WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

На правах рукописи

РЫЖУК Роман Валериевич

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ

ФОРМИРОВАНИЯ ДИОДНЫХ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СТРУКТУР

НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Специальность: 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные

компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

д исс ер т а ц и и на соискание ученой степени кандидата технических наук

Таганрог – 2010 2

Работа выполнена в Технологическом институте Южного федерального университета в г. Таганроге на кафедре “Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры”

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Н.И. КАРГИН (Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва)

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Г.Д. КУЗНЕЦОВ (Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», г. Москва) доктор технических наук, профессор Г.Г. ЧЕРВЯКОВ (ТТИ ЮФУ, г. Таганрог)

Ведущая организация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) (г. Санкт-Петербург)

Защита состоится «30» сентября 2010 г. в 14 ч. 20 мин. на заседании диссертационного совета Д212.208.23 в Технологическом институте Южного федерального университета в г. Таганроге по адресу: 347928, г. Таганрог, ул.

Шевченко, 2, ауд. Е-

С диссертацией можно ознакомиться в Зональной библиотеке Южного федерального университета.

Автореферат разослан « 28 » августа 2010 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор технических наук, профессор И.Б. Старченко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Стремительное развитие современной электроники, атомной промышленности, ядерной энергетики, военной и космической техники предъявляет высокие требования к свойствам электронных приборов и устройств, предназначенных для экстремальных условий эксплуатации – при повышенных температурах, уровне радиации, а также в химически агрессивных средах.



Приборы на основе традиционных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs и т.д.) не способны удовлетворить комплексу всех этих требований. В связи с чем, интерес исследователей и технологов все больше привлекает перспективный широкозонный материал – карбид кремния (SiC) и устройства на его основе.

Благодаря уникальным свойствам карбида кремния приборы на его основе имеют ряд преимуществ перед традиционными кремниевыми и арсенидгаллиевыми аналогами. Во-первых, это увеличение температурного диапазона эксплуатации SiC приборов (теоретически до 1000 °С). Во-вторых, это значительное снижение сопротивления в открытом состоянии и, следовательно, увеличение удельной мощности прибора. В третьих, высокая теплопроводность карбида кремния (на уровне меди при комнатной температуре) в сочетании с меньшим сопротивлением в открытом состоянии и большей плотностью тока позволяют использовать меньшие по размерам кристаллы, что делает SiC приборы, особенно диоды и транзисторы на основе p-n-перехода, перспективными для силовой и экстремальной электроники.

Наиболее важными технологическими операциями при изготовлении карбидокремниевых приборов являются процессы формирования p-n-переходов и низкоомных омических контактов. Чрезвычайно высокие температуры (более 2000 °С) сильно затрудняют технологический процесс создания p-n-перехода на SiC методом диффузии. Метод CVD, часто используемый для формирования p-nперехода на основе SiC, предъявляет высокие требования к чистоте теплоизоляции, газам-носителям, материалу держателей подложки, что значительно увеличивает стоимость готовой продукции. В этой связи особое значение имеют работы по созданию карбидокремниевых приборов на основе p-nперехода методом ионной имплантации, который позволяет прецизионно управлять концентрацией вводимой примеси и обладает локальностью воздействия.

К началу данной работы практически отсутствовали сведения о влиянии режимов ионной имплантации на свойства и характеристики создаваемых SiC диодных структур. Отсутствовали теоретические модели, позволяющие объяснить и прогнозировать свойства приборов на основе карбида кремния, получаемых методом ионной имплантации. Несмотря на большой объем работ, посвященных исследованию омических контактов к карбиду кремния, в литературных источниках недостаточно сведений по исследованию температурной стабильности омических контактов на основе тугоплавких материалов, а также практически отсутствует сравнительная характеристика параметров контактов к карбиду кремния на основе разных материалов, сформированных при одинаковых условиях.

Настоящая работа направлена на решение этих важных задач.

Целью диссертационной работы является разработка технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния и исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления омических контактов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- определялись оптимальные режимы ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур по значению напряжения пробоя;





- исследовалось влияние режимов ионной имплантации на свойства и характеристики диодных ионно-легированных структур;

- проводилось исследование влияния технологических режимов формирования на величину удельного переходного сопротивления омических контактов к n-6H-SiC, а также исследование температурной стабильности контактов;

- разрабатывалась физико-топологическая модель диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния, позволяющая качественно описывать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Объекты исследований Объектами исследований диссертационной работы являлись монокристаллические образцы карбида кремния политипа 6Н, легированные азотом в процессе роста, омические контакты к ним на основе пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti, а также сформированные методом ионной имплантации диодные структуры на основе указанных образцов.

Научная новизна работы - Разработаны технологические основы формирования p-n-переходов методом ионной имплантации на пластинах n-6Н-SiC с концентрацией донорной примеси азота ND = 2·1017 см-3, позволяющие формировать диодные SiC структуры с напряжением пробоя, близким к максимальному значению.

