WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

Приложение 12

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ)

Учебно-методический комплекс по дисциплине

"Квантоворазмерные наноструктуры"

по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника»

к отчету по контракту № 206-08 от 12.11.2008 на оказание услуг (выполнение работ) по разработке и апробации механизма практического внедрения двухуровневой подготовки в системе инженерного образования в России на примере направления подготовки "Электроника и наноэлектроника" для МИСиС Д-р физ.-мат. наук, профессор Пихтин А.Н.

Канд. физ.-мат. наук, доцент Тарасов С.А.

Санкт-Петербург, Содержание Кол-во страниц 1 Рабочая программа по дисциплине 2 Конспект лекций 3 План-конспект практических занятий 4 Методические указания по организации самостоятельной работы студентов 5 Контролирующие материалы: - Контрольные вопросы по курсу - Экзаменационные вопросы 6 Методические указания к практическим занятиям 7 Учебное пособие 8 Экзаменационные вопросы 9 Раздаточные материалы к лекциям Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

Факультет электроники Кафедра микроэлектроники Магистерская образовательная программа «Физика и технология нано- и микросистем»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ

«Квантоворазмерные наноструктуры»

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

Шифр дисциплины – 3.02. Направление подготовки – «Электроника и наноэлектроника»

Профиль – «Наноэлектроника и фотоника»

Санкт – Петербург

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)»

(СПбГЭТУ)

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

дисциплины

КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ

Для подготовки магистров по инновационной образовательной программе «Физика и технология нано- и микросистем» по направлению 210100 – «Электроника и микроэлектроника» по профилю 2 «Наноэлектроника и фотоника»





Санкт-Петербургский государственный электротехнический

КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ

Для подготовки магистров по инновационной образовательной программе «Физика и технология нано- и микросистем» по направлению 210100 – «Электроника и микроэлектроника» по профилю 2 «Наноэлектроника и фотоника»

Факультет электроники Кафедра Микроэлектроники Курс – Семестр(ы) – Зачетные единицы – 4 ЗЕТ (или семинары) Самостоятельные занятия 72 ч.

Рабочая программа дисциплины "Квантоворазмерные Наноструктуры" составлена в соответствии с внутривузовским образовательным стандартом подготовки магистров по образовательной программе «Физика и технология нано- и микросистем».

Дисциплина "Квантоворазмерные Наноструктуры" преподается на основе ранее изученных дисциплин:

1) Квантовая механика 2) Физика твердого тела 3) Компоненты и системы твердотельной электроники 4) Квантовая и оптическая электроника и является фундаментом для изучения следующих дисциплин:

1) Наноэлектроника 2) Диагностика микро и наносистем 3) Фотоника Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры Микроэлектроники 03 июня 2008 г., протокол № 05. Рабочая программа одобрена методической комиссией факультета электроники 04 июня 2008 г.

Изучение дисциплины должно способствовать формированию следующих компетенций:

(указываются в соответствии с компетентностной моделью подготовки магистра, например, универсальные компетенции:

КМ.У.СЛ.0.3 – Способность к самообучению, способность самостоятельно планировать и управлять устранением пробелов в знаниях, изменять и расширять его посредством обучения на всем пути профессионального роста., КМ.У.ОН.0.6 – Способность использовать современные фундаментальные знания по естественно-научным направлениям подготовки (физике, химии, экологии, информатике и др.).

профессиональные компетенции:

КМ.П.НИ.2.1 - Способность идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в сфере проектирования и технологии систем наноэлектроники и фотоники КМ.П.НИ.2.3.- Умение выбирать методики и средства решения задач исследования систем наноэлектроники и фотоники с применением современных информационных технологий КМ.П.НИ.2.4. - Способность разрабатывать модели объектов исследований для систем наноэлектроники и фотоники, выбирать методы их моделирования КМ.П.ПР.2.5. - Умение разрабатывать программы и техническую документацию для экспериментальной проверки работоспособности проектируемых систем наноэлектроники и фо-тоники.

