атомами в элементарной ячейке?

23. Какой вид имеет зависимость (q) для оптических колебаний?

24. Какая из пяти отмеченных особенностей спектра отражения кристалла в области колебательной полосы определяет частоту продольных длинноволновых оптических фононов?

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5.

25. Сколько различных типов акустических и оптических колебаний имеется в объмном кристалле, содержащем S = 4 атома в элементарной ячейке?

а) 4, 8;

б) 6, 9;

в) 3, 9;

г) 8, 12;

д) 2, 4;

е) 3, 6.

С какими нормальными колебаниями взаимодействует 26.

электромагнитное излучение?

в) ТО(0);

г) LO(0);

е) ТА(0).

27. Какая из пяти отмеченных на приведнном ниже спектре отражения кристалла в области колебательной полосы определяет длинноволновую диэлектрическую проницаемость?

а)1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5.

28. Каким из приведнных ниже соотношений определяется размер зоны Бриллюэна, приходящийся на одно колебательное состояние в линейной цепочке из N атомов с постоянной кристаллической рештки a ?

29. Каким из приведнных ниже графиков изображается зависимость удельной тепломкости кристалла от температуры?

30. Какой параметр кристалла определяет особенность, отмеченная на приведнном ниже спектре отражения в области однофононной колебательной полосы?

в) (ТО) ;

31. Сколько различных типов оптических колебаний имеется в объмном кристалле с S = 6 атомами в элементарной ячейке?

а) 2;

б) 3;

в) 9;

г) 15;

д) 17;

е) 20.

32. Каким из приведнных ниже выражений определяется оператор кинетической энергии электронов в кристалле?

33. Какому из приведнных ниже условий удовлетворяет амплитуда функции Блоха f k (r ) Ae ikr ?

34. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость Е( k ) для s-зон?

35. На рисунке изображена зависимость Е( k ) для электронов с тремя различными эффективными массами в кристалле. Какому условию удовлетворяют эффективные массы?

г) m3 m2 m1* ;

д) m2 m1* m3 ;

ж) m3 m2 m1*.

36. На рисунке приведн спектр плазменного отражения кристалла. Какой параметр кристалла характеризует особенность, отмеченная цифрой «2»?

г) m ;

д) N.

37. На рисунке приведены спектры плазменного отражения кристалла с одинаковой эффективной массой свободных носителей заряда. Какому из приведнных ниже условий удовлетворяет концентрация свободных носителей?

а) N1 = N2 = N3;

б) N1 N2 N3;

в) N1 N2 N3;

г) N2 N1 N3.

38. Какое число подуровней будет иметь энергетическая зона в простом кристалле, образованном из N атомов, имеющих в изолированном состоянии двукратно вырожденный уровень?

39. Какой из графиков изображает зависимость квантово-механической скорости электрона, находящегося в s-зоне кристалла?

40. На рисунке приведено сечение эллипсоида постоянной энергии плоскостью kz = 0. Какому из приведнных ниже условий удовлетворяют компоненты тензора обратной эффективной массы?

а) mxx m ;

б) mxx m ;

г) mxx m mzz.

41. Какой из графиков изображает зависимость Е( k ) для свободных электронов?

42. Какая из особенностей, обозначенных на спектре плазменного отражения, определяет плазменную частоту?

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4.

43. Какой из приведнных ниже графиков изображает зависимость Е( k ) для р-зон?

44. Какой из приведнных ниже графиков иллюстрирует формирование энергетических зон в полупроводниках А4?

45. На рисунке изображн эллипсоид постоянной энергии E (k ) = const.

Какому из приведнных ниже соотношений удовлетворяют эффективные массы вдоль главных осей?

а) mxx m mzz ;

б) mxx m mzz ;

в) mxx m mzz ;

г) m mxx mzz ;

д) mzz mxx m ;

46. Какой из приведнных ниже рисунков иллюстрирует возбужднные состояния водородоподобной примеси E Ec ?

