WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |

«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра электронных приборов (ЭП) Орликов Л.Н. ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Учебное пособие ...»

-- [ Страница 1 ] --

Федеральное агентство по образованию

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ

И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра электронных приборов (ЭП)

Орликов Л.Н.

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ И ИЗДЕЛИЙ

ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Учебное пособие 2006 Учебное пособие рассмотрено и рекомендовано к изданию методическим советом кафедры электронные приборы ТУСУР _2006 г.

Развитие научно-технического прогресса поставило задачу резкого усложнения техники и технологии на базе применения ЭВМ. Большинство явлений, реализуемых в производстве невозможно без знаний технологии материалов и изделий электронной техники.

В книге рассмотрены следующие вопросы:

1) физико-химические основы технологических процессов в производстве материалов и изделий электронной техники;

2) кинетические, диффузионные и поверхностные явления и межфазные взаимодействия в технологических процессах;

3) физические основы вакуумной, ионно-плазменной, электронно-лучевой и лазерной технологии;

4) основы технологии изготовления приборов и устройств вакуумной, плазменной, твердотельной и микроэлектроники;

5) автоматизация процессов производства электронных приборов и устройств;

6) эксплуатация и сервисное обслуживание технологического оборудования.

Автор выражает искреннюю благодарность коллегам – сотрудникам кафедры «Электронные приборы» ТУСУРа, сотрудникам кафедры «Электронные приборы» НГТУ за большую помощь в работе.

Автор будет благодарен за все замечания по содержанию издания, которые следует направлять по адресу издательства.

1. Введение Любая технология производства материалов и изделий характеризуется определенными физическими, химическими и экономическими закономерностями. В итоге исходные материалы и полуфабрикаты преобразуются в сложные изделия, выполняющие различные радио - опто - или акустоэлектронные функции.

Под физико-технологическими основами технологических процессов понимается изменение параметров материалов, приводящее к изготовлению того или иного изделия. Технологические процессы связаны с изменением физических и химических свойств поверхности (механическая или химическая очистка), или с изменением состояния материала (переход в жидкую фазу – плавление, в газообразную – испарение). Свойства электронных приборов зависят от того, какие процессы проводились при их изготовлении. Основными параметрами процессов является температура, давление концентрация вещества.





Изменение физических свойств вещества (температуры, давления, или концентрации), связано с изменением химических свойств (межмолекулярных связей, хемосорбции, и др.) по определенным закономерностям.

К основным технологическим процессам производства материалов и изделий электронной техники относятся:

1) получение материалов;

2) подготовка материалов к операциям (очистка материалов, газов и воды);

3) перевод материалов в жидкую, газовую или ионно-плазменную фазу (испарение);

4) формирование пленок и покрытий из жидкой, газовой или ионно-плазменной фаз;

5) травление материалов; литографические процессы;

6) формирование газовой среды, в которой проводится процесс.

Уровень понимания природы этих процессов, разработка последовательности технологических операций, что и когда делать с материалами, определяет способы их осуществления и рентабельность производства в целом.

.1.1. Общая характеристика технологических процессов 1.1.1. Типовой технологический процесс Под технологическим процессом понимается часть производственного процесса, во время которого происходит непосредственное, изменение состояния продукта производства (материала, детали, электронного прибора). Под производственным процессом понимается группа технологических процессов, участвующих в изготовлении продукта, группа заготовительных операций, процесс сборки, транспортировка. Трудно выделить процессы, которые однозначно можно отнести к чисто физическим (адсорбция, диффузия, тепло – массоперенос и др.), или чисто химическим (хемосорбция, реактивная диффузия, химикокинетические механизмы захвата частиц и др.).

В зависимости от характера изготавливаемых изделий и производственной программы различают единичное, серийное и массовое производство.

Единичное производство характеризуется небольшим количеством изготавливаемых изделий. Это экспериментальные образцы отдельных изделий, чертежи которых, как правило, не повторяются. Примером единичного производства может быть изготовление источников электронов или ионов, уникальных приборов или нестандартного оборудования.

Серийное производство характеризуется изготовлением партий изделий в течение календарного промежутка времени. При серийном производстве широко применяется универсальное, специальное и автоматизированное оборудование. Примером серийного производства может служить производство серий некоторых типов электронных приборов и интегральных схем.

Массовое производство характеризуется изготовлением большого количества изделий определенной конструкции в течение длительного времени.





Примером массового производства может быть производство осветительных ламп на электроламповом заводе.

Типовой технологический процесс предполагает следующие операции:

составление последовательности технологических операций;

выбор оборудования и инструментов;

конструкторский анализ чертежей на технологичность, условие сборки, ремонтоспособность;

разработка маршрута обработки на отдельных видах оборудования;

анализ кадрового состава;

составление отчетных документов с соблюдением ГОСТ.

Типовой технологический процесс предполагает классификацию деталей, узлов, инструментов, материалов и операций. В последнее время классификация производится по международным стандартам с применением компьютерной техники. При разработке технологического процесса следует устанавливать оптимальные режимы изготовления изделий. В случае перевыполнения плана более чем на 10-15%, норма выработки считается технически не обоснованной.

Схема построения большинства технологических процессов одинакова.

Проектирование технологического процесса ставит своей целью получение высококачественных изделий при высокой производительности. Исходными материалами для проектирования являются техническое описание изделия, библиотеки баз данных на инструмент и материалы, договор на освоение изделий, бизнес план на реализацию изделий.

1.1.2. Правила оформления документов для технологических процессов Разработанный технологический процесс фиксируется в специальных технологических документах. Внесение изменений в документы разрешается только в соответствии с порядком, установленным на предприятии. Содержание документов определяется стандартами (ГОСТ). Основное требование ГОСТ – понятливость. ГОСТ не распространяется на документы демонстрационного и пояснительного характера. Основными документами технологии являются:

технологический проект, технологическая карта, маршрутная карта, операционная карта, конструкторская документация (чертежи).

Технологический проект – это документ, в котором описывается суть решаемой проблемы, ее состояние на сегодняшний день; предлагаемые пути решения, данные об исполнителях, сведения об оборудовании, сроки выполнения работ, необходимое финансирование, рынки сбыта продукции.

Технологическая карта – это документ для финансирования проекта. В этом документе описываются сумма необходимых операций, оборудования, рабочих мест.

Маршрутная карта - это документ, в котором описывается последовательность всех технологических операций по изготовлению изделия от заготовки до выходного контроля. Карта тяготеет к экономическим показателям (норма времени, стоимость работы, амортизация оборудования и т.д.) и является предметом оптимизации планово-экономического отдела предприятия.

Операционная карта составляется на выполнение каждой операции технологического процесса. В ней указываются режимы и времена их выполнения, переходы и связи между операциями. Карта может состоять из нескольких каналов и включать в себя подготовительные операции, монтажные, вакуумные, напылительные, контролирующие и т.д. В последнее время составлению операционных карт производится с помощью компьютерной техники. Для ответственных деталей составляются специальные сопроводительные листы с указанием даты и фамилии конкретного исполнителя.

Получение качественных изделий электронной техники зависит от уровня управления технологическими процессами. Для принятия решений о воздействии на процесс необходим анализ подобных процессов, анализ новейших достижений на уровне патентных исследований. В систему управления техпроцессом обычно входят датчик измеряемого параметра, систему обработки сигнала с датчика, исполнительное устройство.

1.1.3. Технологичность конструкции деталей, изделий и сборочных единиц Технологичным называют такое изделие, деталь или сборочную единицу, которое полностью отвечает эксплуатационным требованиям и может быть изготовлено с применением наиболее прогрессивных, простых и экономически целесообразных процессов.

Схема анализа на технологичность предполагает:

1) анализ на преемственность к уже освоенным изделиям;

2) возможность механизированной сборки на основе стандартных деталей;

3) обеспечение комплексной загрузки однотипного оборудования;

4) экономический анализ.

Технологичность предполагает прогнозирование, установление и применение базовых показателей по количеству и качеству изготовления изделия.

При отработке конструкции изделия на технологичность рекомендуется изготовление опытного образца изделия. Это позволяет проводить совершенствование условий выполнения работ при производстве изделий, эксплуатации и ремонте; проводить количественную оценку технологических показателей. При оценке технологичности конструкции производится технологический контроль конструкторской документации и корректировка изменений в документах.

1.1.4. Основные показатели технологичности конструкции изделия Показатели технологичности конструкции входят в группу ресурсосберегающих показателей качества.

Трудоемкость изделия. Характеризует количество труда, затрачиваемого на одно изделие с учетом его конструктивных особенностей в сферах производства, эксплуатации и ремонта.

Материалоемкость изделия. Характеризует количество материальных ресурсов, необходимых для создания и применения одного изделия с учетом его конструктивных особенностей в сферах производства, эксплуатации и ремонта.

Энергоемкость изделия. Характеризует количество топливно-энергетических ресурсов, необходимых на одно изделие с учетом его конструктивных особенностей. Понятие энергоемкости не следует смешивать с понятием экономичности энергопотребления.

Технологическая себестоимость изделия. Характеризует в стоимостном выражении ресурсоемкость изделия с учетом его конструктивных особенностей и амортизации за время эксплуатации.

1.1.5. Факторы, определяющие технологичность изделия Главными факторами, влияющими на обеспечение технологичности, являются: вид изделия, его конструктивная сложность, новизна конструкции изделия, характеристика исходных материалов, стадия разработки.

Вид изделия определяет исходные конструкторские и технологические признаки, обуславливающие основные требования к обеспечению технологичности. К этим признакам относятся, например: способ изготовления или сборки изделия, условия комплектации изделия, группирование изделий по общим конструктивным признакам, полнота и завершенность конструктивного исполнения, тип производства.

Конструктивная сложность изделия - относительная характеристика его состава и структурного исполнения, определяющая его дополнительные, конструктивные признаки и соответствующие требования к обеспечению технологической рациональности конструкции изделия. Сложность изделия определяется числом необходимых проекций для понимания изделия.