КМ.П.ПТ.2.2. - Способность эффективно использовать материалы и оборудование для технических процессов наноэлектроники и фотоники КМ.П.ОУ.2.1. - Способность организовать работу коллектива сотрудни-ков, создать условия для эффективного решения постав-ленных перед коллективом научноисследовательских, проектно-конструкторских и производственно-технических задач наноэлектроники и фотоники В результате освоения дисциплины студенты должны:

1. Знать и понимать:

знать основные типы квантоворазмерных наноструктур с размерностями 2, 1 и 0, особенности их электронного спектра и эффекты размерного квантования;





применение систем низкой размерности в современной электронике, оптике к оптоэлектронике;

строить математические модели расчета параметров систем низкой размерности, осуществлять выбор необходимых систем для конкретных типов объектов, выполнять анализ основных характеристик этих систем;

применять полученные знания для объяснения работы и проектирования приборов нано- и оптоэлектроники, использующих квантово-размерные эффекты;

3. Владеть/иметь:

методами моделирования квантоворазмерных наноструктур, спектра электронных состояний и волновых функций в таких структурах;

алгоритмами расчета и программным обеспечением для анализа процессов и явлений в структурах низкой размерности и приборах на их основе.

Введение Общие представления о предмете. Классические и квантовые размерные эффекты. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов. Их возможное применение для создания принципиально новых приборов нано- и оптоэлектроники.

Тема 1. Электроны в квантовых ямах.

Электрон в прямоугольной яме бесконечной и конечной глубины. Волновые Функции и собственные значения энергии, туннелирование. Электрон в треугольной яме. Связанные ямы.

Тема 2. Полупроводниковые наногетероструктуры.

Полупроводниковые гетеропереходы I и II типов. Одиночные гетероструктуры. Построение энергетических диаграмм. Двойные гетероструктуры. Квантовые ямы на основе ДГС. Напряженные квантоворазмерные слои. Требования к материалам и технология.

Тема 3. Структуры c двумерным электронным газом.

Тонкие пленки. МДП-структуры. Размерное квантование в одиночных и двойных гетероструктурах. Квантовые ямы и сверхрешетки. Энергетический спектр, электронные свойства двумерного электронного газа. Плотность состояний. Примесные состояния в двумерных системах.

Экситоны. Дельта-слои и n-i-p-i - структуры, методы их получения.

Тема 4. Квантовые нити и квантовые точки.

Структуры о размерностью 1 и 0. Особенности энергетического спектра. Плотность состояний. Электронные свойства. Методы получений.

Тема 5. Оптические свойства.

Собственное межзонное поглощение. Межуровневые переходы. Люминесценция. Механизмы излучательной и безызлучательной рекомбинации. Экситонные эффекты. Оптическая ионизация. Фотоэлектрические эффекты.

Тема 6. Кинетические эффекты в двумерных системах.

Особенности явлений переноса. Механизмы рассеяния. Время релаксации и подвижность.

Модулирование легированные слои.

Тема 7. Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур.

Энергетический спектр квантоворазмерных структур в электрическом поле. Квантоворазмерный эффект Штарка. Полевая ионизация. Резонансное туннелирование в связанных ямах.

Вертикальный перенос в системе квантовых ям.

Тема. 8. Явления в сильных магнитных полях.

Энергетический спектр двумерных систем в магнитном поле. Квантовый эффект Холла и его применения. Эффекты локализации. Дробный квантовый эффект Холла.

Тема. 9. Методы создания полупроводниковых наногетероструктур.

Эпитаксиальные методы выращивания полупроводниковых материалов и структур. Молекулярно-пучковая эпитаксия. Газофазная эпитаксия из металло-органических соединений. Особенности технологии гетероструктур в группе полупроводников А 3В5 и А2В6. Напряженные гетероструктуры.

Тема 10. Применение систем низкой размерности в современной электронике, оптике к оптоэлектронике.

Приборы на квантовых эффектах. Приборы на резонансных эффектах. Транзисторы о высокой подвижностью носителей заряда. Полупроводниковые лазеры на квантовых ямах, квантовых нитях и квантовых точках, Оптические модуляторы. Фотоприемники на n-i-p-i - структурах. ИК-фотоприемники на квантовых ямах. Лавинные фотодиоды.

Заключение.

Последние достижения полупроводниковой электроники и оптоэлектроники и тенденции их развития.

Расчет энергетического спектра электрона в квантовых ямах различной конфигурации – 2 ч.

Структуры с двумерным электронным газом – 2 ч.

Связь спектров поглощения и люминесценции - 2 ч.

Квантовый эффект Штарка - 2 ч.

Эффект резонансного туннелирования в связанных ямах - 2 ч.