47. На рисунке приведены спектры плазменного отражения кристалла с одинаковой концентрацией свободных носителей заряда. Какому соотношению удовлетворяют эффективные массы?

г) m2 m1* m3 ;

д) m3 m1* m2 ;

е) m3 m1* m2.

48. На графике изображены спектры плазменного отражения кристалла с различной концентрацией свободных носителей заряда. Какому соотношению удовлетворяют диэлектрические проницаемости, если m const ?

г) условия несовместимы.

49. В каком соотношении находятся эффективные массы электронов для простой параболической зоны, для трх приведнных на графике зависимостей E (k ) ?

г) m3 m2 m1* ;

д) m2 m1* m3 ;

ж) m3 m2 m1*.

50. На рисунке изображн эллипсоид постоянной эффективной массы. В каком из обозначенных направлений эффективная масса наименьшая?

а) I;

б) II;

в) III;

г) IV;

д) V.

51. Какой из приведнных ниже графиков изображает образование энергетических зон в диэлектрике?

52. Какой параметр кристалла характеризует особенность «3» на спектре плазменного отражения?

53. Эллипсоид обратной эффективной массы представляет собой эллипсоид вращения вокруг оси Z. В каком соотношении находятся эффективные массы ?

1. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. – М.: Мир, 1988. – 608 с.

2. Василевский А. С. Физика твердого тела. – М.: Дрофа, 2010. – 210 с.

3. Физика твердого тела / И. К. Верещагин, С. М. Кокин, В. А. Никитенко и др. – М.: Высшая школа, 2001. – 237 с.

4. Гинзбург И. Ф. Введение в физику твердого тела. – СПб: Лань, 2007. – 544 с.

5. Епифанов Г. И. Физика твердого тела. – СПб: Лань, 2010. – 287 с.

6. Зиненко В. И., Сорокин Б. П., Турчин П. П. Основы физики тврдого тела. – М.: Физматлит, 2000. – 332 с.

7. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. – М.: Наука, 1978. – 789 с.

8. Маделунг О. Теория твердого тела. – М.: Наука, 1980. – 410 с.

9. Матухин В. Л., Ермаков В. Л. Физика твердого тела. – СПб: Лань, 2010.

– 218 с.

10. Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 2000. – 497 с.

11. Шалимова К. В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 399 с.

I. Введение

II. Основные теоретические положения

III. Задание на курсовую работу

IV. Рекомендации по выполнению курсовой работы

математический пакет MATLAB

VI.

математический пакет MATLAB

VII. Примеры заданий к расчету курсовой работы

Список литературы

В 2009 году Университет стал победителем многоэтапного конкурса, в результате которого определены 12 ведущих университетов России, которым присвоена категория «Национальный исследовательский университет». Министерством образования и науки Российской Федерации была утверждена программа его развития на 2009–2018 годы. В 2011 году Университет получил наименование «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики»

КАФЕДРА ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра организована в 1988 году, в период активного развития оптоэлектроники как компонентной базы высокоскоростных систем передачи и обработки информации и ее выделения в самостоятельную область науки, техники и производства.

Специалисты кафедры обладают большим опытом научной, преподавательской и производственной деятельности, кафедра имеет оснащенные учебные и научные лаборатории.

Выпускники кафедры получают специальную подготовку по прикладной и физической оптике, физике твердого тела, полупроводниковой оптической технике, оптическим методам передачи и обработки информации, оптикофизическим измерениям, лазерной технике, волоконной и интегральной оптике, электронике, компьютерным технике и технологиям, оптикоэлектронным средствам массовой информации, экологии, иностранному языку, экономике, менеджменту и другим.

Шерстобитова Александра Сергеевна Спектры инфракрасного отражения кристаллов и их взаимосвязь с характеристическими Методические указания по выполнению курсовой работы В авторской редакции Редакционно-издательский отдел НИУ ИТМО Лицензия ИД № 00408 от 05.11. Подписано к печати Заказ № Тираж 100 экз.