- Предложены технологические основы формирования низкоомных и термостойких омических контактов к n-6Н-SiC на основе металлических пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti, позволяющие уменьшить значение удельного переходного сопротивления омических контактов до значений Rуд· 10-3 Ом·см2 и формировать омические контакты к n-6H-SiC, величина удельного переходного сопротивления которых практически не изменяется после 10-часового нагрева при температуре Т = 1000 С.

- Разработана физико-топологическая модель диодных ионнолегированных структур, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Практическая ценность работы - Предложена методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению, основанная на определении минимальной энергии ионной имплантации и соответствующей ей дозы для создания p-nпереходов на пластине n-6Н-SiC, для которых при обратном смещении ширина области пространственного заряда будет максимальна.

- Разработан технологический процесс формирования диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния, позволяющий формировать диодные структуры на напряжение пробоя, близкое к максимальному значению при легировании пластины n-6Н-SiC с концентрацией донорной примеси азота ND = 2·1017 см-3 акцепторной примесью бора энергией Е = 80±5 кэВ, дозой D = 6·1015 2·1016 ион/см2 с последующей термообработкой при температуре Т = С в течение t = 25 секунд.

- Предложен технологический процесс формирования низкоомных омических контактов к n-6Н-SiC, позволяющий формировать омические контакты Ni/n-6H-SiC с величиной удельного переходного сопротивления Rуд·= 4·10- Ом·см2, а также контакты Ni/Ti/n-6H-SiC, величина удельного переходного сопротивления Rуд·= 1,1·10-3 Ом·см2 которых практически не изменяется после 10часового нагрева при температуре Т = 1000 С.

Положения, выносимые на защиту - Методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению.

- Технологический процесс формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния, оптимизированный по величине напряжения пробоя.

- Технологический процесс формирования термостойкого омического контакта к n-6H-SiC на основе пленки Ni/Ti, оптимизированный по величине удельного переходного сопротивления.

- Физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионно-легированных структур.

Реализация результатов работы Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ в 2007 – 2009гг: «Разработка макета карбидокремниевого диода, полученного методом ионной имплантации»

(Государственный контракт №5042р/7239 от 03.04.2007г.);

«Многофункциональные гомо- и гетероструктуры на основе соединений AIVBIV и AIIIBV для перспективных разработок нового поколения приборов силовой и СВЧэлектроники» (Государственный контракт № 02.513.12.3019 от 08.08.2008г.);

«Многофункциональные материалы на основе твердых растворов (SiC)1-Х - (AlN)Х для нового поколения быстродействующих электронных устройств силовой и оптоэлектроники» (Государственный контракт № 02.513.12.3055 от 11.11.2008г.).

Получен патент на изобретение №2340041 «Высоковольтный диод на основе 6Н карбида кремния» от 27 ноября 2008г.

Апробация работы Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: XXXIV научно-технической конференции по результатам работы профессорскопреподавательского состава, аспирантов и студентов Северо-Кавказского государственного технического университета (Ставрополь, 2004г.); IX региональной научно-технической конференции «Вузовская наука-СевероКавказскому Региону» (Ставрополь, СевКавГТУ, 2005г. ); VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, СевКавГТУ, 2006г.); IV Всероссийской конференции по физической электронике ФЭ-2006 (Махачкала, ДГУ, 2006г.); VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, СевКавГТУ, 2007г.); Proceedings EDS IMAPS CS International Conference (Брно, Чешская республика, сентябрь 2007г.);

школе молодых ученых «Современные проблемы микро- и нанотехнологий», состоявшейся в рамках выездной научной сессии Отделения информационных технологий и вычислительных систем (г. Пятигорск, 2007г.); XI региональной научно-технической конференции «ВУЗОВСКАЯ НАУКА – СЕВЕРОКАВКАЗСКОМУ РЕГИОНУ» (Ставрополь, СевКавГТУ, 2007г.); Всероссийской конференции по физической химии и нанотехнологиям «НИФХИ-90» (с международным участием), посвящнная 90-летию Карповского института (Москва, 2008г.); VI Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (Великий Новгород, НовГУ им. Ярослава Мудрого, 2009г.).

Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: XI региональной конференции «Вузовская наука – СевероКавказскому региону» (Ставрополь, 2007г.); конкурса инновационных проектов, представленных по программе «Участник молодежного науно-инновационного конкурса 2007» («У.М.Н.И.К.») в рамках VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии».

Личный вклад автора Автором сформулированы цели и задачи работы, обоснованы способы их реализации, предложены алгоритмы расчетов, проведена бльшая часть экспериментов, а также систематизация и анализ полученных результатов. Часть результатов, вошедших в диссертацию, получена в соавторстве с Н.И. Каргиным, Б.А. Билаловым, P Macha. Ценная консультативная помощь оказана О.А. Агеевым и В.В. Лучининым, помощь в проведении экспериментов оказана В.А. Гудковым и Ю.Н. Варзаревым, которым автор благодарен за сотрудничество.