Квантовый эффект Холла - 2 ч.

Приборы нано- и оптоэлектроники, использующие эффекты размерного квантования – 2 ч.

Распределение учебных часов по темам, видам занятий те- рабочей программы мы и видов самостояпо темам Электроны в квантоЛ1, Л Полупроводниковые наногетероструктуры Структуры c двумерЛ1, Л ным электронным гаД2, Д Кинетические эфЛ1, Л фекты в двумерных Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур магнитных полях Методы создания полупроводниковых наногетероструктур низкой размерности тронике, оптике к оптоэлектронике Примечания 1. Подготовка к экзамену (36 час.) входит в объем самостоятельной работы по дисциплине.

освоения Текущий контроль Контроль- Защита Защита индивид. Защита, Экзамен дисципли- лекционного материа- ные работы отчетов дом. заданий (ре- курсового (дифф. зала и материала, Знание и понимание 1.1.

1.2.

Умение 2.1.

2.2.

Владение навыками 3.2.

Примечание Поставить знак «* » в соответствующих ячейках Например, деловые и ролевые игры, ситуационные задачи и т.д.;

презентации, интерактивные доски;

раздаточные материалы к лекциям электронные учебно-методические материалы;

(этот раздел выполняется с начала нового листа и завершается подписью сотрудника библиотеки) Название, библиографическое описание Пихтин А.Н. Физические основы квантовой пособие М.,"Высшая школа", 1983 г.- 304 с.

Д1 В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридгин. Основы наноэлектроники. Уч. Пособие – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000 г. – 332 с Д2 Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. Уч. Пособие – СПб: Изд-во Наука, 2001 г. – 188 с Д3 Нанотехнология: Физика, процессы, диагностика, приборы / Под. Ред. Лучинина В.В. и Таирова Ю.М. – М., Физматлит, 2006 г. – 552 с.

Автор:

Рецензент Зав. кафедрой Микроэлектроники Декан факультета электроники Программа согласована:

Председатель методической комиссии факультета электроники Руководитель методического отдела План-график проведения всех видов занятий недели * Полупроводниковые наногетероструктуры (2) Л Полупроводниковые наногетероструктуры (2) П Полупроводниковые наногетероструктуры (2) * Полупроводниковые наногетероструктуры (2) Л Полупроводниковые наногетероструктуры (2) Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноП Л Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур (7) Виды учебных занятий:

Л лекция;

П практическое занятие, семинар;

Лр лабораторная работа;

С самостоятельная работа студента (в том числе, в соответствии с заданием преподавателя);

К – консультация;

Э – экзамен.

* Примечание. При заполнении в таблице строк, относящихся к самостоятельной работе, необходимо учитывать перечень видов и объемы самостоятельной работы, указанные в таблице " Виды самостоятельной работы студента" (Приложение 2).

Методические указания по организации самостоятельной работы студентов (составляются автором программы в произвольной форме) При составлении методических указаний рекомендуется:

1 Перечислить наиболее важные и сложные для дисциплины темы, на которые следует обратить особое внимание;

2. Сформулировать предложения по рациональным формам изучения учебного материала и организации самоконтроля степени его усвоения;

3. Предложить рекомендации по ведению конспекта и работы с конспектом, а также с рекомендуемой литературой;

4. Выносить на самостоятельную работу темы или отдельные вопросы темы в достаточной мере обеспеченные учебной и научно-технической литературой. По темам (вопросам), вынесенным на самостоятельное изучение, рекомендуется привести перечень вопросов для самопроверки.

Возможные виды самостоятельной работы, а также формы отчтности приведены в таблице.

Вид самостоятель- Названия разделов или тем рабочей Объем, Форма Изучение теорети- Введение ческого материала, Электроны в квантовых ямах (тема 1) вынесенного на са- Полупроводниковые наногетерострукТекущий контроль мостоятельную туры (тема 2) работу Структуры c двумерным электронным Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур (тема 7) Применение систем низкой размерности в современной электронике, оптике Изучение лекцион- Введение ного материала Электроны в квантовых ямах (тема 1) Полупроводниковые наногетероструктуры (тема 2) Влияние электрического поля на свойства квантоворазмерных наноструктур (тема 7) Применение систем низкой размерности в современной электронике, оптике Расчет энергетического спектра элекПодготовка:

к практ. занятиям, к контр. работам, к выполнению и затема 2 и 9) щите лаб. работ, Приборы нано- и оптоэлектроники, использующие эффекты размерного к экзаменам

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

ПО ОРГАНИЗАЦИИ ТЕКУЩЕГО КОНТРОЛЯ РАБОТЫ СТУДЕНТОВ

Пример организации текущего контроля по дисциплине Практ.

