WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

«УТВЕРЖДАЮ»

Декан ЕНМФ

_Ю.И. Тюрин

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ ОСНОВНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Методические указания к выполнению лабораторной работы Э-12а по курсу «Общая физика» для студентов всех специальностей Издательство Томского политехнического университета 2008 УДК 53.01 Определение концентрации и подвижности основных носителей заряда в полупроводниках. Методические указания к выполнению лабораторной работы Э-12а по курсу «Общей физики» для студентов всех специальностей / Сост. Т.А. Тухфатуллин. – Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2007. – 10 с.

Рецензент доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ кандидат физ.–мат. наук Н.С. Кравченко Методические указания рассмотрены и рекомендованы методическим семинаром кафедры теоретической и экспериментальной физики ЕНМФ «» _ 2008г.

Зав. Кафедрой профессор В.Ф. Пичугин Председатель учебно-методической комиссии Г.В. Ерофеева

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ

ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Приборы и принадлежности: образец арсенида галлия, электромагнит, источник постоянного тока, мультиметр.

Цель работы: определить концентрацию и подвижность носителей заряда в полупроводниках на основании измерений эффекта Холла.

Арсенид галлия - полупроводниковое соединение, образованное элементами III и V групп периодической системы Д.И. Менделеева. Кристаллы арсенида галлия применяются для изготовления туннельных диодов, фотоэлементов, лазеров, генераторов СВЧ-диапазона. Для изготовления этих приборов необходимо применять арсенид галлия, имеющий определенную концентрацию и подвижность основных носителей заряда. Возможность определения указанных параметров дает эффект Холла – явление, возникающее в скрещенных электрическом и магнитном полях.

Движение носителей заряда в магнитном поле На заряд q, движущийся в магнитном поле, действует сила, которую буF u + u B B F Рис. 1.

дем называть магнитной. Эта сила, определяется величиной заряда q, r r скоростью движения заряда u и магнитной индукцией B в той точке, где находится заряд в рассматриваемый момент времени.





r Опытным путем установлено, что сила F, действующая на заряд, движущийся в магнитном поле, определяется формулой r rr F = kq[u B ], (1) где k –– коэффициент пропорциональности, зависящий от выбора единиц, фигурирующих в формуле величин. Единица магнитной индукции B –– Тесла –– определяется так, чтобы коэффициент k в формуле (1) был равен единице. Следовательно, в СИ эта формула имеет вид r rr F = q[u B ] (2) Модуль магнитной силы равен F = quBsin, (3) rr где –– угол между векторами u и B. Из (3) следует, что заряд, движущийся вдоль линий магнитного поля, не испытывает действия магнитной силы.

Магнитная сила направлена перпендикулярно плоскости, в котоr r рой лежат вектора u и B. Если заряд q положителен, направление силы rr совпадает с направлением вектора [uB ]. В случае отрицательного заряда q направление векторов F и [uB ] противоположны (рис. 1).

Т.к. магнитная сила всегда направлена перпендикулярно к скорости заряженной частицы, она не совершает работы над частицей. Следовательно, действуя на заряженную частицу постоянным магнитным полем, изменить ее энергию нельзя.

Если имеются одновременно электрическое и магнитное поля, то сила, действующая на заряженную частицу, равна где E –– напряженность электрического поля.

Это выражение было получено из опыта Лоренцем и носит название силы Лоренца.

Если металлическую пластинку, вдоль которой течет постоянный электрический ток, поместить в перпендикулярное к ней магнитное поле, то между гранями параллельными направлениям тока и поля возникает разность потенциалов H = (1- 2) (рис. 2). Это явление было обнаружено Холлом в 1880 г. и называется эффектом Холла или гальваномагнитным явлением.

Холловская разность потенциалов определяется выражением где b — ширина пластинки, j — плотность тока, В — индукция магнитного поля, RH — коэффициент пропорциональности, получивший название постоянной Холла.

Эффект Холла очень просто объясняется электронной теорией. В отсутствии магнитного поля ток в пластинке обусловливается электриr ческим полем E0 (рис. 2). Эквипотенциальные поверхности этого поля образуют систему перпендикулярных к вектору E0 плоскостей. Одна из них изображена на рисунке сплошной прямой линией. Потенциал во всех точках каждой поверхности, а следовательно, и в точках 1 и 2 одинаков. Носители тока — электроны — имеют отрицательный заряд, поr этому скорость их упорядоченного движения u направлена противопоr ложно вектору плотности тока j.