Публикации По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ, в том числе, статьи опубликованы в журналах, входящих Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук, 1 статья опубликована в зарубежном издании.

Структура и объем диссертационной работы Диссертационная работа изложена на 137 страницах машинописного текста, содержит 71 рисунок, 15 таблиц и 42 формулы и состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, списка литературы и приложения. В приложении представлены документы о внедрении и использовании результатов диссертационной работы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы, определены цель и задачи диссертации. Сформулирована научная новизна, основные научные положения, выносимые на защиту и практическая ценность полученных в работе результатов.

В первой главе проведен обзор литературных источников по особенностям формирования SiC приборов на основе p-n-перехода методом ионной имплантации. Приведены основные достижения и перспективы развития карбидокремниевой электроники. Показано, что одним из перспективных методов формирования карбидокремниевых приборов для силовой и экстремальной электроники является метод ионной имплантации, позволяющий прецизионно регулировать важнейшие электрофизические параметры полупроводниковых приборов.

Отмечается, что, несмотря на большое количество работ, посвященных ионной имплантации в карбид кремния, в литературных источниках практически отсутствуют данные о влиянии режимов ионной имплантации на свойства и характеристики создаваемых SiC диодных структур, в частности, на напряжение пробоя – важнейший параметр карбидокремниевых приборов. Отсутствуют теоретические модели, позволяющие объяснить и прогнозировать свойства приборов на основе карбида кремния, получаемых методом ионной имплантации.

Далее рассмотрены требования, предъявляемые к омическим контактам к карбиду кремния, в том числе их температурной стабильности. На основании проведенного обзора литературных источников установлено, что наиболее используемыми металлическими пленками для формирования омических контактов к n-SiC является никель и соединения на его основе. Отмечается, что для оптимизации процесса формирования омических контактов необходимы исследования влияния режимов отжига на величину удельного переходного сопротивления омических контактов (кратковременный и длительный), а также проведение исследований температурной стабильности контактов. Показано, что в качестве омического контакта к р-SiC перспективной с точки зрения высокотемпературных применений является пленка Ti/Al.

На основании проведенного анализа литературных источников сформулирована цель и задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена методике расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению.

В работе использовались три типа пластин карбида кремния политипа 6Н n-типа проводимости, выращенные методом Лели и различающиеся концентрацией легирующей примеси азота: для 1-го типа величина концентрации составляла ND1 = 2·1018 см-3, для 2-го типа – ND2 = 5·1017 см-3 и для 3-го типа – ND3 = 2·1017 см-3. Контроль концентрации проводился методом исследования спектров поглощения.

кристаллографические грани пластин карбида кремния и проведено исследование поверхности на наличие дефектов. Установлено, что на поверхности исследуемых пластин присутствуют дефекты, имеющие глубину менее 0,1 мкм, следовательно, эти образцы могут быть использованы в качестве подложек для ионнолегированных (ИЛ) структур при условии, что глубина залегания p-n-перехода превысит 0,1 мкм.

Далее определялись оптимальные режимы ионной имплантации, которые позволят получить диодные ИЛ структуры на образцах 3-го типа. Этот тип был выбран потому, что концентрация примеси в пластинах минимальна, следовательно, диодные структуры на этих пластинах будут иметь бльшие напряжения пробоя, чем на пластинах 1-го и 2-го типа. Критерием оптимальности технологических режимов явилось то, что при увеличении энергии и дозы имплантации ширина области пространственного заряда (ОПЗ) и потенциальный барьер будут возрастать, следовательно, и напряжение пробоя будет увеличиваться. Было учтено, что чем выше энергия имплантации, тем глубже будет расположена внедренная примесь, то есть концентрация в приповерхностном слое будет уменьшаться. При некотором значении энергии концентрация внедренной примеси станет меньше, чем концентрация донорной примеси в этой области, следовательно, дальнейшее увеличение энергии приведет к инверсии носителей заряда в приповерхностном слое пластины, то есть ширина ОПЗ больше не увеличится. Поэтому было принято, что это максимальное значение энергии имплантации, при которой еще не наступает инверсия носителей заряда, будет оптимальной для формирования диодных структур с эффектом максимального увеличения напряжения пробоя.

В качестве акцепторной примеси был выбран бор потому, что ионнолегированные бором слои в карбиде кремния обладают повышенными значениями сопротивления, следовательно, и напряжение пробоя таких приборов должно быть немного выше, чем при использовании Al. Кроме этого бор обладает высокой растворимостью 1020 см-3 и является одной из быстро диффундирующих примесей в SiC.