раторЗащита лаб. раМ3i тельная Пример графика текущего контроля работы работа консультации (пример формирования оценки знаний студентов по видам занятий) 3.1. Оценка знаний по теоретической подготовке Каждая из контрольных точек Л-1, Л-2, Л-3 охватывает несколько тем, вынесенных на текущий контроль, состоит из n1 вопросов и оценивается М1 баллами.

Максимальная оценка каждого вопроса составляет m1 баллов. Оценка каждого вопроса формируется по следующей шкале:

m1 балл –ответ на вопрос дан правильный и полный;

………………………………………………………………………………………………………………… 0 баллов – ответ на вопрос отсутствует или содержание ответа не совпадает с поставленным вопросом.

Суммарный балл по всем контрольным точкам составляет М1i 3.2. Оценка знаний по практической подготовке Каждая из контрольных точек П-1, П-2 охватывает несколько тем, вынесенных на текущий контроль, направлена на контроль усвоения студентами материала соответствующих практических занятий, состоит из n2 вопросов и оценивается М2 баллами. Контроль проводится в форме письменных работ.

Максимальная оценка каждого вопроса составляет m2 баллов. Оценка каждого вопроса формируется по следующей шкале:

m2 - балла – задание выполнено, дан правильный ответ;

………………………………………………………………………………………………………………… 0 баллов – задание не выполнено, ответ неправильный.

Суммарный балл по всем контрольным точкам составляет М2i Оценка знаний по лабораторным работам Цикл лабораторных работ оценивается M3 баллами.

Максимальная оценка, которую студент может получить, защищая одну лабораторную работу, составляет m3 баллов (рекомендуется для всех лабораторных работ устанавливать единое значение оценки).

Каждая лабораторная работа оценивается по следующей шкале:

m3 баллов – представлен отчет, выполненный по установленной форме, и даны правильные ответы на заданные вопросы;

……………………………………………………………………………………………………………… 0 баллов – по содержанию и/или оформлению отчет по лабораторной работе не соответствует установленным требованиям и/или, и даны неправильные ответы на заданные вопросы.

Суммарный балл по всем контрольным точкам составляет М3i 3.4. Оценка самостоятельной работы студентов Каждая из контрольных точек С-1, С-2, С-3 (доклад, реферат, индивидуальное домашнее задание) состоит из n4 заданий и оценивается М4 баллами.

Максимальная оценка каждого задания составляет m4 баллов.

Оценка каждого задания формируется по следующей шкале:

m4 баллов – задание выполнено полностью и правильно;

………………………………………………………………………………………………………………… 0 баллов – задание не выполнено Суммарный балл по всем контрольным точкам составляет М4i 3.5. Методика формирования оценки по дисциплине без экзамена Итоговый балл по дисциплине определяется как сумма баллов, полученных в течение семестра за теоретический материал, практические занятия, цикл лабораторных работ и самостоятельную работу, т.е. М1i+ М2i + М3i + М4i соответственно.

В зачетную книжку студента оценка по дисциплине заносится в традиционной форме: " отлично", "хорошо" или "удовлетворительно".

Пример соответствия между итоговым баллом и традиционной оценкой:

85–100 баллов – отлично;

55–69 баллов – удовлетворительно;

менее 55 баллов – неудовлетворительно.

Оценка по дисциплине не выставляется, если студент не аттестован положительно по циклу лабораторных работ, независимо от суммы баллов, набранных по другим видам занятий.



 
Похожие работы:

«Академия Государственной Противопожарной Службы МЧС России Бабуров В.П., Фомин В.И., Бабурин В.В. Методические указания к выполнению курсового проекта по пожарной автоматике для слушателей факультета заочного обучения. Москва, 2005 Академия Государственной Противопожарной Службы МЧС России Бабуров В.П., Фомин В.И., Бабурин В.В. Методические указания к выполнению курсового проекта по пожарной автоматике. Для слушателей заочного обучения по направлению подготовки дипломированного специалиста...»