Новизна изделия – это степень накопления информации о разрабатываемом объекте (по мере перехода к новым стадиям разработки). Новизна предполагает явление, положенное в основу изготовления изделия. Сумма известных решений не является новизной Характеристика исходных материалов, выбираемых для изготовления изделий, является основным фактором, определяющим требования к обеспечению технологической рациональности и преемственности конструктивных элементов изделий. От характеристики исходных материалов зависят выбор рациональных технологических методов и процессов изготовления, техобслуживания и ремонта, а также рациональное сокращение ассортимента и марок используемых материалов, необходимых для их обработки. Характеристики материалов влияют на выбор средств технологического оснащения и возможность применения прогрессивных технологических процессов и операций.

Стадия разработки изделия предполагает уровни изготовления изделия:

эскиз, сборочный чертеж, действующий макет, опытный промышленный образец.

1.1.6. Технологичность конструкции детали Конструкция детали должна состоять из стандартных и унифицированных конструктивных элементов. Конструкция должна обеспечивать возможность применения типовых и стандартных технологических процессов ее изготовления и ремонта. Состав конструктивных элементов выбирают с учетом ограничительных перечней, стандартов и картотек применяемости. С учетом ограничительного перечня не принято изготавливать стандартные детали: крепежные винты, болты, гайки и т.п.

Для изготовления деталей следует применять стандартные или унифицированные заготовки, полученные рациональным способом с учетом заданного объема выпуска и типа производства. При выборе метода изготовления заготовок следует исходить из возможности одновременного изготовления нескольких деталей.

1.1.7. Технологичность конструкции соединения При выборе соединения следует учитывать затраты труда, материалов и энергии на образование соединения элементов. Рекомендуется использование тех видов соединений, которые ранее приняты и освоены в данных производственных условиях, обеспечены современными средствами технологического оснащения и обладают достаточными технико-эксплуатационными характеристиками.

Требования к неразъемным соединениям. Конструкция неразъемного соединения должна разрабатываться с учетом ее влияния на производственную технологичность конструкции изделия.

При выборе вида неразъемного соединения из числа соединений, обладающих равной прочностью, стойкостью к внешним воздействиям и т.п., следует предпочитать то соединение, которое может быть образовано при минимальных затратах ресурсов и является более рациональным технологически при выполнении операций контроля.

При выборе материалов необходимо учитывать возможное изменение физико-механических свойств в процессе образования соединений. (Особенно это относится к изделиям из полимеров). В конструкции соединения следует исключать сложную и необоснованно точную обработку сопрягаемых поверхностей.

Требования к разъемным соединениям. При выборе вида разъемного соединения из числа соединений с равными технико-эксплуатационными характеристиками, следует применять тот вид соединения, который требует наименьших затрат на выполнение операций монтажа, демонтажа в условиях производства, транспортирования, технического обслуживания и ремонта.

В конструкции соединения следует использовать такие формы конструктивных элементов и материалы, которые позволяют формировать или расформировывать соединения посредством минимального числа операций монтажа и демонтажа, а также исключать необходимость последующей обработки элементов соединения или снижения его надежности в эксплуатации.

1.1.8. Технологичность конструкции сборочной единицы Технологичность конструкции сборочной единица рассматривается с учетом условий сборки, испытания, монтажа вне предприятия-изготовителя, техобслуживания и ремонта.

Требования к составу сборочной единицы. Сборочная единица или узел должны расчленяться на рациональное число составных частей, а их конструкция компоноваться из стандартных и унифицированных частей и исключать необходимость применения сложного технологического оснащения. В конструкции сборочной единицы предусматривается базовая составная часть, которая является основой для расположения остальных составных частей изделия.

Число поверхностей и мест соединений составных частей должно быть по возможности минимальным. Места соединений составных частей должны быть доступными для механизации сборочных работ и контроля качества соединений. Как правило, составные элементы сборочных единиц подвергаются неоднократному контролю на совместимость деталей по условию сборки.

1.1.9. Методы оценки параметров технологичности Известны качественные и количественные методы оценки технологичности.

Эти методы позволяют оценить рациональность изготовления изделий.

Сущность их сводится к сравнению с эталоном, который помимо качественной информации может носить элементы количественной оценки. Если предлагается несколько вариантов изготовления изделия, то их технологичность вначале проверяется по экономическим показателям, а затем проводится сравнительная, качественная оценка. Вначале сравнения, независимо от наличия эталона, устанавливаются оценочные критерии технологичности. Такими критериями могут быть сравнение с изделием – аналогом, сравнение с типовой конструкцией или процессом, оценка на основе опыта специалиста.

Качественными методами является также оценка технологичности по патентоспособности. К недостаткам качественных методов следует отнести необходимость использования справочной литературы для уменьшения роли субъективного фактора. Количественные методы позволяют сравнивать отдельные показатели между собой. Стадия разработки играет существенную роль в определении требований к обеспечению технологичности.

Конструктор не может перейти от одного этапа конструирования к другому, не обеспечив требований технологичности. Контроль, за соблюдением технологических параметров, возложен на службы технологического контроля.

1.1.10. Расчетные методы оценки технологичности Оценку технологичности изделия производят по объективным количественным характеристикам (на основании таблицы «за и против») и коэффициентам технологичности.

Коэффициент класса точности характеризует отношение числа деталей, требующих определенного класса точности к классу точности оборудования.

Например, литье в форму обеспечивает 7 класс точности, токарный станок обеспечивает 3 класс точности, координатно-расточной станок обеспечивает класс точности.

Коэффициент новизны конструкции изделия Кн определяет конструктивные признаки, обуславливающие преемственность конструкции изделия и определяется отношением числа новых деталей Nр к общему числу деталей N:

На новизну конструкции можно воздействовать методами унификации его составных частей, типизации структурных компоновок, группового или базового проектирования и т.п.

Коэффициент сложности конструкции изделия Ксл выражают отношением числа разработанных изделий N к числу элементов аналога Nа Сложность конструкции существенно влияет на ресурсоемкость изделия, поэтому она часто учитывается при расчетах трудоемкости разрабатываемого изделия по данным аналога.

Коэффициент использования материала Ки в изделии массой Ми относительно массы заготовки Мз насчитывается по формуле:

Масса заготовки с учетом базовых показателей технологичности может быть рассчитана по массе аналога Ма через коэффициент изменения размеров Кр:

Эрготический показатель - это показатель автоматизации, рассчитываемый отношению машинных затрат энергии к общему объему работ (в человекочасах или киловаттах):

Время на изготовление партии деталей Тизг обычно больше времени «чистого»

изготовления ti конкретной детали ki. Это связано со временем подготовки производства Тподг, необходимостью времени на контроль Тк партии деталей m и увязки организационно- технических вопросов Тот:

производства к выпуску подобных деталей.

Для ускорения процесса изготовления несколько деталей может изготавливаться одновременно. Применительно к технологическим процессам, над деталью может осуществляться одновременно несколько операций: сверление, зенковка, нарезка резьбы и т.д. Коэффициент параллельности – это отношение времени параллельной работы над деталью к времени всего процесса.

Коэффициент освоенности Ко – есть отношение числа деталей, приобретенных «на стороне» Nc к сумме всех деталей изделия N без крепежных элементов (болтов, гаек, винтов и т.п.):

Крепежные элементы являются стандартными изделиями, выпускаемыми метизными заводами для всех предприятий и в расчете параметров не участвуют.

Процент стандартизации изготовления изделия Kст учитывает число деталей, подобных стандартной в отрасли Nст.о и число деталей, которые покупаются в других отраслях Nп:

где Nст - число стандартных деталей без крепежа.

В наибольшей степени технологичности отвечают детали, изготовленные по однократной, прогрессивной технологии. Коэффициент использования прогрессивной технологии Ки – есть отношение массы или количества деталей, изготовленных сразу – Nчист, к соответствующей единице измерения деталей, требующих доработки –Nчерн:

Технологичность изготовления может быть также оценена по коэффициенту повторяемости изготовления детали на данном предприятии.

Коэффициент повторяемости – есть отношение числа оригинальных деталей Nор, к числу проекций, необходимых для понимания детали Nпр:

В процессе изготовления изделий технологичность может быть оценена по разбросу параметров. В этом случае фигурирует отклонение контролируемого параметра.

Коэффициент стабильности процесса Кс- есть отношение дисперсии мгновенного распределения контролируемого параметра м к средне квадратичному отклонению всех параметров :

Коэффициент настроенности Кн характеризует технологичность в процессе изготовления детали. Он определяется как отношение среднеарифметического значения получаемого параметра са без технологического допуска на отклонение размеров бдоп к среднеквадратичному отклонение всех параметров, включая цену деления измерительных приборов пр:

Замена одного технического способа изготовления детали на другой (например, литья на штамповку) решается проведением расчета и технико-экономического анализа вариантов по нескольким показателям технологичности.

Для поточного производства технологичность его проектирования может быть оценена по показателю прямоточности Кпрм:

где Sm -число прямых внутрипроизводственных связей;

Sn - число обратных связей.

В последнее время для расчетов параметров технологичности используются расчетные (чаще вероятностные), графоаналитические и графические методы.

Принятие решения о приоритетности того, или иного технического решения базируется на применении метода балансов и составлении балансовой таблицы «за» и « против». Информация о технологичности объединяется в базу данных.

Информация о технологичности подразделяется на конструкторский, технологический и управленческий уровень. Для успешного функционирования такой сети необходимо квалифицированное кадровое обеспечение в области программирования, а также достаточные технические средства обработки и передачи данных. Основное требование к автоматизированным системам – возможность применения стандартных программ моделирования и оптимизация возможных путей изготовления изделий. Известно достаточно много информационных систем, предназначенных для конкретного анализа на технологичность. Некоторые из них: АСНИ - автоматизация научных исследований, САПР- система автоматического проектирования, АСОИ- автоматизированная система обработки информации, АСУТП – автоматизированная система управления технологическим процессом.Физико-химические основы технологических процессов изготовления материалов электронной техники 1.1.1.Металлы и сплавы К тугоплавким металлам относятся металлы и сплавы, отличающиеся высокой температурой плавления, химической стойкостью и общими закономерностями технологии изготовления. В эту группу металлов входят: вольфрам, молибден, тантал, ниобий, рений, цирконий, титан, гафний. Эти материалы получаются преимущественно в виде порошков при восстановлении их окислов.