Моделирование распределения имплантированной примеси бора в объеме карбида кремния проводились с использованием программного пакета TRIM 2008, позволяющего рассчитывать траектории конечного числа ускоренных ионов при попадании их в твердотельную подложку. Моделирование проводилось для 10000 ионов в диапазоне энергий Е = 10 100 кэВ с шагом Е = 10 кэВ. В результате проведенных расчетов была построена зависимость концентрации акцепторной примеси бора в приповерхностном слое пластины от энергии ее имплантации (рисунок 1).

Рисунок 1 – Зависимость концентрации имплантированной примеси бора в приповерхностном слое SiC пластины от энергии имплантации.

Видно, что концентрация внедренной примеси бора в приповерхностном слое, соответствующая энергиям более 80 кэВ, принимает значения, меньшие концентрации донорной примеси NA ND. Дозы имплантации, соответствующие энергии Е=80 кэВ, составили: D1 = 2·1016 ион/см2 и D2 = 6·1015 ион/см2 (1-ая и 2-ая партия образцов соответственно).

На основе проведенных расчетов распределения внедренной примеси бора были определены концентрации носителей заряда в имплантированной р-области:

где NA – концентрация внедренной акцепторной примеси бора, рассчитанная в программе TRIM 2008, ND – концентрация донорной примеси, EA = 0,35эВ – энергия активации примеси бора, g = 4 – фактор вырождения, k – постоянная Больцмана, Т - температура, Nv = 4,8*1015Т3/2 – плотность состояний в валентной зоне.

Далее была определена ширина ОПЗ p-n-перехода:

где хn и хp – граничные значения ширины ОПЗ, в которых напряженность поля равна нулю:

где N(x) – эффективная концентрация носителей заряда, – диэлектрическая проницаемость, 0 – диэлектрическая постоянная. При расчете Е(х) было учтено, что максимальное значение электрического поля в карбиде кремния достигает значения Емах = 3·106 В/см. На рисунке 2 представлено распределение напряженности электрического поля в области p-n-перехода.

Рисунок 2 – Распределение напряженности электрического поля в области p-n-перехода ИЛ структур.

При энергиях Е 80 кэВ кривые напряженности будут смещаться влево – в сторону поверхности пластины, то есть ОПЗ p-n-перехода будет уменьшаться.

При энергиях Е 80 кэВ ОПЗ p-n-перехода сместиться вправо – вглубь пластины, то есть напряжение пробоя не изменится. Поэтому было установлено, что оптимальной энергией имплантации для пластины n-6HSiC с ND = 2·1017 cм- является Е = 80 ± 5 кэВ. Рассчитанные средние значения напряженности электрического поля в области p-n-перехода составили Еср1 = Еср2 = 2,4106 В/см.

Напряжение пробоя p-n-перехода было определено из выражения:

Полученная величина значения напряжения пробоя составила U1 = U2 = 200В и превысила значение для пластины карбида кремния политипа 6Н n-типа проводимости с концентрацией примеси ND = 2·1017 см-3: Uпр = 137В. Расчетным путем было показано, что при легировании этой пластины алюминием напряжение пробоя составило бы Uпр = 180 В. Поэтому в данном случае имеет место эффект увеличения напряжения пробоя ИЛ p-n-перехода при легировании пластины n-6HSiC с ND = 2·1017 cм-3 примесью бора энергией Е = 80 ± 5 кэВ и дозами D = 6·1015 2·1016 ион/см2.

Третья глава посвящена формированию и исследованию диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния.

На начальном этапе представлена методика исследования удельного переходного сопротивления омических контактов.

Вследствие того, что для отжига контактов необходимы температуры Т 1000 С и высокие скорости нагрева, было принято, что термообработку целесообразно проводить галогенными лампами накаливания. Поэтому была разработана модель для анализа облученности SiC пластин, учитывающая геометрию расположения ламп, их мощность и диаметр обрабатываемых подложек. В результате установлено, что для выбранной геометрии расположения ламп в камере (по 10 штук сверху и снизу, расположенные перпендикулярно друг другу) распределение облученности по обрабатываемым пластинам равномерные и соответствуют заданному интервалу температур.

Далее проведено исследование омических контактов к карбиду кремния на основе пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti. Омические контакты наносились резистивным методом при температуре пластине Т = 150 С и давлении Р = 10-4 Па. Для исследования влияния технологических режимов формирования на величину удельного переходного сопротивления омических контактов образцы были разделены на 4 серии. Для первой серии время термообработки составило секунд при температуре 1000 С, для второй – 600 секунд (10 минут) при температуре 1000 С, для третьей – 45 секунд при температуре 1100 С, для четвертой – 600 секунд (10 минут) при температуре 1100 С (таблица 1).