«Федеральное агентство по образованию Томский государственный архитектурно-строительный университет ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Программа и задания к контрольным и курсовой работам Составители: Э.С. Астапенко, Т.С. Шелехова Томск 2010 Электротехника и электроника: программа и задания / Сост. Э.С. Астапенко, Т.С. Шелехова. – Томск : Изд-во Том. гос. архит.-строит. ун-та, 2010. – 33 с. Рецензент доцент Ю.А. Орлов Редактор Е.Ю. Глотова Программа, контрольные вопросы, задания к контрольным работам...»

«СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ ЭЛЕКТРОСВЯЗИ Методические указания по поверке устройства для измерения уровней типа К2223 РД 45.067-99 1 Область применения Настоящий руководящий документ отрасли устанавливает порядок поверки устройств для измерения уровней типа К2223 (фирма Сименс, ФРГ). Требования руководящего документа обязательны для выполнения специалистами метрологической службы отрасли, занимающимися поверкой данного типа средств измерений. Руководящий документ отрасли разработан с учетом требований...»

«Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования Нижнекамский нефтехимический колледж Методические указания и контрольные задания технологических процессов по дисциплине Автоматизация для студентов заочного отделения специальность 150411 Монтаж и техническая эксплуатация промышленного оборудования (по отраслям) Нижнекамск 2007 Рассмотрено на Утверждаю заседании кафедры Зам.директора по УМР Протокол №_ _Быстрова Н.В. от...»

«ПРОЕКТИРОВАНИЕ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ Омск-2010 Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия (СибАДИ) Кафедра автоматизации производственных процессов и электротехники ПРОЕКТИРОВАНИЕ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине Проектирование систем управления для студентов, обучающихся по специальности 220301 Автоматизация технологических процессов и производств Составители: В. А. Глушец, С.А....»

«Министерство образования и науки Российской федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Амурский государственный университет Кафедра автоматизации производственных процессов и электротехники УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ МЕХАНИКА для специальности 280101.65 - Безопасность жизнедеятельности в техносфере Квалификация (степень) выпускника: специалист - инженер Благовещенск 2012 г. 1 УМКД разработан: канд. техн. наук,...»

«НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭКОНОМИКИ И УПРАВЛЕНИЯ Кафедра современного естествознания и наукоемких технологий Пигарев А.Ю. Методические указания для выполнения индивидуальных расчетно-графических заданий на основе системы схемотехнического моделирования Multisim 9 Учебная дисциплина Электротехника и электроника по специальности 230201 – Информационные системы и технологии Зав. кафедрой СЕНТ д-р физ.-мат. наук, профессор Т.Я. Дубнищева Новосибирск 2009 г. Расчетно-графические...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный архитектурно-строительный университет ИССЛЕДОВАНИЕ ТРЕХФАЗНОЙ ЦЕПИ ПРИ СОЕДИНЕНИИ ПРИЕМНИКОВ ЗВЕЗДОЙ Методические указания к лабораторной работе № 7 по дисциплине Общая электротехника Составитель Т.С. Шелехова Томск 2011 Исследование трехфазной цепи при соединении приемников звездой : методические указания / Сост. Т.С. Шелехова. – Томск : Изд-во Том. гос. архит.-строит. ун-та, 2011. – 12 с. Рецензент доцент Э.С....»

«МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА И ПРОДОВОЛЬСТВИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра электротехники ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ МИНСК 2007 УДК 621.3 + 621.38] (07) ББК 31.2 я7 + 32.85 я7 Э 45 Методические указания к лабораторным занятиям по дисциплине Электротехника и электроника рассмотрены на заседании методической комиссии агроэнергетического факультета и рекомендованы к...»

«Федеральное агентство по образованию АМУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГОУВПО АмГУ УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой АПП и Э А.Н. Рыбалев 2007 г. Электромеханотроника УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ для специальности 220301– Автоматизация технологических процессов и производств (по отраслям), специализации Автоматизация технологических процессов тепловых электрических станций Составитель: А.Н. Рыбалев, доцент кафедры автоматизации производственных процессов и электротехники АмГУ Благовещенск...»