Большинство их них в чистом виде применяется для изготовления элементов с высокой термической нагрузкой – нитей и спиралей накала осветительных ламп, катодов прямого накала, подогревателей катодов косвенного накала, анодов и сеток электронных ламп. Известно применение тугоплавких материалов в качестве лигатуры для получения специальных сталей и сварочных электродов.

В последнее время эти материалы используются для производства порошков в упрочняющих технологиях.

Вольфрам и его получение. Из вольфрамосодержащих руд получают вольфрамовую кислоту. После обработки вольфрамовой кислоты в аммиаке из нее выпадает паравольфрамат аммония в виде порошка. Далее паравольфрамат прокаливают в водороде до температуры красного каления (~5000) и получают вольфрамовый ангидрид. Для получения различных марок вольфрама в ангидрид вводят присадки (например, окись тория) и снова прокаливают в водороде до получения вольфрамового порошка. Далее порошок прессуют в штабики, подвергают ковке, спекают в пруток в среде инертного газа. Из полученных прутков вытягивают проволоку.

Тантал. Современный способ получения тантала – электролиз солей тантала в вакуумно-дуговых печах. Катодом служит нихромовый тигель с солями тантала, анодом – графитовый стержень. После процесса слиток предварительного тантала подвергают очистке методом зонной плавки в высокочастотной или электронно-лучевой печи. Тантал применяется в качестве высокотемпературных нагревателей, работающих в агрессивных средах.

Титан. Это относительно легкий металл с прочностью стали, широко применяемый в авиационной промышленности. При прокате титана с применением масел получается технический «серый» титан. Для ряда применений титан получается методом вакуумной прокатки. Такой «белый» чистый титан марки ТЧ-00 является достаточно дорогим материалом. Пары титана очень хорошо поглощают различные газы. Титан используется в качестве газопоглотителя в электронных лампах и электроразрядных вакуумных насосах.

При электродуговом распылении титана в азоте получается очень прочное желтое соединение – нитрид титана. Известно широкое применение нитрида титана для декоративных и упрочняющих пленочных покрытий «под золото».

Цирконий. Цирконий получается в результате химического электролиза его солей. Полученный в виде чешуек цирконий механически снимается с электродов, прессуется в штабики. Применение циркония аналогично применению титана. Цирконий является более дорогим, по сравнению с титаном. Основное применение циркония – это газопоглотитель, а также декоративные и упрочняющие покрытия «под золото».

Ниобий. Ниобий получается в процессе электронно-лучевой плавки солей. Для уменьшения примесей через расплав рафинируют (пропускают активные газы, например метан и др.). В последнее время ниобий применяется для получения акусто оптоэлектронных материалов (ниобата лития, танталата висмута и др.) для изготовления электронных приборов пятого и шестого поколений.

Гафний. Это достаточно редкий материал. Он используется в качестве замены вольфрамовых электродов в устройствах плазменной резки материалов (плазмотронах), работающих на воздухе.

Иридий. Известно применение иридия в качестве накаленных катодов, работающих при относительно высоком давлении.

Рений применяется в качестве материала для изготовления термопар. Широко известны сплавы рения в электронике.

К металлам пониженной тугоплавкости относятся никель, железо, медь, алюминий. Из них могут быть получены изделия различной формы, однако прочность изделий из этих материалов невысока. Температура плавления этих материалов колеблется от 6580 С для алюминия до 15350 С для железа.

Никель. Из никеля и его сплавов изготавливаются керны оксидных катодов, аноды и сетки радиоламп. Он широко используется и для внеламповой арматуры. Этот материал обладает хорошей пластичностью. Никель, как и его аналоги, кобальт и железо относится к группе ферромагнитных материалов.

Железо. В электровакуумном производстве железо (низкоуглеродистая сталь) применяется в основном в виде проката марки А (Армко) и Э (Электротехническая). В последнее время для наукоемких производств применяется нержавеющая сталь. Лучшими признаны немагнитные, нержавеющие стали. Они применяются для изготовления вакуумных трубопроводов и камер, а также элементов ускорителей заряженных частиц.

Медь. Медь обладает аномальной теплопроводностью и хорошей пластичностью. Она широко используется для изготовления анодов, прогреваемых вакуумных уплотнений и отдельных элементов электронных приборов. В электронике используется так называемая «бескислородная медь» с содержанием кислорода не более 0,001%. Если содержание кислорода больше этой величины, то окись меди с водородом образует воду. Водяной пар из-за малой скорости диффузии создает в меди локальное давление в несколько тысяч атмосфер, под действием которого возникают микротрески.

Сплавы представляют собой вещества, получаемые путем диффузии одних частиц в другие. Различают три типа сплавов: сплавы – механические смеси, сплавы – химические соединения, сплавы – твердые растворы. В механической смеси свойства сплава зависят от содержания каждого компонента. Примером механической смеси являются латунь – сплав меди с цинком или дюралюминий – смесь алюминия с цинком. Латунь и дюралюминий широко применяются для изделий, находящихся при комнатной температуре. Эти сплавы непригодны для элементов газоразрядных приборов в виду сильного распыления цинка. При сплаве в виде химического соединения параметры сплава резко отличаются от параметров компонент. Примером химического соединения могут быть паяльные припои. Сплавы – твердые растворы получаются путем диффузии расплавов компонент. В этом случае один из компонент образует кристаллическую решетку в другом компоненте. Примером твердого раствора может быть расплав алюминия в молибдене, возникающий при термическом нагревании материалов.

1.1.2.Металлы и сплавы специального назначения К металлам и сплавам специального назначения относятся щелочные и щелочноземельные металлы, ртуть, благородные металлы, припои, магнитные материалы.

Щелочные металлы: литий (Li), натрий (Na), калий (K), рубидий (Rb), и цезий (Cs). Первые три получаются при плавке хлористых солей в вакууме. Натрий и калий могут быть получены электролизом расплавленных гидроокислов.

Для получения рубидия и цезия распространен способ их восстановления из солей – Rb2 Cr2O7 и Cs2 Cr2O7. Возможностью получения фотоэмиссии в видимой части спектра объясняется применение щелочных металлов для катодов фотоэлементов и фотоэлектрических приборов.

К щелочноземельным металлам относятся барий (Ba), стронций (Sr), кальций (Ca), а также магний. Важнейшими минералами, в состав которых входят щелочноземельные металлы, является барит (BaSO4), стронцианит (SrCO3), мрамор и мел (СaCO3), гипс (CaSO4). Магний распространен в виде доломита (MgCO3CaCO3). Для получения металлов используются металлотермические методы: плавка в вакууме. Вследствие малой работы выхода щелочноземельные металлы широко используются в оксидных катодах. Кроме того, щелочноземельные металлы и магний используются для поглощения газов. Наиболее активным газопоглотителем является барий и его соединения.

Ртуть получается путем обжига киновари (HgS) с последующим восстановлением. Способность паров ртути к сильной ионизации при действии потока электронов обусловила ее применение в ртутных выпрямителях, коммутаторах, тиратронах, люминесцентных лампах. Однако пары ртути очень ядовиты. В последнее время ртутные приборы ставятся на учет в санэпидемстанции. При случайном проливе остатки ртути собираются и передаются на специальный полигон для захоронения, а место пролива обрабатывается хлорным железом.

Благородные металлы. К благородным относятся наиболее устойчивые к различным химическим воздействиям металлы: золото, серебро, платина, палладий. Золото и серебро относительно легкоплавки. Серебро обладает самой высокой электропроводностью. Золото и серебро часто наносятся на элементы электронных приборов. Палладий применяется при производстве малогабаритных конденсаторов. Платина чаще применяется для изготовления термопар.

Сплавы специального назначения. Хромель, копель, алюмель, нихром, платинородий – применяют для изготовления термопар. Хромель: никель/хром;

алюмель: никель/марнанец/алюминий; копель: медь/никель/ марганец; нихром:

80%никель/20%хром.

1.1.3. Физико-химические основы процессов получения материалов для полупроводников Обычно донорные и акцепторные элементы в чистом виде не могут быть вплавлены в полупроводниковые кристаллы. Для этой цели применяют сплавы, содержащие легирующие элементы в определенной концентрации. Требуемый тип проводимости электродного сплава задают введением в основу сплава донорных или акцепторных элементов. Основой сплавов являются металлы:

свинец, олово, индий, золото, серебро, алюминий и некоторые другие. Такие электродные сплавы используют для получения р-n переходов, омических контактов и соединений.

Акцепторные элементы. Алюминий (А1) в расплавленном состоянии активен, вступает в реакцию с металлами. При температуре выше 1273 К алюминий образует сплавы с графитом и кварцем, а выше 850 К — с кремнием.

Галлий (Ga) используют как легирующую примесь для увеличения активности эмиттера и создания омических контактов. Склонен к переохлаждению и кристаллизуется с увеличением объема в виде ромбической решетки. Температура плавления ~380С, Температура испарения~3000C.

Бор (В) известен двух разновидностей: аморфный (порошок бурого цвета) и кристаллический (кристаллы белого цвета). В германии и кремнии бор является акцепторной примесью с высокой предельной растворимостью. В жидких германии и кремнии бор хорошо растворяется, его в небольших количествах вводят в состав электродных сплавов. При легировании кремния и электродных сплавов часто используют промежуточные соединения бора (борный ангидрид В2О3, галогениды бора), которые служат источником бора.

Индий (In) и сплавы на его основе служат основными материалами для получения р — n-переходов на германии электронного типа проводимости и невыпрямляющих контактов на германии дырочного типа проводимости. В последнее время индий используется в качестве легирующего элемента для приборов на основе арсенида галлия.