Таблица 1 – Удельное переходное сопротивление контактов Ме/n-6H-SiC Si(10нм)/Ni(10нм)/ Si(20нм)/Ni(20нм)/ Ti(10нм)/Ni(50 нм) Из таблицы видно, что тенденция к уменьшению величины удельного сопротивления связана с увеличением температуры отжига и уменьшением времени данного процесса. Поэтому исследования омических контактов на термостойкость были проведены для третьей серии образцов при температурах 873, 1073, и 1273 К. Каждый эксперимент продолжался 10 часов (таблица 2).

Таблица 2 – Результаты исследований температурной стабильности контактов Ме/n-6H-SiC.

Металлическая В результате было установлено, что лучшими показателями температурной стабильности обладают контакты на основе пленок Ni/Ti. Значение удельного переходного сопротивления составило Rуд = 1,1·10-3 Ом·см2, что соответствует требованиям, предъявляемым к омическим контактам к карбиду кремния. Таким образом, предложен технологический процесс формирования термостойкого омического контакта к n-6H-SiC на основе пленки Ni/Ti, оптимизированный по величине удельного переходного сопротивления.

На следующем этапе работы было проведено ионное легирование пластины n-6HSiC бором энергией Е = 80 кэВ и двумя дозами: D1 = 2·1016 ион/см2 и D2 = 6·1015 ион/см2 – первая и вторая партия диодных ионно-легированных структур соответственно (граничные значения интервала доз, рассчитанные в предыдущей главе). Обратная сторона пластины (n-область) была легирована азотом дозой D = 1015 ион/см2 и двумя энергиями Е = 30кэВ + 80кэВ с целью увеличения концентрации донорной примеси для формирования низкоомного омического контакта. Термообработка образцов проводилась при температуре Т = 1750 °С в течение 25 с при избыточном давлении аргона Р = 1,5·105 Па. В качестве омического контакта к n-области была нанесена пленка Ni/Ti как наиболее перспективная для высокотемпературной SiC электроники (см. табл. 2). В качестве омического контакта к р-области была использована пленка Ti/Al как наиболее распространенная при формировании омического контакта к р-SiC.

Диаметры контактов Ti/Al составили: 100, 150, 200, 300, 400, 500 мкм (рисунок 3).

Рисунок 3 – Диодные ИЛ структуры: (а) – схематический профиль, (б) – изображение р-стороны с Ti/Al контактами (d1 = 100 мкм, d2 = 150 мкм, d3 = мкм, d4 = 300 мкм, d5 = 400 мкм, d6 = 500 мкм) в оптический микроскоп.

Далее приводятся результаты исследований шероховатости поверхности методом АСМ. Показано, что при легировании пластины n-6HSiC ионами бора энергией Е = 80 кэВ и дозами D1 = 6·1015 ион/см2 и D2 = 2·1016 ион/см2 размах высот поверхности возрастает от 3,97 нм (для поверхности до имплантации) до 41,15 нм и 35,51 нм – для первой и второй партий образцов соответственно, что, видимо, является следствием диссоциации поверхностного слоя.

Для анализа переходной области были проведены исследования границы раздела pимпл-SiC/Ti/Al методом растровой электронной микроскопии (РЭМ).

Было установлено, что граница перехода pSiC/Ti/Al является резкой, то есть диффузия металла вглубь пластины не происходила. Поэтому в приповерхностном слое карбида кремния отсутствовали силициды и карбиды металлов, следовательно, границей раздела являлся переход Ti/p-SiC (рисунок 4).

Рисунок 4 – РЭМ изображения границы раздела Ti/Al/р-SiCимпл: (а) – изображение контактной площадки, (б) – срез, полученный методом фокусированных ионных пучков.

На рисунке 5 представлены результаты исследования зависимости вольтамперных характеристик (ВАХ) образцов от диаметра контактных площадок.

J, A/см J, A/см Рисунок 5 – Зависимости ВАХ имплантированных образцов от диаметра контактных площадок: (а) – 1-я партия образцов при прямом смещении, (б) – 2-я партия образцов при прямом смещении, (в) – 1-я партия образцов при обратном смещении, (г) – 2-я партия образцов при обратном смещении.

Вольт-амперные характеристики ИЛ структур при прямом смещении имели «излом», соответствующий напряжению U = 2В. Очевидно, что происходило изменение механизмов токопрохождения. Вольт-амперные характеристики имели слабую крутизну, что связано с малым значением концентрации электронов и дырок в n- и р-областях ИЛ структур. Пробой наступал при напряжении U 200В.

Величины прямых и обратных токов для образцов 1-ой партии несколько превышали аналогичные значения для образцов 2-ой партии, что связано как с возрастанием количества дырок, так и с возрастанием числа дефектов в области pn-перехода при увеличении дозы легирования, что указывает на генерационнорекомбинационный механизм токопрохождения.

В результате проведенных исследований температурных зависимостей ВАХ было установлено, что при увеличении температуры окружающей среды на 125 С напряжение пробоя экспериментальных образцов снижается на 15%.