При включении магнитного поля каждый носитель оказывается под действием магнитной силы F, направленной вдоль стороны b пластинки и равной по модулю где е –– заряд электрона. В результате у электронов появляется составляющая скорости, направленная к верхней (на рисунке) грани пластинки. У этой грани образуется избыток отрицательных, соответственно у нижней грани — избыток положительных зарядов. Следовательно, возr никает дополнительное поперечное электрическое поле E B. Когда напряженность этого поля достигает такого значения, что его действие на заряды будет уравновешивать силу (6), электроны будут двигаться прямолинейно и увеличение избыточного заряда прекратится. Соответствующее значение ЕB определяется условием: еЕB = еиВ. Тогда При сложении полей E B и E0 получаем поле E. Эквипотенциальные поверхности перпендикулярны к вектору напряженности поля (показаны на рис. 2 пунктиром). Точки 1 и 2, которые ранее лежали на одной и той же эквипотенциальной поверхности, теперь имеют разные потенциалы. Чтобы найти разность потенциалов, между этими точками, нужно умножить расстояние между ними b на напряженность ЕB:





Выразим и через концентрацию электронов п и плотность тока j =neu. В результате получим Последнее выражение совпадает с (5), если положить Из (7) следует, что, измерив постоянную Холла, можно найти –––––––––– лей в единице объема).

Важной характеристикой вещества является подвижность в нем носителей заряда. Подвижность носителей заряда численно равна средней скорости, приобретаемой носителями при напряженности электрического поля, равной единице. Если в поле напряженности Е носители приобретают скорость u, то их подвижность равна µ Подвижность можно связать с проводимостью и концентрацией носителей n. Для этого разделим соотношение j = neu на напряженность поля Е. Приняв во внимание, что отношение j/Е=, а отношение u/ Е= µ, получим Тогда для подвижности получим следующее выражение:

Измерив постоянную Холла RH и проводимость, можно по формулам (7) и (10) найти концентрацию и подвижность носителей заряда в соответствующем образце.

Эффект Холла наблюдается не только в металлах, но и в полупроводниках, причем по знаку постоянной Холла можно судить о принадлежности полупроводника к п- или р-типу1. На рис. 3 сопоставлен эффект Холла для образцов с положительными и отрицательными носителями заряда. Направление магнитной силы изменяется на противоположное как при изменении направления движения заряда, так и при изменении его знака. Следовательно, при одинаковом направлении тока и поля магнитная сила, действующая на положительные и отрицательные носители, имеет одинаковое направление. Поэтому в случае положительных носителей потенциал верхней (на рисунке) грани выше, чем нижней, а в случае отрицательных носителей — ниже. Таким образом, определив знак холловской разности потенциалов, можно установить знак основных носителей заряда.

Схема опыта по наблюдению эффекта Холла приведена на рис. 4.

Образец (тонкая пластинка толщиной d = 5104м) помещается в магнитное поле, созданное соленоидом (на рисунке не показан). В зависимости от тока, пропускаемого через соленоид, напряженность магнитного поля изменяется в пределах (1,5 4,5)104А/м. Проводимость образца арсенида галлия равна = 23,5103Ом1м1; силу тока, пропускаемого через образец I, изменяют от 0,005 до 0,015 А. Разность потенциалов H измеряют цифровым мультиметром с большим входным сопротивлением.

При измерении ЭДС Холла необходимо учитывать вклады паразитных ЭДС, возникающих из-за неэквипотенциальности контактов В полупроводниках п-типа знак основных носителей заряда отрицателен, а в полупроводниках р-типа — положителен.

электродов при нулевом магнитном поле. Напряжение между электродами Холла (рис. 4) имеет следующие составляющие:

где H - ЭДС Холла, UH0 - разность потенциалов, обусловленная неэквипотенциальностью электродов Холла.