Донорные элементы. Сурьма (Sb) используется для легирования полупроводниковых материалов, а также в качестве легирующей добавки к электродным сплавам для кремния и германия. В твердом германии сурьма растворима до 1,2-1019 см~3, в твердом кремнии — до 51019 см3. Легирование осуществляют чистой сурьмой либо ее сплавом. Со многими металлами сурьма образует сплавы, однако, с увеличением ее содержания хрупкость сплава резко возрастает.

Фосфор (Р), соединяясь с германием и кремнием, может образовывать их фосфиды GeP и SiP. Фосфор и его соединения используют для легирования кремния при получении слитков и создания р-n переходов. Из-за высокой летучести фосфор не вводят непосредственно в расплавы полупроводников, а добавляют в виде сплавов или лигатур.

Наиболее характерный окисел фосфора — фосфорный ангидрид Р205 энергично поглощает влагу, применяют его в качестве осушителя газов. Взаимодействие фосфорного ангидрида с водой приводит к образованию метафосфорной кислоты НРОз, пирофосфорной кислоты Н4Р2О7 и ортофосфорной (фосфорной) кислоты НзРО4.

Мышьяк (As) — элемент с преобладанием неметаллических свойств, при нагревании на воздухе образует трех окись мышьяка АS2О3. При нагревании выше 883 К при давлении 1 МПа мышьяк возгоняется не плавясь. При быстрой конденсации на поверхности, охлаждаемой жидким воздухом, пары образуют желтый мышьяк — мягкие, как воск, кристаллы, которые легко окисляются на воздухе, а под действием света и нагрева переходят в серый мышьяк. Элементарный мышьяк не ядовит, однако многие его соединения, особенно трехвалентного мышьяка, являются сильнейшими ядами. При проведении термических процессов необходимо обеспечить надежную защиту от окислившегося мышьяка. Для изготовления электронных приборов необходим химически чистый мышьяк марки Н7, Н6.

Висмут (Bi) является донором со слабой растворимостью. Добавка его в электродные сплавы улучшает их смачиваемость. Висмут обладает хрупкостью и обработке давлением не поддается. Для него характерна низкая окисляемость даже при повышенных температурах, что позволяет проводить его плавку с другими элементами на воздухе.

Материалы для электродных сплавов. Олово (Sn)—основной составной материал большинства мягких (низкотемпературных) припоев, электродных сплавов в качестве носителя донорных элементов. С германием олово легко сплавляется. Олово с добавлением сурьмы служит стандартным электродным материалом для получения невыпрямляющих контактов на электронном германии. Является практически единственным носителем фосфора.

Свинец (Рb) используют как составную часть различных припоев: ПОС- (60% свинца, 40% олова), ПОС-60 (60% олова, 40% свинца) и др. С кремнием свинец не образует сплавов. При нагревании на воздухе и при длительном нагреве выше температуры плавления свинец полностью окисляется. Промышленные сорта свинца содержат от 0,008 до 0,5% примесей. Примеси в свинце увеличивают его твердость и снижают пластичность.

Золото (Аu) — основной компонент многих электродных сплавов, особенно для кремния. Золото с добавкой сурьмы применяют для получения невыпрямляющих контактов к кремнию электронного типа проводимости. Легко паяется мягкими припоями и хорошо сплавляется с кремнием и германием.

Серебро (Ag) используют как основную часть электродных сплавов для германия и кремния, а также как основу большой группы твердых (высокотемпературных) припоев для пайки металлов, так называемых серебряных припоев типа ПСР. Число при марке указывает процент серебра. Окись серебра Ag2O разлагается при нагревании выше 723 К, поэтому серебро можно плавить в открытой атмосфере без опасности окисления.

Сплавы для р—n переходов. Они состоят из основы, определяющей геометрические параметры р-n перехода, активных компонентов, изменяющих электрофизические свойства рекристаллизованного слоя, и легирующих добавок, которые создают р-n переход.

Сплавы для кремния. Для создания р-n-переходов на кремнии nтипа проводимости применяют алюминий, в который вводят акцепторные примеси — бор или галлий. Для создания р –n переходов в кремнии р-типа проводимости в качестве основы электродных сплавов используют золото и олово, или золото-серебро. Легирующим элементом является фосфор, мышьяк или сурьма.

1.1.4.Полупроводниковые химические соединения К ним относятся соединения элементов различных групп периодической системы, соответствующие общим формулам A rn B v (InSb, InAs, InP, GaSb, GaAs, GaP, AlSb); A"B V (CdSb, ZnSb), A"B VI (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgSe, HgTe, HgS), AIV B VI (PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe), а также некоторые окислы свинца, олова, германия и кремния. Соединения металлов II группы с серой, селеном, теллуром носят названия соответственно сульфидов, селенидов, теллуридов.

Соединения AIUBV применяются в основном в изделиях электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах. Соединения AnBv используются в качестве эффективных люминофоров в видимой области, в качестве светодиодов, датчиков Холла, модуляторов и др. Соединения AmBv, AnBVI и AIVBVI применяются для изготовление источников и приемников света, индикаторов и модуляторов излучений. Окисные полупроводниковые соединения применяются для изготовления фотоэлементов, выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей.

1.1.5. Флюсы и припои Флюсы представляют собой неметаллические вещества, применяемые для удаления окисной пленки с поверхности припоя и паяемого материала. Такими веществами чаще являются ZnCl2 (так называемая паяльная кислота) или борная кислота (бура). Условные обозначения марок припоя состоят из буквы П (припой) и сокращенных наименований основных компонентов: олово – О, сурьма – Су, свинец – С, серебро – Ср, медь – М, золото – Зл с указанием их количества в процентах.

.Физико-хмические процессы получения некоторых полупроводниковых кристаллических материалов Перспективными материалами микроэлектроники являются арсенид галлия, ниобат лития, танталат висмута и другие кристаллические материалы. Их выращивают из газовой фазы или из расплава несколькими способами. На рис. 1. представлены некоторые способы выращивания кристаллов.

Рис. 1.1 – Схема выращивания кристаллов: а)- метод Бриджмена, б) метод Чохральского, в) метод Киропулоса, г) метод Вернейля, д) метод молекулярнолучевой эпитаксии.

Метод Бриджмена применительно к арсениду галлия предполагает наличие капсулы с двуокисью галлия и капсулы с мышьяком. Капсулы соединены с капсулой роста капиллярным каналом. При прогреве капсул происходит испарение компонент и их осаждение в камере роста.

По методу Чохральского в расплав опускают затравку из материала расплава.

Затравка смачивается расплавом и увлекает его вверх, вследствие этого расплав на затравке нарастает в виде кристаллической фазы. Выращенные монокристаллы кремния могут достигать в весе до 100 кг.

Метод Киропулоса. Данным методом выращивают щелочно-галоидные кристаллы из расплава. Он отличается от метода Чохральского тем, что фронт кристаллизации расположен под «зеркалом» расплава. Исходная кристаллическая соль расплавляется в цилиндрическом тигле и нагревается до температуры, которая превышает температуру плавления на 100...120 К. На поверхность перегретого расплава опускают закрепленный на охлаждаемом стержне затравочный кристалл и начинают медленно снижать температуру расплава. На границе раздела: кристалл — расплав за счет отвода тепла через стержень создается переохлаждение, и на затравке начинает расти монокристалл.

Метод Вернейля реализуется путем плазменной наплавки порошковых материалов. Таким способом получают кристалл рубина.

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Метод представляет собой формирование и легирование кристалла в процессе испарения материалов в условиях сверхвысокого вакуума (10-9 Па). Легирование материала на размерах монослоев происходит прямо в процессе роста кристалла. Так получают арсенид галлия легированный кремнием, алюминием, индием и другими элементами. Метод позволяет формировать слои, толщина которых соизмерима с длиной пробега электронов в твердом теле. Это расширяет возможности работы электронных приборов в области сверхвысоких частот. Таким образом, изготовленные электронные приборы обладают быстродействием в 10-100 раз большим, чем приборы, полученные методом пленочной технологии. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получают сверхвысокочастотные приборы с прыжковой проводимостью, носители информации на голограммах, элементы оптических процессоров, твердотельные лампы на нитриде галлия, высоковольтные (250 В) мощные быстродействующие транзисторы.

Условия проведения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии следующие:

Для ориентированного роста кристаллов в напыляемой пленке необходимо выполнение нескольких условий:

1)обеспечение сверхвысокого вакуума (менее 10-7 Па);

2)оптимальная температура подложки (для кремния 440- 5600 С);

3)необходима минимальная скорость осаждения пленки (до 10 нм/с). При большой скорости конденсации происходит интенсивное образование зародышей, сопровождаемое неупорядоченной кристаллизацией и аморфизацией пленки.

Выращивание кристаллов из паров металлов. Примером такого выращивания является формирование кристаллов олова на KСl или NaCl путем напыления в безмасляном вакууме при давлении 10-7 Па. Родственный тип решетки Sn и щелочногаллоидных материалов (прямоугольный) облегчает процесс эпитаксии и не требует прогрева подложки.

Формирование кристаллов из расплавов. Примером такого формирования является кристаллизация паров германия на поликристаллическом вольфраме.

Последовательность технологических операций подобного процесса выглядит следующим образом:

1)подложку из вольфрама механически царапают через 50 мкм (создают рельеф с углами 60 и 1200);

2)методом испарения наносят слой германия толщиной 1-10 мкм;

3)проводят расплавление пленки и ее перекристаллизация под влиянием рельефа подложки.

Выращивание кристаллов из растворов и электролитов. Этот прием формирования кристаллов не требует вакуума и реализуется за малый отрезок времени. В настоящее время метод широко применяется для получения кристаллов 2 и 4 порядка типа Sn, KCl, NaCl. После разметки подложки готовят пересыщенные водные растворы солей в смеси разбавленных кислот. Методом последовательного окунания намывают кристаллы необходимого размера. В ряде случаев процесс стимулируют пропусканием электрического тока. Зарождение и рост кристаллов зависит от изменения тока и напряжения с течением времени.