Исследования вольт-фарадных хараткеристик (ВФХ) ИЛ структур проводились на частоте 1 кГц при амплитуде модулирующего сигнала dU = мВ. Показано, что при увеличении дозы имплантации от 6·1015 до 2·1016 ион/см удельная емкость возрастает на 0,4 нФ/см2.

Результаты проведенных исследований подтвердили воспроизводимость разработанного технологического процесса формирования диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния, позволяющего формировать диодные структуры на напряжение пробоя, близкое к максимальному значению при легировании пластины n-6Н-SiC с концентрацией донорной примеси азота ND = 2·1017 см-3 акцепторной примесью бора энергией Е = 80±5 кэВ, дозой D = 6·1015 2·1016 ион/см2 с последующей термообработкой при температуре Т = С в течение t = 25 секунд (рисунок 6).

Рисунок 6 – Схема технологического процесса формирования диодных ионно-легированных структур на пластинах n-6HSiC с ND = 2·1017 см-3, оптимизированного по величине напряжения пробоя.

Четвертая глава посвящена разработке физико-топологической модели диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния для анализа вольт-амперных характеристик диодных структур.

При расчете физико-топологических параметров диодных ионнолегированных структур – величин потенциальных барьеров и размеров областей пространственного заряда – использовались экспериментальные данные, полученные в предыдущей главе (рисунок 7).

Рисунок 7 – Физико-топологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния.

Диодные ионно-легированные структуры состояли из трех последовательно расположенных потенциальных барьеров: Ti/имплантированный р-слой SiC, p-nпереход и nлегир/Ti. Очевидно, что при приложении «+» источника питания к робласти (прямое смещение диода) Ti/рSiC-переход смещался в обратном направлении, p-n-переход – в прямом и область nлегир/Ti – в прямом направлении.

Соответственно, при изменении полярности приложенного напряжения смещение отмеченных переходов изменялось на противоположное. Поэтому анализ вольтамперных характеристик был проведен с учетом механизмов токопрохождения в каждой отдельной области исследуемых структур. В результате проведенных расчетов было установлено, что при напряжении прямого смещения U 2 В ВАХ диодных ИЛ структур обусловлены обратным током барьера Ti/p-SiC, при U 2 В – рекомбинацией носителей заряда в области p-n-перехода, при U 0 В – током генерации в области p-n-перехода (см. рис. 5).

В заключении приведены основные выводы и результаты работы.

В приложении – документы о внедрении и использовании результатов диссертационной работы.

При выполнении работы получены следующие основные результаты:

- Предложена методика расчета режимов ионной имплантации для формирования диодных ионно-легированных структур с напряжением пробоя, близким к максимальному значению, основанная на определении минимальной энергии ионной имплантации и соответствующей ей дозы для создания p-nпереходов на пластине n-6Н-SiC, для которых при обратном смещении ширина области пространственного заряда будет максимальна.

- Установлено, что при увеличении дозы легирования от D1 = 6·1015 ион/см до D2 = 2·1016 ион/см2 величина напряжения пробоя ионно-легированных структур практически не изменяется. На основании проведенных исследований разработан технологический процесс формирования диодных ионнолегированных структур на основе карбида кремния, оптимизированный по величине напряжения пробоя, позволяющий формировать диодные структуры на напряжение пробоя, близкое к максимальному значению при легировании пластины n-6Н-SiC с концентрацией донорной примеси азота ND = 2·1017 см- акцепторной примесью бора энергией Е = 80±5 кэВ, дозой D = 6·1015 2· ион/см2 с последующей термообработкой при температуре Т = 1750 С в течение t = 25 секунд.

- Установлено, что величина удельного переходного сопротивления омических контактов к n-6H-SiC на основе металлических пленок Ni, Ni/Si и Ni/Ti уменьшается при увеличении температуры отжига до 1100 С и уменьшением времени термообработки до 45 секунд. В результате проведенных исследований предложен технологический процесс формирования низкоомных омических контактов к n-6Н-SiC, позволяющий формировать омические контакты Ni/n-6HSiC с величиной удельного переходного сопротивления Rуд·= 4·10-4 Ом·см2, а также контакты Ni/Ti/n-6H-SiC, величина удельного переходного сопротивления Rуд·= 1,1·10-3 Ом·см2 которых практически не изменяется после 10-часового нагрева при температуре Т = 1000 С.

- Разработана физико-топологическая модель диодных ионнолегированных структур на основе зонных энергетических диаграмм, позволяющая качественно описать вольт-амперные характеристики диодных ионнолегированных структур.

Статьи в научных журналах, входящих в перечень ВАК:

1. Рыжук, Р.В. Формирование омического контакта к диодной структуре на основе карбида кремния / Р.В. Рыжук, Н.И. Каргин, Б.А. Билалов // Вестник Воронежского государственного технического университета. Воронеж: Изд.


ВГТУ. - 2007. - Т. 3. - № 11. - С 95 - 97.