Отпечатано на ризографе Редакционно-издательский отдел Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр.,

 
Похожие работы:

«АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ Минск БГТУ 2012 1 Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ Рекомендовано учебно-методическим объединением высших учебных заведений Республики Беларусь по химико-технологическому образованию в качестве учебно-методического пособия по дисциплинам Аналитическая химия и Аналитическая химия и физико-химические методы анализа для студентов химико-технологических специальностей...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Национальный исследовательский университет Учебно-научный и инновационный комплекс Исследовательская школа по лазерной физике Бакунов М.И. Царев М.В. Горелов С.Д. ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОЕ СТРОБИРОВАНИЕ Электронное методическое пособие Блок мероприятий 2. Повышение эффективности научно-инновационной деятельности Учебная дисциплина: Генерация и регистрация терагерцового излучения...»

«Книги с приложением CD-ROM (естественно-научные, медицина, экономика) 53 А 333 Федорова В.Н. Медицинская и биологическая физика. Курс лекций с задачами : учебное пособие / В.Н. Федорова, Е.В. Фаустов. – Москва : ГЭОТАР-Медиа, 2010. - 592 с. + 1 CD-Rom. 54 (035) К 836 Кротов Ю.А. Предельно допустимые концентрации химических веществ в окружающей среде : справочник / Ю.А. Кротов. - 2-е изд., доп. – Санкт-Петербург : Профессионал, 2003. - 430 с. + 1 CD-Rom. 575 (07) О 28 Общая генетика :...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (ГОУ ВПО ИГУ) КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ Н.А. Иванов Полупроводниковые инжекционные лазеры Методические указания Иркутск 2005 1 PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com Печатается по решению учебно-методического совета ГОУ ВПО Иркутского государственного университета Рецензент: Доктор физ.-мат. наук,...»

«ПРИОРИТЕТНЫЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ ОБРАЗОВАНИЕ РОССИЙСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ДРУЖБЫ НАРОДОВ Л.Е. РОССОВСКИЙ, Е.М. ВАРФОЛОМЕЕВ ФУНКЦИОНАЛЬНО-ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УРАВНЕНИЯ И ИХ ПРИЛОЖЕНИЯ К ИССЛЕДОВАНИЮ НЕЙРОННЫХ СЕТЕЙ И ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ НЕЛИНЕЙНЫМИ ЛАЗЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ Учебное пособие Москва 2008 Инновационная образовательная программа Российского университета дружбы народов Создание комплекса инновационных образовательных программ и формирование инновационной образовательной среды,...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тверской государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан биологического факультета _ С.М. Дементьева 2012 г. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС по дисциплине ПРИРОДНО-ЗАВОЕДНЫЙ ФОНД для студентов 4 курса очной формы обучения специальность 020801.65 ЭКОЛОГИЯ Обсуждено на заседании кафедры 2012 г. Протокол № _ Зав. кафедрой физико-химических методов биоорганических...»

«Белорусский государственный университет Химический факультет Кафедра физической химии Л.А.Мечковский Л.М.Володкович Развернутая программа дисциплины “Физическая химия” с контрольными вопросами и заданиями Учебно-методическое пособие для студентов химического факультета специальности Н 03.01.00—химия Минск 2004 1 УДК. ББК. Рецензенты Кандидат химических наук доцент Г.С. Петров Кандидат химических наук доцент А.Ф. Полуян Мечковский Л.А., Володкович Л.М. Развернутая программа дисциплины...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральский государственный университет им. А.М. Горького ИОНЦ Экология и природопользование Химический_факультет Кафедра аналитической химии МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ОБЪЕКТОВ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ ЕКАТЕРИНБУРГ 2008 Первичная цель, которой необходимо руководствоваться при исследовании веществ - тех, что окружают человека, и тех,...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра целлюлозно-бумажного производства, лесохимии и промышленной экологии АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ И ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА Учебно-методический комплекс по дисциплине для подготовки дипломированного...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ухтинский государственный технический университет Сборник лабораторных работ по дисциплинам: Геофизические исследования скважин и Промысловая геофизика Часть II Методические указания для студентов специальностей 130201 Геофизические методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых 130304 Геология нефти и газа 130503 Разработка и эксплуатация нефтяных и газовых...»

«Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ Ю.И. Тюрин 2002 г. ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОЕМКОСТИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ МОСТОВЫМ МЕТОДОМ Методические указания к выполнению лабораторной работы Э-06 по курсу Общая физика для студентов всех специальностей Томск 2002 1 УДК 53.01 Измерение электроемкости и диэлектрической проницаемости мостовым методом. Методические указания к выполнению...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра целлюлозно-бумажного производства, лесохимии и промышленной экологии АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ И ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов направления бакалавриата...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФГАОУ ВПО УрФУ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина В.Н. Мальцев ОПТИКА. КОНСПЕКТЫ ЛЕКЦИЙ Учебно-методическое обеспечение модуля Общая физика. Дисциплина Оптика Учебное электронное текстовое издание Подготовлено кафедрой Общей и молекулярной физики Конспекты лекций, читаемых по дисциплине Оптика в рамках модуля Общая физика, для студентов второго года дневной формы обучения по направлениям бакалавриата 011200 – Физика; 011800 –...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра теоретической и экспериментальной физики УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ Методические указания к выполнению лабораторной работы Э-09 по курсу Общей физики для студентов всех специальностей Томск 2005 УДК 53.01 Изучение температурной...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ухтинский государственный технический университет Сборник лабораторных работ по дисциплинам: Геофизические исследования скважин и Промысловая геофизика Часть I Методические указания для студентов специальностей 130201 Геофизические методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых, 130304 Геология нефти и газа, 130503 Разработка и эксплуатация нефтяных и газовых...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОУ ВПО АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА для студентов очной формы обучения по направлению 010701.68 Физика Барнаул 2007 1 Нелинейная физика: Учебно-методический комплекс дисциплины / Сост.: д.ф.-м.н., профессор Сагалаков А.М. - Барнаул, 2007. – 31 с. Рецензент: Учебно-методический комплекс составлен в соответствии с требованиями...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С.М. Кирова Кафедра физики ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов специальностей 230201 Информационные системы и технологии, 220301 Автоматизация технологических процессов и...»

«Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова– Ленина ВВЕДЕНИЕ В ЭЛЕКТРОРАЗВЕДКУ Учебно-методическое пособие для слушателей курсов повышения квалификации специальности Геофизика по программе Методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых в промысловой и разведочной геофизике Казань 2009 Печатается по решению Редакционно-издательского совета ГОУ ВПО Казанский государственный университет им....»

«СЫКТЫВКАРСКИЙ ЛЕСНОЙ ИНСТИТУТ КАФЕДРА ВЫСШЕЙ МАТЕМАТИКИ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА СТУДЕНТОВ Методические указания для подготовки дипломированных специалистов по направлению 654700 Информационные системы специальности 230201 Информационные системы и технологии СЫКТЫВКАР 2007 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ СЫКТЫВКАРСКИЙ ЛЕСНОЙ ИНСТИТУТ – ФИЛИАЛ ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ...»

«Федеральное агентство по образованию АМУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГОУВПО АмГУ УТВЕРЖДАЮ И.о. зав.кафедрой ТиЭФ Е.А. Ванина _2007г. ИСТОРИЯ И МЕТОДОЛОГИЯ ФИЗИКИ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ПО ДИСЦИПЛИНЕ для специальности 010701 – Физика Составитель: Е.А. Ванина Благовещенск 2007 г. Печатается по решению редакционно-издательского совета инженерно-физического факультета Амурского государственного университета Е.А. Ванина Учебно-методический комплекс по дисциплине История и методология...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.