Ионно-лучевой метод формирования кристаллов. При этом методе кремниевую мишень распыляют малоэнергетичным (до 15 кВ) ионным пучком. При проведении процесса у отвесных стенок формируются кристаллы кремния.

Особенность процесса состоит в необходимости подачи аргона и применении безмасляных откачных средств. Известны зарубежные и отечественные газоразрядные системы для выращивания эпитаксиальных слоев на форвакууме методом осаждения из газовой фазы.

.Физико-химические процессы производства диэлектрических материалов Для производства электронных приборов из диэлектриков применяют стекло, керамику, слюду, пластмассы. Диэлектрические материалы представляют собой систему связанных положительных и отрицательных зарядов, а также нейтральных ионных или дипольных молекул. Под действием электрического поля происходит смещение зарядов в диэлектрике, называемое поляризацией. Количественной характеристикой процессов поляризации является диэлектрическая проницаемость, которая представляет собой отношение емкости конденсатора С с данным диэлектриком к емкости конденсатора Сv, в котором диэлектриком является вакуум.

Диэлектрическая проницаемость вакуума равна единице. Для всех материалов ее значение выше единицы. Диэлектрическими потерями называют энергию, рассеиваемую диэлектриком под действием приложенного напряжения. При работе диэлектрика в переменном электрическом поле ток проводимости складывается из активной Ia и реактивной составляющей Iр. Угол между вектором общего тока Io и вектором реактивной составляющей называется углом потерь (рис.1.2).

Рис.1.2 - Векторная диаграмма распределения тока в диэлектрике Величина тангенса угла диэлектрических потерь tg является основной характеристикой электроизоляционного материала.

Пробой диэлектриков происходит при повышении приложенного напряжения более критического. Пробивная напряженность газообразного диэлектрика зависит от химического состава газа, расстояния между электродами и давления.

Пластмассы Пластмассы – искусственные материалы, получаемые из природного газа или нефтепродуктов на основе полимерных связующих веществ и наполнителя.

Многие пластмассы состоят из одного связующего вещества (полиэтилен, органические стекла, фторопласт, капролон). В качестве наполнителей используются обычная или стеклоткань (текстолит, стеклотекстолит), древесные опилки (эбонит), тальк, мел, песок, бумага (гетинакс) и др. В качестве связующего используются фенолформальдегидные смолы. В состав пластмасс входят анилиновые красители и пластификаторы. Наибольшее распространение в изделиях электронной техники нашли фторопласт-4 для подвижных вакуумных соединений и капролон, как диэлектрик, заменяющий сталь. Добавка 5% фторопласта в пластмассу делает пригодной для ее использования в пищевой промышленности. Пресс- порошки – исходный материал для изготовления пластмасс прессованием или литьем под давлением.

Полиметилметакрилат – органическое стекло. Выпускается в виде блоков, листов, трубок и пресс-порошка. Легко обрабатывается. Недостатками является горючесть и низкая температура размягчения.

Полистирол, полиэтилен и полипропилен – высокомолекулярные полимеры, обладающие диэлектрическими свойствами на высоких частотах. Стойки к кислотам и щелочам. Недостаток – горючесть и низкая температура размягчения.

Особенность применения пластмасс состоит в том, что с течением времени (более 5 лет) наблюдается деструкция полимерных связей и пластмасса становится хрупкой. Пластмасса является материалом, внутри которого запрессован газ, поэтому необходимо ограничивать применение пластмасс в вакууме. В разряде органические материалы разлагаются. Пластмасса не допускает резьбовых соединений с мелкой резьбой. На пластмассе плохо держаться напыленные покрытия.

Резины. Резина является наиболее распространенным уплотнителем вакуумных систем с масляными средствами откачки. Различают «белую» вакуумную резину и «черную, маслобензостойкую» резину. Для народного потребления известны износостойкие резины (с песком, кордовой тканью или с проволокой). В последнее время появились силиконовые резины, реализуемые в виде паст в тюбиках. Наименьшим газовыделением при наибольшей температуре из силиконовых резин обладает «ВИТОН», применяемый в сверхвысоковакуумных затворах.

Клеи. В изделиях электронной техники клеи находят применение для получения вакуумноплотных не прогреваемых соединений, а также для монтажа микросхем к подложке. Наиболее популярными являются клеи «церезин», 88-Н, БФ, эпоксидная смола холодного отвердения. В промышленности часто используется клей на основе жидкого стекла (конторский) с различными добавками.

Смесь из жидкого стекла, канифоли, мраморного порошка, бриллиантовой зелени известна под названием цоколевочной мастики для ламп накаливания. В последнее время появились клеи и мастики типа «холодная сварка»

Лаки. – Это коллоидные растворы смол, битумов, масел в летучих растворителях. Наибольшее распространение в вакуумной технике нашли силиконовые высокотемпературные лаки, применяемые как покровный материал перед металлизацией пластмасс.

Лакоткань – получают путем пропитки хлопчатобумажной ткани изоляционными лаками.

1.1.6.Получение стекла Химический состав стекла чаще всего представляется как сумма массовых долей окислов некоторых элементов. Однако на практике стекло изготавливают не из окислов, а из химических веществ, которые при нагревании вступают между собой в реакции, в результате которых образуется стекло. В качестве таких веществ, (сырьевых материалов), применяют природные соединения (песок, доломит, мел, полевой шпат и др.), а также продукты химической промышленности (сода, поташ, селитра и др.).

Стекло получается путем прогрева (варки) стеклообразующих окислов SiO2 с некоторыми добавками при температуре 14000 и более. В качестве добавок применяются Al2O3, MgO, CaO, PbO, B2O3, H3BO3 (борная кислота), Na2CO3 (сода), CaCO3 (мел) и др. Наибольшее распространение получило оконное стекло: SiO –CaO – Na2O; хрусталь: SiO2 –CaO – Na2O – PbO; стекло для кинескопов: SiO2 – CaO – Na2O –K2O– PbO- Al2O3– MgO – SrO. Для согласования коэффициента линейного расширения стекла с материалом токоввода различают молибденовые, вольфрамовые, платинитовые и другие стекла. Для пропускания токовводов через стекло используют железо-никелевые сплавы, покрытые кремнием.

Для пропускания коротковолновой части спектра долю SiO2 увеличивают и получают увиолевое или кварцевое стекло (для бактерицидных ламп). В настоящее время в марке стекла указывается коэффициент линейного расширения.

Например, марка С-88-4 обозначает С – стекло, 88 – коэффициент линейного расширения равный 8810-7 1/град.

К особенностям стекла следует отнести поглощение газов и воды поверхностью стекла. Изделие из стекла должно после изготовления отжигаться для снятия внутренних напряжений.

Ситалл – это монокристаллический стеклокерамический материал, получаемый стимулированной кристаллизацией стекла со специальными добавками. Ситалл обладает повышенной прочностью на удар. Применяется в качестве высоковольтных изоляторов. Фотоситталы получают облучением стеклянных изделий, содержащих ионы светочувствительных металлов Li2O–Al2O3–SiO2 и ионы Ag+, Cu+,Au+. В процессе изготовления изделия проводится облучение коротковолновым излучением, что способствует зародышеобразованию кристаллов серебра, золота и меди. Термоситаллы получаются из стекол CaO–Al2O3–SiO2 с кристаллизаторами TiO2, FeS, ZnO2 и др. Термоситалы обладают малым изменением размеров при изменении температуры.

Слюда – слоистый материал, применяемый для изготовления изоляторов внутри вакуумных приборов.

Микалекс – диэлектрик, получаемый прессованием порошков слюды и стекла.

Используется как держатель радиоплат.

1.1.7.Изготовление керамики Керамика представляет собой специально приготовленную в виде теста огнеупорную глину с высоким содержанием оксидов различных элементов. На заводах состав глины корректируется, замешивается на воде, жидких стеклах или специальных растворах до получения пасты. Паста выдавливается в прессформы, сушится и обжигается.

Изделия из керамики широко используются при производстве различных электронных и ионных приборов, ускорителей заряженных частиц, приборах сверхвысоких частот, в электровакуумной технике. Условно керамика делится на два класса: со стеклофазой и без нее. Стеклофаза выделяется при температуре около5000 и способствует герметичной пайке керамики с различными конструкционными элементами. В электровакуумной технологии наиболее широкое распространение получили следующие керамики:

1) магнезиально-силикатная керамика марок С4, С14(состав MgO,SiO2):

а) стеатитовая керамика со стеклофазой ВК-22, К1, С-41, С14; (состав:

MgO, SiO2, BaO;

б) форстеритовая Ф-17; Ф-11, (2MgO,SiO2,);

2) аллюминосиликатная со стеклофазой марки «сапфирит» (MgO,SiO2, BaO,Al2O3);

3) аллюооксидная без стеклофазы (22ХС), поликор (MgO,SiO2, BaO, Al2O3);

4) окиснобериллиевая, марки «Брокерит» (состав BeO); бакоровая керамика.

Стеатит – конденсаторная керамика на основе природного талька. Основное применение – изготовление конденсаторов.

Термоконд – конденсаторная керамика на основе двуокиси титана. Используется при изготовлении высокостабильных (контурных) конденсаторов.

Тиконд – конденсаторная керамика, используемая для получения конденсаторов с отрицательным температурным коэффициентом емкости.

Радиофарфор – муллитовая керамика с хорошими диэлектрическими свойствами;

5) шамотная керамика. Такая керамика представляет собой обычный огнеупорный кирпич различной формы и применяется для формовки неответственных изделий ширпотреба. Ее особенность в том, что с увеличением температуры изделие может, как увеличиваться, так и уменьшаться в размерах.