Постоянная Холла равна где k=500 – коэффициент усиления датчика Холла (в лабораторной работе используется датчик магнитного поля, имеющий коэффициент усиления). Индукцию магнитного поля соленоида можно рассчитать по формуле где Ic – сила тока через соленоид, nc – число витков соленоида, приходящееся на единицу его длины, µ0= 1,25710-6 Гн/м – магнитная постоянная.

Концентрация носителей n 1. Ознакомиться с приборами лабораторной установки.

2. Соленоид выключен. Установить напряжение на образце U=7 В.

Подождать 2-3 мин. Записать ток через образец I и ЭДС UH0.

3. Включить соленоид и измерить ЭДС Холла UH. Ток соленоида изменять в пределах 1–5 А.

Таблица 1.

4. Повторить пункты 2-3 для значений напряжений на образце равных 8,9,10 В.

5. По формуле (12) рассчитать индукцию магнитного поля соленоида.

6. По формуле (11) рассчитать значения RH для всех режимов измерения и определить его среднее значение (толщиной полупроводника d = 5104м).

РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ ЗАНЕСТИ В ТАБЛИЦУ 1.

7. Рассчитать концентрацию носителей заряда n в образце арсенида галлия.

8. По формуле (10) определить подвижность носителей заряда в арсениде галлия, если известно, что = 2,35104 Ом1м1. Сравнить полученное значение µ с табличным для подвижностей носителей заряда в различных материалах и средах. Сделать выводы.

9. Рассчитать погрешность определения RH. Сделать общие выводы.

5. Вопросы для самостоятельной и индивидуальной работы 1. Какие данные о проводниках и полупроводниках можно получить на основе исследования эффекта Холла?

2. В чём заключается эффект Холла?

3. Почему на боковых гранях проводника с током в поперечном магнитном поле появляются электрические заряды?

4. Эффект Холла характерен только для полупроводников или он наблюдается также для металлов? Ответ обосновать.

5. Как зависит холловская поперечная разность потенциалов от магнитной индукции, силы тока, толщины пластинки?

6. Как связана магнитная индукция с напряжённостью магнитного 7. Назовите единицы магнитной индукции и напряжённости магнитного поля?

8. Изменяется ли кинетическая энергия частицы при движении в магнитном поле?

9. Когда заряженная частица движется в магнитном поле по винтовой линии?

1. Савельев И.В. Курс физики. СПб.: Издательство «Лань», Т.3., 2006, 320 с.

2. Киреев П.С. Физика полупроводников. М. Высшая школа,1975, Таблица 2. Подвижность электронов в полупроводниках

class='zagtext'>ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ ОСНОВНЫХ

НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Составитель Тимур Ахатович Тухфатуллин П одп исано к п ечати _._.2008. Формат 60х84/16. Бумаг а «Классика».

П ечать RISO. Усл.п еч.л.0,46. Уч.-изд.л.0,42.

Томског о п олитехническог о университета сертифицирована NATIONAL QUALITY ASSURANCE п о стандарту ISO 9001:

Похожие работы:

«Бюллетень новых поступлений за февраль 2014 года 1 H 621 Евтушенко Михаил Григорьевич. Е 273 Инженерная подготовка территорий населенных мест: учебник для вузов (спец. Архитектура) / Евтушенко Михаил Григорьевич, Гуревич Леонид Владимирович. - Москва: Интеграл, 2013. - 208с.: ил. ISBN (в пер.) : 680-00р. 2 Б Скопин Алексей Юрьевич. С 443 Концепции современного естествознания: учебник / Скопин Алексей Юрьевич. - Москва: Проспект, 2004. - 392с.: ил. - ISBN 5-98032-265-5 (в пер.) : 138-91р. 3 Б...»

«Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра аналитической химии АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ Программа, методические указания и контрольные задания по дисциплинам Аналитическая химия, Аналитическая химия и физико-химические методы анализа для студентов химикотехнологических специальностей заочной формы обучения Минск 2012 1 УДК 543(075.4) ББК 24.4я73 А64 Рассмотрены и рекомендованы к изданию редакционноиздательским советом университета Составители: А. Е....»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Муромский институт (филиал) Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Владимирский государственный университет Программирование на языке ассемблера Методические указания к лабораторному практикуму Часть 2 Составители: Бейлекчи Д.В. Калинкина Н.Е. Муром 2007 УДК 681.3. ББК 32.973 – 018. П Рецензент: кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроники и...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Сыктывкарский лесной институт (филиал) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова Кафедра целлюлозно-бумажного производства, лесохимии и промышленной экологии АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ И ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА Учебно-методический комплекс по дисциплине для студентов направления бакалавриата...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технологический университет О.И. Кондратьева, И.А. Старостина, С.А. Казанцев, Е.В. Бурдова ВОЛНОВАЯ ОПТИКА И КВАНТОВАЯ ФИЗИКА Учебное пособие Допущено Научно-методическим Советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации ФГБОУ ВПО Московский архитектурный институт (государственная академия) А.А. Климухин Е.Г. Киселева Проектирование акустики зрительных залов Учебно-методические указания к курсовой расчетно-графической работе Москва МАРХИ 2012 1 УДК 534.2 ББК 38.113 П 79 Климухин А.А., Киселева Е.Г. Проектирование акустики зрительных залов: учебно-методические указания к курсовой расчетно-графической работе / А.А. Климухин, Е.Г. Киселева. — М.: МАРХИ, 2012. —...»

«Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ Ю.И. Тюрин 2002 г. ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОЕМКОСТИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ МОСТОВЫМ МЕТОДОМ Методические указания к выполнению лабораторной работы Э-06 по курсу Общая физика для студентов всех специальностей Томск 2002 1 УДК 53.01 Измерение электроемкости и диэлектрической проницаемости мостовым методом. Методические указания к выполнению...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ Л.Н. ДЕМИНА МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ, ИСПЫТАНИЙ И КОНТРОЛЯ Рекомендовано УМО Ядерные физика и технологии в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений Москва 2010 УДК 006.91(075) ББК 30.10я7 Д 30 Демина Л.Н. Методы и средства измерений, испытаний и контроля: Учебное пособие. – М.: НИЯУ МИФИ, 2010. – 292 с. В учебном пособии изложены основные понятия, методы и...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Владимирский государственный университет Кафедра технологии переработки пластмасс ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ ВЫСОКОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ Методические указания В двух частях Часть 2 Составитель Н.А. КОЗЛОВ Владимир 2006 1 УДК 678.64 (076.5) ББК 32.81 Л12 Рецензент Кандидат химических наук, доцент Владимирского государственного университета М.В. Ольшевский Печатается по...»

«Владимирский государственный университет ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ ВЫСОКОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ Методические указания в двух частях Часть 1 Владимир 2004 Министерство образования Российской Федерации Владимирский государственный университет Кафедра технологии переработки пластмасс ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ ВЫСОКОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ Методические указания в двух частях Часть 1 Составитель Н.А. КОЗЛОВ Владимир УДК 678.64 (076.5) Рецензент Кандидат химических наук, доцент...»

«Л.С. Атанасян, В.Т. Базылев Геометрия в двух частях Допущено Министерством образования и науки РФ   в качестве учебного пособия   для студентов физико-математических факультетов   педагогических вузов Часть 2 КНОРУС • МОСКВА • 2013 УДК 514.1(075.8) ББК 22.151.1я73 А92 Рецензенты: Л.Е. Евтушик, д-р физ.-мат. наук, В.И. Близникас, проф. Атанасян Л.С. А92 Геометрия : в 2 ч. — Ч. 2 : учебное пособие / Л.С. Атанасян, В.Т. Базылев. — 2-е изд., стер. — М. : КНОРУС, 2013. — 424 с....»

«МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) С.М. СТАРИКОВСКАЯ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ. СЕМИНАРСКИЕ ЗАНЯТИЯ 1.5. ИСТОЧНИКИ И ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ Учебное пособие Москва 2007 УДК 53.082 С.М.Стариковская. Физические методы исследования. Семинарские занятия. 1.5. Источники и приемники излучения: Учебное пособие. – М: изд-е МФТИ, 2007. — 55 с. Данное учебное пособие является пятым из цикла пяти пособий для семинарских занятий в первом семестре изучения курса...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РФ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИФИ Ю.Н. Громов Пособие по физике Колебания и волны В помощь учащимся 10 – 11 классов Москва 2009 УДК 534.1(075) ББК 22.32я7 Г 87 Громов Ю.Н. УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ ПО ФИЗИКЕ КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ. В помощь учащимся 10 – 11 классов. – М.: МИФИ, 2009. – 48 с. Дано систематизированное изложение основного содержания школьного курса физики по разделу Колебания и волны в соответствии с требованиями образовательного...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ БИОЛОГИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Кафедра биохимии СТРУКТУРНАЯ БИОХИМИЯ УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ МИНСК 2011 1 УДК 577. 11 (112, 113, 114, 115). 15. 16. ББК в.р. Б Авторы О.И. Губич, Т.Н. Зырянова, Е.О. Корик, Т.А.Кукулянская, С.И. Мохорева, Д.А. Новиков, Н. М. Орл, И.В. Семак Рекомендовано Ученым советом биологического факультета 7. 09. 2011 г., протокол № Рецензенты: кафедра биохимии и биофизики УО Международный государственный...»

«Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ. СПРАВОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Учебно-методическое пособие по дисциплинам Аналитическая химия и Аналитическая химия и физикохимические методы анализа для студентов химико-технологических специальностей Минск 2005 УДК 543(076)(083.5) ББК Ф Рассмотрены и рекомендованы к изданию редакционноиздательским советом университета. Составители: А.Е. Соколовский, Е.В. Радион Под общей редакцией канд. хим. наук,...»

«Федеральное агентство по образованию Сыктывкарский лесной институт – филиал государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия имени С. М. Кирова КАФЕДРА ФИЗИКИ ФИЗИКА САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА СТУДЕНТОВ Методические указания для подготовки дипломированного специалиста по специальностям 280201 Охрана окружающей среды и рациональное использование природных ресурсов, 230201 Информационные системы и...»

«ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Факультет радиофизики и электроники Кафедра интеллектуальных систем КУРС ЛЕКЦИЙ по специальному курсу Теория принятия решений и распознавания образов Учебное пособие для студентов факультета радиофизики и электроники Минск 2005 1 УДК 681.31:621.38 ББК 32.841я43+32.85я43 ISBN 5-06-0004597 Рецензенты доктор технических наук В. А. Зайка кандидат технических наук, доцент А. А. Белый Рекомендовано Ученым советом факультета радиофизики и электроники 2003 г., протокол №_...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЛОСОФИИ И ПРАВА СО РАН Философский факультет Кафедра гносеологии и истории философии М. Н. Вольф СРЕДНЕВЕКОВАЯ АРАБСКАЯ ФИЛОСОФИЯ: АШАРИТСКИЙ КАЛАМ Учебное пособие Новосибирск 2008 ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ..4 ГЛАВА I. АШАРИЗМ КАК ВТОРОЕ НАПРАВЛЕНИЕ КАЛАМА. КУЛЬТУРНЫЙ ФОН РАЗВИТИЯ АШАРИЗМА.6 § 1. Неблагоприятные для мутазилитов условия. Оппозиционные учения: ханбалиты и захириты.. § 2. Ал-Тахави (Египет) и...»

«Предисловие 1 Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ Программа, методические указания и контрольные задания по дисциплинам Аналитическая химия, Аналитическая химия и физико-химические методы анализа для студентов химико-технологических специальностей заочной формы обучения Минск 2012 2 ПРЕдисловие УДК 543(075.4) ББК 24.4я73 А64 Рассмотрены и рекомендованы к изданию редакционноиздательским советом университета Составители: А. Е....»

«П ПРАКТИКУМ В ДЛЯ ВУЗОВ ПРАКТИКУМ ПО БИОФИЗИКЕ Учебное пособие для студентов высших учебных заведений Издание второе, исправленное и дополненное Москва 2004 ББК 28.071я73 П69 А в т о р ы: В.Ф. Антонов, А.М. Черныш, В.И. Пасечник, С.А. Вознесенский, Е.К. Козлова Практикум по биофизике: Учеб. пособие для студ. высш. П69 учеб. заведений. — М.: Гуманит. изд. центр ВЛАДОС, 2001. — 352 с. ISBN 5 691 00698 3. Пособие является составной частью учебного комплекта Био физика и служит практическим...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.