2. Рыжук, Р.В. Влияние режимов формирования и эксплуатации на свойства ионно-легированных карбидокремниевых диодных структур / Р.В.

Рыжук, Н.И. Каргин, Б.А. Билалов, В.А. Гудков // Известия высших учебных заведений. Электроника. М.: Изд. МИЭТ. - 2009. - №5 (79). - С 7 - 14.

Публикации в других научных журналах и сборниках:

3. Каргин, Н.И. Исследование p-n-структур на основе карбида кремния для экстремальной электроники / Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук // Тез. докл. XXXIV научно-технической конференции по результатам работы профессорскопреподавательского состава, аспирантов и студентов Северо-Кавказского государственного технического университета за 2004 год. Ставрополь: Изд.

СевКавГТУ. - 2005. - С. 96.

4. Каргин, Н.И. Особенности применения устройств на основе карбида кремния / Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук // Тез. докл. IX региональной научнотехнической конференции «Вузовская наука – Северо-Кавказскому региону». – Ставрополь: изд. СевКавГТУ. - 2005. - C. 53 - 54.

5. Каргин, Н.И. Исследование свойств имплантированного ионами бора карбида кремния политипа 6Н / Н.И. Каргин, Б.А. Билалов, Р.В. Рыжук // Тез.

докл. VI Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск – Ставрополь: Изд. СевероКавказского государственного технического университета. - 2006. - С. 428 - 430.

6. Билалов, Б.А. Формирование p-n-структур ионной имплантацией бора в карбид кремния / Б.А. Билалов, Г.Д. Кардашова, Р.В. Рыжук и др. // Материалы IY Всероссийской конференции по физической электронике ФЭ-2006. Махачкала:

Изд. ДГУ. - 2006. - С. 199 - 202.

7. Каргин, Н.И. Вольт – амперная характеристика карбидокремниевой p-nструктуры, полученной методом ионной имплантации / Н.И. Каргин, Б.А.

Билалов, Р.В. Рыжук // Тез. докл. VII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск – Ставрополь: Изд. Северо-Кавказского государственного технического университета. - 2007. - С. 315 - 317.

8. Macha, P. SiC diodes with epitaxial layer / Petr Macha, Bohumil Barda, Nikolaj I. Kargin, Roman Ryzhuk // Proceedings EDS 07 IMAPS CS International Conference Brno, Czech Republic. - 2007. - P. 129 - 134.

имплантированных образцов карбида кремния / Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук, А.С.

Гусев // Тез. докл. XI региональной научно-технической конференции «Вузовская Наука – Северо-Кавказскому Региону». Ставрополь: СевКавГТУ. - 2007. - Т. 1. C. 255 - 256.

10. Каргин, Н.И. Влияние технологических режимов ионной имплантации на ВАХ карбидокремниевых диодов / Н.И. Каргин, Б.А. Билалов, Р.В. Рыжук, В.А. Гудков // Тез. докл. Всероссийской конференции по физической химии и нанотехнологиям «НИФХИ-90» (с международным участием), посвящнная 90летию Карповского института. Москва: Изд. «Оптима-пресс» г. Обнинск. - 2008. С. 35 - 36.

11. Каргин, Н.И. Применение ионной имплантации для формирования диодов на карбиде кремния для высокотемпературных приложений / Н.И. Каргин, Б.А. Билалов, Р.В. Рыжук, В.А. Гудков // Тез. докл. VI Международного семинара «Карбид кремния и родственные материалы». НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2009г. - С. 200 - 202.

Патент на изобретение Патент РФ №2340041 «Высоковольтный диод на основе 6Н карбида кремния» от 27 ноября 2008г. Н.И. Каргин, Р.В. Рыжук.

В работах, опубликованных в соавторстве, лично автору принадлежат: в работе [1] – технологический маршрут формирования омического контакта и экспериментальные результаты исследования удельного переходного сопротивления омических контактов к карбиду кремния; [2] – физикотопологическая модель диодных ионно-легированных структур на основе SiC и расчет на ее основе вольт-амперных характеристик; [2, 10, 11] – технологический маршрут формирования диодных ионно-легированных карбидокремниевых структур и экспериментальные результаты исследования влияния режимов ионной имплантации на электрофизические свойства SiC образцов; [3-8] – экспериментальные результаты исследований электрофизических свойств диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния; [9] – экспериментальные результаты исследований оптических свойств ионнолегированных структур на основе SiC.

Тип. ТТИ ЮФУ Заказ № тир. 100 Экз.

Издательство Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге Типография Технологического института Южного федерального университета в г. Таганроге

 


Похожие работы:

«Бисингалиева Зияда Халмяровна ИССЛЕДОВАНИЕ ФАКТОРОВ И РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ПОЖЕЛТЕНИЯ ШЕРСТИ ПРИ ХРАНЕНИИ Специальность 05.19.08– Товароведение промышленных товаров и сырья легкой промышленности АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2008 Работа выполнена в ФГОУ ВПО Московская государственная академия ветеринарной медицины и биотехнологии им. К.И. Скрябина Научные руководители: доктор технических наук, профессор...»