1.1.8.Многослойные материалы Для ряда применений необходимы дешевые материалы с одновременным сочетанием различных свойств. В связи с этим появилась группа материалов в виде набора лент или набора напыленных материалов толщиной 7-20 мкм и более, сваренных по площади их соприкосновения. Такие материалы называют плакированными. Особенно широкое распространение плакированные материалы нашли в пищевой промышленности для замены нержавеющей стали. Они широко применяются в электронной промышленности (алюминированное или никелированное железо, сталеалюминевые провода). На рис.1.3 представлена схема получения многослойных материалов.

Рис. 1.3 - Схема получения многослойных лент В электротехнической промышленности широко применяются покрытия, полученные методом пульверизации, методом электролиза, методом намазки, методом протягивания через расплав, метод карбонизации путем вжигания углерода в пламени горелки, метод напыления в вакууме.

В последнее время развивается производство многослойных неорганических материалов с органическими включениями для космического материаловедения и противопожарной безопасности.

Для покрытия пластмасс «под бархат» нашло применение покрытие горячих пластмасс методом пульверизации порошков – метод флокирования.

В настоящее время в качестве подложек микросхем и некоторых товаров народного потребления используются ленты из волокнистого углеродного материала, пропитанные расплавом кремния. В промышленности распространены рулоны и пластины (сэндвич) толщиной 2-6 мм. Этот материал получил условное название «кремний на ткани» – КНТ. Такой материал более инертен по сравнению с кварцевым стеклом и может использоваться в качестве нагревателей до 12000С на воздухе. Такие пластины легко очищаются галогеносодержащими агентами.

.Физико-химические основы получения материалов методом порошковой технологии Порошки на сегодняшний день используются довольно широко: в производстве красок, при упрочнении деталей машин, при изготовлении теплоизоляторов, для смазки, как добавки к топливу и в металлургии для изготовления металлокерамических резцов, подшипников, фильтров для атомных станций.

Порошки чаще применяются как легирующие или наполняющие добавки.

Часто порошки твердых металлов применяются для получения твердых поверхностей методом наплавки. В мире широко используются следующие марки порошковых материалов:

1) порошковая сталь СП-90-2(твердость по Бринелю НВ=90), СП- ХНЗМ, FL 42005(твердость по Роквеллу HRc=30);

2) дисталой (Япония) 1.8% Ni, 0.5% Mo, 1.6% Cu, 0.6% C, остальное Fe;

3) AiSi-302 – порошковая нержавеющая сталь (США);

4) косинт – Cr+Ni+сталь. Материал с добавками молибдена, меди, титана и др., применяемый в качестве электродов. Самостоятельные изделия из порошков, получаемые методом прессования относительно непрочны и требуют спекания при относительно высокой температуре в инертной среде.

Нитрид кремния. Материал, хорошо зарекомендовавший себя в качестве высокотемпературных нагревателей (15000 С). Недостатком данного материала является его хрупкость.

Керметы- это материалы, полученные спеканием порошка металла и керамики. В последнее время начинают широко применяться в качестве резцов для машиностроения.

1.1.9.Типы и параметры порошков Порошки бывают разных типов. Это одноэлементные материалы (железо, титан, никель и др.), либо компоненты сложного состава.

Порошки характеризуются такими параметрами как дисперсность и гранулометрический состав.

Дисперсность несет информацию о размере порошка. Порошки подразделяются на ультрадисперсные (0.0001-0.1 мкм), тонкодисперсные (0.1-10 мкм), среднедисперсные (10-200 мкм), грубодисперсные (200-1000 мкм).

Гранулометрический состав несет информацию о форме зерна. Форма указывает на способ получения порошка и его прочность. Зерно порошка может иметь вид шариков, пирамид и кубиков, чешуек, древовидную и нитевидную формы.

1.1.10.Методы получения порошков Наиболее известными методами получения порошков являются: электронно-лучевое распыление, метод вращающегося электрода, распыление расплава, метод взрывающейся проволочки, химический метод.

Электронно-лучевое испарение. При электронно-лучевом получении порошка распыляемый материал помещается в вакуумную камеру и посредством прямого воздействия электронного потока распыляется. Для сбора порошка обычно используется парафиновый барабан или ванна с вакуумным маслом.

Метод вращающегося электрода. Реализация метода вращающегося электрода представляет собой «Г-образный» электрод из распыляемого материала, вращающийся внутри охлаждаемой трубы. Между трубой и электродом горит дуговой разряд. Катодное пятно сосредоточено на распыляемом электроде.

Система помещается в инертную среду с давлением, при котором мал пробег частиц. Порошок собирается с торца трубы.

Метод распыления расплава. Для получения порошков сталей, свинца, стекла, ситталла широко применяется распыление расплава через сито. Температура расплава поддерживается трехфазной электрической дугой. Расплав может выпускаться в вакуумную камеру с маслом. В ряде случаев распыление проводится с использованием электростатического поля с напряжением около 20 кВ. На выходе таких систем может помещаться дробилка в виде двух соприкасающихся роликов.

Метод взрывающейся проволочки при получении порошков реализуется путем мгновенного распыления тонкой проволочки от разряда конденсатора.

Ряд проволочек помещается в камеру с давлением инертного газа 3-16 атм. При таком давлении пробег паров мал. Порошок собирается на стенках камеры. Такой метод обладает высокой производительностью.

Химический метод позволяет получать порошки в больших количествах.

Таким путем получают порошок вольфрама. Вольфрамовая руда (CaWO4, Fe WO4, MnWO4) смешивается с концентрированной соляной кислотой. В результате реакции получается твердый вольфрамовый концентрат WO3. Затем этот концентрат восстанавливают до чистого металла путем прогрева в водородной печи.

Порошки, полученные способами распыления через сито, чаше имеют шарообразную форму с относительно крупными размерами. Мелкозернистые порошки ультрадисперсного состава в большинстве случаев получаются методами распыления электронным лучом. Порошки, полученные в дуговом разряде, чаще имеют форму чешуек с примесью капельной фракции. Порошки в виде конгломератов древовидного типа получаются в результате химических методов.

В последнее время широко используются порошки сложного состава.

Наибольшее распространение получили бинарные двухэлементные соединения (TiN, WC, HfN, ZrN). Соединения с азотом получаются методом прокаливания в среде азота или аммиака. В ряде случаев используются химические высокотемпературные реакции замещения хлоридов. В последнее время многокомпонентные порошковые материалы получают методами магнетронного и электродугового напыления из наборного катода или многоствольного ионного источника.

Заключительные стадии изготовления порошков. Особенность порошков состоит в том, что они сильно поглощают газы, взрывоопасны. С течением времени все параметры порошков меняются: электрическое сопротивление, плотность. Порошкам свойственно слипание в конгломераты.

После изготовления порошков их подвергают сепарации по размерам.

Размер может быть определен под микроскопом или по степени запыленности поверхности, проверяемой на просвет или по электросопротивлению. Можно рассчитать диаметр зерна (d, мкм) испытуемого порошка, если известна его плотность б3 и удельная поверхность S, занимаемая граммом порошка:

Размерность: S= см2/г, б- г/см 3.

Для отделения относительно крупных фракций применяется специальное сито с указанием числа отверстий на 1 мм2. В заводских условиях сепарацию порошков производят путем продувания порошка через воздуховоды с анализаторами или вихревые камеры. В последних приборах для сепарации порошков применяется продувка через систему электростатических электродов. В ряде случаев может применяться вискозиметр.

Анализ элементного состава порошков проводится методом ОЖЕ-спектрометрии, ионной масспектрометрии, рентгеноскопии. Ориентировочный элементный состав может быть определен с помощью химических методов.

В заключительных операциях по изготовлению порошки подвергают химической обработке от примесей и окислов, добавляют легирующие присадки, проводят гранулирование и вакуумный отжиг. Некоторые порошки направляются на золь-гель-процесс, заключающийся в легировании и округлении зерен порошков, а также покрытии их специальными испаряющимися гелями. В качестве гелей используются парафин, дибутилфталат, церезин. По соображениям техники безопасности упаковку порошков проводят в небольшие запаянные под вакуумом пробирки весом до 50 грамм.

1.1.11.Технология прессования изделий из порошков Ряд изделий получают методом прессования из порошков. Прессование проводят, применяя давление и температуру. У различных порошков различная прессуемость. Давление прессования достигает 70 атмосфер и более. В большинстве случаев давление и температура прессования подбираются экспериментально. Для получения изделий методом прессования более важно обеспечить давление, а не температуру. Это связано с различной пористостью материалов. Обычно температура прессования Тпрес составляет 80% от температуры плавления Тплав и определяется соотношением:

Особенность процесса прессования состоит в том, что в ходе процесса возможен резкий переход от твердого состояния к сверхтекучести или сверхпластичности. Это объясняется возрастанием диффундирования порошка на пустотах и неоднородностях структуры. Явления, сопутствующие прессованию это локальные химические реакции, закупорка газов, изменение всех параметров порошковых материалов.

Добавки при прессовании Добавки при прессовании вводятся с различной целью. Например, коррекция изменения размеров изделий при прессовании порошковых сталей проводится медью. Легирование порошковых сталей проводится добавкой порошков титана, вольфрама, хрома, молибдена. Активация процесса диффузии проводится добавками цинка, свинца, олова. Ускорителями миграционных процессов являются железо, никель. Роль смазки при прессовании выполняют воск или парафин.

Методы прессования порошков Прессование чаще проводят в инертной или вакуумной среде при постоянном давлении и температуре в течение 3-100 часов. В ряде случаев для этих целей используются автоклавы. Операцию прессования часто совмещают с операцией запекания.

Один из методов прессования порошков является вибрационный метод с применением ультразвука. В последнее время успешно развивается взрывное электрогидроимпульсное прессование. Ударная волна для проведения процесса возникает в результате разряда емкости в диэлектрической жидкости.

Контроль пористости изделий из порошков До недавнего времени контроль пористости изделий проводился по анализу количества впитавшейся ртути. В последнее время пористость анализируется по пропусканию легких газов (гелия) с помощью вакуумметрических методов. Широкое распространение находит рентгеноструктурный анализ.