«Федеральное агентство по образованию АМУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГОУВПО АмГУ УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой энергетики _ Н.В.Савина 2007 г. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ Электрическое освещение для специальности: 140211 Электроснабжение Составитель: ст. преп. Д.Н. Панькова Благовещенск 2007 г. Печатается по решению редакционно-издательского совета энергетического факультета Амурского государственного университета Электрическое освещение для специальности 140211 Электроснабжение:...»

«Г.М. ТРЕТЬЯК, Ю.Б. ТИХОНОВ ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие Омск • 2006 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ СИБИРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АВТОМОБИЛЬНО-ДОРОЖНАЯ АКАДЕМИЯ (СИБАДИ) Г.М.Третьяк, Ю.Б.Тихонов ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие Омск Издательство СибАДИ 2006 Учебное издание Третьяк Галина Михайловна, Тихонов Юрий Борисович ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие Главный редактор М.А.Тихонова *** Подписано к печати 13.10.06. Бумага писчая....»

«Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Алтайский государственный технический университет им. И.И.Ползунова В.Г.ЛУКОЯНЫЧЕВ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Учебное пособие Барнаул 2000 УДК 621.3 Лукоянычев В.Г. Электротехника и электроника : Учебное пособие / Алт. госуд. технич. ун-т им. И.И.Ползунова. - Барнаул: 2000. - 134 с. Данное учебное пособие предназначено для дистанционного изучения дисциплины Электротехника и электроника по направлению Информатика и...»

«ФГБОУ ВПО СТАВРОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Ш.Ж. Габриелян, Е.А. Вахтина ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ Студентам вузов заочной, очно-заочной форм обучения неэлектротехнических специальностей и направлений подготовки г. Ставрополь, 2012 1 УДК 621.3 ББК 31.2:32.85 Рецензенты: кандидат технических наук, доцент кафедры информационных технологий и электроники Ставропольского технологического института...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И. Л. Ерош, М. Б. Сергеев, Н. В. Соловьев ДИСКРЕТНАЯ МАТЕМАТИКА Учебное пособие для вузов Допущено УМО вузов по университетскому политехническому образованию в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 230201 (071900) Информационные системы и...»

«1 Методические рекомендации по изучению дисциплины Электротехника, электроника и схемотехника 1. Общая характеристика дисциплины Электротехника, электроника и схемотехника Предмет изучения курса Электротехника и электроника – основные понятия и законы теории электрических цепей; методы анализа линейных и нелинейных цепей; переходные процессы в линейных цепях и методы их расчета; принцип действия и характеристики компонентов и узлов электронной аппаратуры; основы аналоговой и цифровой...»

«Методические указания по изучению курса Электротехника, электроснабжение и основы электроники для студентов заочного обучения 1 ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Значение электротехнической подготовки и задачи курса В настоящее время - время больших строительств - очень важно для инженеров строительных специальностей овладеть электротехническими знаниями. Это относится как к инженерам, связанным с технологическими процессами строительных производств, так и к инженерам, непосредственно ведущим...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы по дисциплине “Микроволновая техника” ИЗМЕРЕНИЕ ЧАСТОТЫ СВЧ СИГНАЛОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫМ ЭЛЕКТРОННО-СЧЕТНЫМ ЧАСТОТОМЕРОМ Ч3-66 Санкт-Петербург 2008 В лабораторной работе студенты знакомятся с микропроцессорным частотомером Ч3-66, устройством и режимами его работы, методикой измерения частоты сигналов СВЧ- диапазона....»

«СКВОЗНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ РЭС НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ В САПР ALTIUM DESIGNER 6 Санкт-Петербург 2008 Федеральное агентство по образованию Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” _ В. Ю. СУХОДОЛЬСКИЙ СКВОЗНОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ РЭС НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ В САПР ALTIUM DESIGNER 6 Учебное пособие Часть 1 Санкт-Петербург 2008 УДК 621. ББК С Суходольский В.Ю. С_ Сквозное проектирование функциональных узлов РЭС на печатных платах в САПР...»

«Министерство образования и науки РФ Северо-Кавказский горно-металлургический институт Кафедра теоретической электротехники и электрических машин Лаборатория –метрологии и электрических измерений ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ (51-57) По курсу Основы метрологии и электрические измерения Учебное пособие ВЛАДИКАВКАЗ 2012 АННОТАЦИЯ В сборнике приведены основные правила техники безопасности при выполнении лабораторных работ, даны методические указания по проведению работ и составлению отчета. Приведены...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.