Техника безопасности при работе с порошками Все порошки являются ядами. Для различных порошков существует предельно допустимая концентрация (ПДК) содержания в 1 м3. Например для Al -2 мг/куб.м., Ве-0.001мг/куб.м. Порошки склонны к самовоспламенению даже при комнатной температуре. С уменьшением размера зерна воспламеняющая способность возрастает.

.Физико-химические процессы получения газообразных и жидких материалов.

Газы применяют для наполнения газоразрядных приборов, промывки вакуумных систем, для создания восстановительной (водородной), окислительной (кислородной) или инертной среды. Известно широкое применение сжиженных газов (жидкого азота, углекислоты и др.). Для получения сжиженных газов из воздуха газ охлаждают в аммиачной установке и пропускают через компрессор.

Далее газ проходит через узкое отверстие. Понижение давления сопровождается охлаждением газа до жидкого состояния. Затем газ очищается и сушится. Количество влаги в газе определяется по температуре конденсации, т. е. точке росы. Хорошо очищенные газы имеют точку росы –40 –450С. Различают технические газы и чистые газы. Наиболее широкое распространение получили такие газы как аргон, гелий, азот, криптон, ксенон. В табл. 1.1 приведены цвета баллонов и цвета надписи на них.

Таблица 1. 1.1.12.Вода для технологических целей Вода для технологических целей должна иметь большое удельное сопротивление, не иметь цвета и запаха. В наибольшей степени для этого подходит дисцилированная вода двойной перегонки. В последнее время в больших количествах получают, так называемую, деионизованную воду путем обработки водопроводной воды гранулированными ионообменными смолами. В процессе ионного обмена происходит связывание катионов (К+) и анионов (А-) с примесями, радикалами (R) и кислотными остатками:

[R-H]+K+ [R-K] + OH+;

[R-H]+A+ [R-A] + OH-;

Для механической очистки воды используются мембранно-молекулярные фильтры из инертных материалов (в частности из фторопласта, из карбонитридов титана). Срок службы деионизованной воды ограничен 1-2 месяцами.

.Характеристика физико-химических методов обработки материалов, используемых в производстве электронных приборов 1.1.13.Вакуумная гигиена Окружающая среда существенным образом влияет на качество изготовления электронных приборов. Для изготовления приборов необходимо соблюдать чистоту, влажность, микроклимат, минимальное присутствие персонала. Важным является срок хранения материалов и полуфабрикатов. По степени чистоты и контролируемости атмосферы здания делят на категории:

1 категория. К этой категории относятся сборочные цеха. В их состав входят белые залы и боксы с отсосом пыли из вентиляционных решеток, встроенных в пол. Запыленность таких залов не должна превышать 10-20 пылинок на 1 литр воздуха (10000 на 1 м3). (Помещения категории 10000). Обязательным является переодевание и переобувание персонала.

2 категория. К этой категории относятся подготовительные к сборке цеха. Запыленность таких цехов не должна превышать 300 пылинок на 1 литр воздуха. Кратность обмена воздуха в таких помещениях должна быть не менее 10.

3 категория - это заготовительные цеха.

Для очистки воздуха нашли широкое применение полимерные, слоистые фильтры, устанавливаемые на входах в помещения. Внутри помещений применяются электростатические фильтры и фильтры на основе коронного разряда. В последнее время находят применение кондиционеры с добавками фрагментов газовой среды, управляемые от ЭВМ.

Следует отметить, что в случае квазипериодической работы вакуумных установок, при разгерметизации вакуумная камера работает подобно пылесосу.

Для систем пневмоавтоматики, робототехники и вакуумных систем воздух осушают от влаги, пропуская его через компрессор до 10 атм и сопла. Перед вакуумной камерой может помещаться камера с сорбентом или электрической дугой.

1.1.14.Общая схема очистки деталей электронных приборов Для очистки применяются жидкостные и сухие методы с использованием физических и химических методов травления. Селективность характеризует избирательность воздействия химически активных сред на материал. Изотропность характеризует насколько травление вдоль поверхности отличается от травления вглубь материала. Показатель анизотропии характеризует отношение скорости травления материала вглубь к скорости травления по поверхности. В табл. 1.2 представлена общая схема очистки электронных приборов. В каждой конкретной ситуации в общую схему могут добавляться или исключаться отдельные элементы.

Таблице 1.2 - Общая схема очистки деталей Обезжиривание. Наличие жиров препятствует смачиваемости изделий при химической обработке. Индикатором наличия масел является ультрафиолетовое излучение. В последнее время обезжиривание сочетается с операциями промывки и химического травления. Оно проводится с помощью горячих щелочей и моющих средств, с поверхностно-активными веществами. Перемешивание растворов проводится с помощью ультразвуковых колебаний. Находят широкое распространение электрохимические методы очистки и травления как на постоянном токе (с плотностью тока до 100 А/ дм2), так и импульсных токах (порядка килоампер и длительностью несколько микросекунд).

Очистка отжигом. Отжигом достигается разложение органических остатков и их удаление, либо окисление поверхности (окислительный отжиг) и удаление окислов механическими способами. В ряде случаев отжиг проводится в вакууме (вакуумный отжиг) или в водороде (восстановительный отжиг). Температура отжигов Тот близка к температуре красного каления (600-8000 С) и составляет 75% от температуры плавления Исключение составляют материалы, для которых при температуре более 7000 С наблюдается рекристаллизация (например, в вольфраме начинают расти кристаллы WC). В этом случае температура отжига не должна превышать температуру рекристаллизации.

Чаще материалы отжигают в восстановительной среде (в водороде или водородосодержащих смесях). Температура восстановительного отжига Тв определяется соотношением:

Время отжига t является экспериментально-расчетной величиной и составляет для большинства процессов 1-2 часа.

Газовое травление. Газовое травление применяется для очистки кремниевых элементов в среде горячих газов HF, HCl, HBr при температурах 600- С. Скорость такого травления составляет около 1 мкм/мин.

Особенности очистки пластмасс. Пластмасса представляет собой прессованный из гранул материал с возможными органическими и неорганическими включениями. Пластмасса требует более тщательного обезжиривания и активации поверхности. Активация поверхности пластмасс заключается в поочередном промывании в щелочах и кислотах (так называемое декапирование) с последующей промывкой в дисцилированной воде и горячей сушкой.

1.1.15.Электрофизические методы очистки материалов электронной техники Традиционные «мокрые» методы очистки имеют ряд недостатков. Основные из них: насыщение поверхности кислотными и щелочными остатками, вредные экологические соединения, избирательность (селективность) травления различных материалов, недостаточное отношение скорости травления вглубь к скорости травления вдоль материала (показатель анизотропии). Некоторые материалы (в частности пьезоэлектрики), нечувствительны к кислотам и щелочам. В последнее время успешно развиваются методы очистки и травления материалов в вакууме с применением разрядов и плазмы.

Плазмохимическая очистка. Системы плазмохимической очистки представляют собой вакуумную камеру с электродами, системой подачи галогеносодержащих газов (на основе фтора, хлора и д.р.) и подложкой для материала. На рис. 1.4 представлена схема очистки и травления материалов в плазме.

При обеспечении в камере давления 0,1-10 Па и подаче на электроды потенциала до 10 кВ или напряжения сверхвысокой частоты (СВЧ), между электродами возникает разряд. В разряде происходит разложение молекул напускаемого газа на активные частицы и радикалы, которые производят химические реакции с травимым материалом, образуя летучие соединения.

SiO2 + CF3 * (CF3)O +SiO Рисунок 1.4 – Схема плазменной очистки. 1-вакуумная камера, 2 – изделие, 3 – электрод Достоинства плазмохимического травления перед химическим травлением состоит в возможности расширения ассортимента обрабатываемых материалов, в отсутствии необходимости финишной обработки, в возможности автоматизации процесса с применением ЭВМ.

По экологическим соображениям в последнее время очистка и травление проводятся в среде инертного газа с применением СВЧ излучения. Частота СВЧ колебаний выбирается около 12, 5 МГц, что близко к частоте поверхностных колебаний атомов. В ряде случаев система содержит накаливаемый катод для генерации электронов, способствующих ионизации газа. Достоинства применения СВЧ излучения состоит в возможности обработки диэлектрических материалов, в отсутствии зарядки поверхности. В числе недостатков систем с СВЧ излучением следует отметить небольшую скорость распыления (~1 мкм/мин для кремния), а также перепыление материала на стенки камеры, необходимость защиты от СВЧ излучения.

Ионная очистка материалов в плазме тлеющего разряда. В ряде электрофизических установок очистка материалов проводится с помощью тлеющего разряда, зажигаемого в вакуумной камере при напряжениях от 0,5 до 10 кВ и токе до нескольких ампер. Важно, чтобы очищаемая деталь (мишень) находилась под отрицательным потенциалом, что дает возможность бомбардировать поверхность ионами. Обработка поверхности осуществляется при давлениях 1Па. В качестве рабочих газов используется воздух или инертные газы (чаще аргон). Ионная очистка обладает хорошими качественными показателями, но имеет особенности, присущие всем газоразрядным системам:

1) все параметры разряда взаимосвязаны. Скорость обработки зависит от вольтамперной характеристики разрядной системы, расположения электродов, рода и расхода газа и т.д.;

2) для каждого материала существует максимальный коэффициент распыления равный отношению числа выбитых атомов к общему числу ионов на мишень;

3) напуск рабочего газа требует увеличения производительности откачных средств. Кроме того, наличие разряда стимулирует процессы газовыделения из стенок вакуумной камеры;

4) при обработке полупроводниковых материалов возможна генерация дефектов. В связи с этим напряжение обработки выбирается минимальным, однако, это стимулирует полимеризацию масел на обрабатываемых поверхностях.

При обработке полупроводников имеет место неодинаковая скорость обработки по направлениям кристаллографических осей.

Контроль качества очистки. Контроль качества очистки производится из анализа углов смачивания капли травителя. Если капля расплывается на изделии, то оно чистое. Если капля травителя катается по изделию - то оно грязное.

На стеклянных изделиях качество очистки проверяется по конденсату влаги при легком дыхании на стекло. Стабильность границы тумана свидетельствует о грязном изделии. В ряде случаев качество очистки проверяется приборами или по цвету пленки.

.Физико-химические методы формирования пленочных материалов на элементах электронных приборов 1.1.16.Типы пленок и методы их получения В настоящее время пленки различных материалов применяются в качестве покрытий различного назначения (декоративные, антикоррозионные, диэлектрические, упрочняющие и многие другие). В зависимости от назначения пленки и условий ее эксплуатации пленки наносят различными способами. Это получение пленок из растворов, а также методами напыления в вакууме и при атмосферном давлении, методами осаждения из паров солей и аэрозолей при градиенте температур, методами распыления материалов ионной бомбардировкой и т.д. В зависимости от конкретных условий осаждения, пленки одного и того же вещества подразделяются на 4 типа:

1) аморфные - характеризующиеся пористой структурой, отсутствием кристаллической решетки. Подобные пленки имеют очень большое поверхностное сопротивление;

2) мелкозернистые (размер кристаллов менее 100 ангстрем);

3) крупнозернистые, с размером зерен более 100 ангстрем;

4) монокристаллические (эпитаксиальные). Пленки этого типа представляет собой кристаллическую решетку атомов данного материала и обладают малым сопротивлением.

Методы формирования пленок. Среди большого разнообразия методов получения пленок наибольшее распространение получили пленки, получаемые следующими способами:



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 8 |
 
Похожие работы:

«Федеральное агентство по образованию Московский инженерно-физический институт (государственный университет) В.А. Кашурников А.В. Красавин Вычислительные методы в квантовой физике Рекомендовано УМО Ядерные физика и технологии в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений Москва 2005 УДК 530.145.01(075) ББК 22.311я7 К31 К31 К а ш у р н и к о в В. А., К р а с а в и н А. В. Вычислительные методы в квантовой физике: Учебное пособие. М.: МИФИ, 2005. – 412 с. Учебное пособие...»

«МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) С.М. СТАРИКОВСКАЯ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ. СЕМИНАРСКИЕ ЗАНЯТИЯ 1.5. ИСТОЧНИКИ И ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ Учебное пособие Москва 2007 УДК 53.082 С.М.Стариковская. Физические методы исследования. Семинарские занятия. 1.5. Источники и приемники излучения: Учебное пособие. – М: изд-е МФТИ, 2007. — 55 с. Данное учебное пособие является пятым из цикла пяти пособий для семинарских занятий в первом семестре изучения курса...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Национальный исследовательский университет Учебно-научный и инновационный комплекс Исследовательская школа по лазерной физике Бакунов М.И. Царев М.В. Горелов С.Д. ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОЕ СТРОБИРОВАНИЕ Электронное методическое пособие Блок мероприятий 2. Повышение эффективности научно-инновационной деятельности Учебная дисциплина: Генерация и регистрация терагерцового излучения...»

«www.ReshuZadachi.ru задачи решают тут Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра аналитической химии АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ Программа, методические указания и контрольные задания по дисциплинам Аналитическая химия, Аналитическая химия и физико-химические методы анализа для студентов химикотехнологических специальностей заочной формы обучения Минск 2012 1 www.ReshuZadachi.ru задачи решают тут УДК 543(075.4) ББК 24.4я А Рассмотрены и рекомендованы к...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Оренбургский государственный университет Физический факультет Университетская физическая школа А.А. ЧАКАК, Н.А. МАНАКОВ ЕГЭ 2012. ФИЗИКА РЕКОМЕНДАЦИИ. ТЕСТЫ. СПРАВОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Рекомендовано к изданию Ученым советом федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Оренбургский...»

«ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Факультет радиофизики и электроники Кафедра интеллектуальных систем КУРС ЛЕКЦИЙ по специальному курсу Теория принятия решений и распознавания образов Учебное пособие для студентов факультета радиофизики и электроники Минск 2005 1 УДК 681.31:621.38 ББК 32.841я43+32.85я43 ISBN 5-06-0004597 Рецензенты доктор технических наук В. А. Зайка кандидат технических наук, доцент А. А. Белый Рекомендовано Ученым советом факультета радиофизики и электроники 2003 г., протокол №_...»

«Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова– Ленина ВВЕДЕНИЕ В ЭЛЕКТРОРАЗВЕДКУ Учебно-методическое пособие для слушателей курсов повышения квалификации специальности Геофизика по программе Методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых в промысловой и разведочной геофизике Казань 2009 Печатается по решению Редакционно-издательского совета ГОУ ВПО Казанский государственный университет им....»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ ПОДГОТОВКИ СТУДЕНТОВ К КУРСУ БИОФИЗИКА Составители: Башарина О.В., Артюхов В.Г. ВОРОНЕЖ 2007 2 Утверждено Научно-методическим советом фармацевтического факультета 30.05. 2007 г. (протокол № 5). Учебно-методическое пособие для самостоятельной подготовки студентов к занятиям по биофизике подготовлено на кафедре биофизики и биотехнологии биолого-почвенного факультета Воронежского государственного университета....»

«Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ. СПРАВОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Учебно-методическое пособие по дисциплинам Аналитическая химия и Аналитическая химия и физикохимические методы анализа для студентов химико-технологических специальностей Минск 2005 УДК 543(076)(083.5) ББК Ф Рассмотрены и рекомендованы к изданию редакционноиздательским советом университета. Составители: А.Е. Соколовский, Е.В. Радион Под общей редакцией канд. хим. наук,...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ В. А. Стародубцев СОЗДАНИЕ И ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО КОНСПЕКТА ЛЕКЦИИ Рекомендовано в качестве учебного пособия Редакционно-издательским советом Томского политехнического университета Издательство Томского политехнического университета 2010 УДК 378.3:004(075.8) ББК Ч481.23я73 C77 Стародубцев В.А. С77 Создание и применение электронного...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ухтинский государственный технический университет Сборник лабораторных работ по дисциплинам: Геофизические исследования скважин и Промысловая геофизика Часть II Методические указания для студентов специальностей 130201 Геофизические методы поисков и разведки месторождений полезных ископаемых 130304 Геология нефти и газа 130503 Разработка и эксплуатация нефтяных и газовых...»

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФАКУЛЬТЕТ РАДИОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра системного анализа Аппаратнопрограммные методы и средства защиты информации Учебное пособие по специальным курсам “Защита информации” и “Системы защиты и контроля доступа к информационным ресурсам” Для студентов факультета радиофизики и электроники специальностей 1 31 04 02 “Радиофизика” и 1 31 04 03 “Физическая электроника” МИНСК БГУ 2008 УДК 004.3, 004.4(003.26) ББК А91 Рекомендовано Ученым советом факультета...»

«А. В. Анкилов, П. А. Вельмисов, А. С. Семёнов АЛГ ОР ИТ МЫ МЕ Т О Д О В ВЗВЕ Ш Е ННЫ Х НЕВЯЗОК ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЛИНЕЙНЫХ ЗАДАЧ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ И ИХ РЕАЛИЗАЦИЯ В СИСТЕМЕ MATHCAD Учебное пособие Ульяновск 2006 УДК 519.6 (075) ББК 22.311 я7 A 67 Рецензенты: Кафедра прикладной математики Ульяновского государственного университета (зав. кафедрой доктор физико-математических наук, профессор А. А. Бутов); Доктор физико-математических наук, проф. УлГУ В. Л. Леонтьев. Утверждено...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Оренбургский государственный университет” Н.А.ТИШИНА ОСНОВЫ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ МАТЕМАТИКИ Рекомендовано Ученым советом государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Оренбургский государственный университет в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся по программам высшего...»

«Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Химический факультет Кафедра аналитической химии Т.Н. Шеховцова, И.А. Веселова МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ ПО АНАЛИТИЧЕСКОЙ ХИМИИ для студентов кафедры биофизики биологического факультета МГУ Москва 2005 Настоящее методическое пособие составлено в соответствии с программой дисциплины Аналитическая химия для биологических факультетов государственных университетов и календарным планом учебных занятий по аналитической химии студентов 2 курса...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Межфакультетская кафедра истории отечества МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ИЗУЧЕНИЮ КУРСА “ОТЕЧЕСТВЕННАЯ ИСТОРИЯ” Издательство “Самарский университет” 2003 Печатается по решению Редакционно-издательского совета Самарского государственного университета Методические указания содержат программу, планы семинарских занятий, тематику контрольных работ, список литературы и рекомендации по работе над материалами курса....»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технологический университет О.И. Кондратьева, И.А. Старостина, С.А. Казанцев, Е.В. Бурдова ВОЛНОВАЯ ОПТИКА И КВАНТОВАЯ ФИЗИКА Учебное пособие Допущено Научно-методическим Советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям...»

« В.В. Горлач     ФИЗИКА Учебное пособие для студентов-заочников ? ? ? Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия (СибАДИ) В.В. Горлач ФИЗИКА Учебное пособие для студентов-заочников Допущено Научно-методическим советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных...»

«ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ОБРАБОТКЕ МЕТАЛЛОВ Методические указания и контрольные задания по дисциплине Физико-химические процессы при обработке металлов Министерство образования и науки РФ ФГБОУ ВПО СибАДИ Кафедра Конструкционные материалы и специальные технологии ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ОБРАБОТКЕ МЕТАЛЛОВ Методические указания и контрольные задания по дисциплине Физико-химические процессы при обработке металлов Составитель М. С. Корытов (в авторской редакции) Омск СибАДИ УДК 621....»

«Федеральное агентство по образованию Сыктывкарский лесной институт – филиал государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия имени С. М. Кирова Кафедра автоматизации технологических процессов и производств ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ПРОИЗВОДСТВА САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА СТУДЕНТОВ Методические указания для подготовки дипломированного специалиста по направлению 651900 Автоматизация и управление,...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.