«Юрков Глеб Юрьевич НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ПОЛУЧЕНИЯ НОВЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛСОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦ d-ЭЛЕМЕНТОВ И ПОЛИМЕРНЫХ МАТРИЦ (ПОЛИЭТИЛЕНА И ПОЛИТЕТРАФТОРЭТИЛЕНА) И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФИЗИЧЕСКИХ И ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Специальность 05.17.06 - Технология и переработка полимеров и композитов Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Саратов Работа...»

«ОТИ МОТО ПОЛЬ МАКСИМ ЦЕНТРОБЕЖНОЕ ОБЕЗВОЖИВАНИЕ И СУШКА БРЕВЕН В ЦЕЛЯХ СОХРАНЕНИЯ КОЧЕСТВА ПРИ ХРАНЕНИИ 05.21.01 — Технология и машины лесозаготовок и лесного хозяйства Автореферат Диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург –2008г Работа выполнена на кафедре технологии лесозаготовительных производств в Санкт-Петербургской государственной лесотехнической академии им. С. М. Кирова Научный руководитель : доктор технических наук,...»

«Тимонина Анна Владимировна Получение и исследование свойств материалов на основе нанокристаллов соединений AIIBVI Специальность 05.27.06 технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2014 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)...»

«Воронин Александр Евгеньевич ПЕРЕРАБОТКА ДРЕВЕСНОЙ ЗЕЛЕНИ ХВОЙНЫХ ПОРОД ВОДЯНЫМ ПАРОМ В СРЕДЕ ИЗБЫТОЧНОГО ДАВЛЕНИЯ 05.21.05 – Древесиноведение, технология и оборудование деревопереработки 05.21.01 – Технология и машины лесозаготовок и лесного хозяйства АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Казань – 2010 2 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Казанский государственный...»

«Экз. № Бритвин Альберт Александрович Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом Специальность 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва, 2007 Работа выполнена на кафедре материалов и процессов твердотельной электроники Московского...»

«АКСЁНОВ Андрей Сергеевич СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ОТБЕЛКИ СУЛЬФАТНОЙ ЦЕЛЛЮЛОЗЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФЕРМЕНТОВ КСИЛАНАЗ 05.21.03 - Технология и оборудование химической переработки биомассы дерева; химия древесины АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Архангельск - 2007 Работа выполнена на кафедре биотехнологии Архангельского государст­ венного технического университета Научный руководитель : доктор технических наук, профессор Новожилов Е.В....»

«АБДРАХМАНОВ ТИМУР ГЕОРГИЕВИЧ УЛЬТРАФИЛЬТРАЦИОННОЕ ИЗВЛЕЧЕНИЕ КОМПЛЕКСОВ РЕДКИХ МЕТАЛЛОВ С СИНТЕТИЧЕСКИМИ ПОЛИЭЛЕКТРОЛИТАМИ 05.17.02. – Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук МОСКВА - 2012 Работа выполнена в Российском химико - технологическом университете им. Д. И. Менделеева Научный руководитель : доктор технических наук, профессор Трошкина Ирина Дмитриевна Официальные оппоненты :...»

«Ушмарин Николай Филиппович РАЗРАБОТКА РЕЗИН НА ОСНОВЕ БУТАДИЕН-НИТРИЛЬНЫХ КАУЧУКОВ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ДОБАВОК И СТАБИЛИЗАТОРОВ 05.17.06 – Технология и переработка полимеров и композитов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Казань - 2010 Работа выполнена в Федеральном государственном учреждении высшего профессионального образования Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова и Федеральном...»

«Ильина Татьяна Николаевна Физико-химические основы процессов агломерации дисперсных материалов и их аппаратурное обеспечение Специальность 05.17.08 – Процессы и аппараты химических технологий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Томск - 2011 2 Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Белгородский государственный технологический университет им. В.Г.Шухова Научный консультант :...»

«Вагапова Наргиза Тухтамышевна ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В СИСТЕМЕ InGaAs/GaAs МЕТОДОМ МОСГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ Специальность 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук Москва 2010 2 Работа выполнена на кафедре Материалы микро-, опто- и наноэлектроники Московской государственной академии тонкой химической...»

«КОЗЛОВ АНТОН ВИКТОРОВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА С ПОВЫШЕННОЙ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ Специальность 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2009 Работа выполнена на кафедре Интегральной электроники и микросистем Московского государственного института...»

«МАКСИН Михаил Владиславович СОЗДАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЙ СИСТЕМЫ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОГО АНАЛИЗА ФАРМАКОЛОГИЧЕСКИХ ДАННЫХ Специальность 05.25.05 ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ И ПРОЦЕССЫ, ПРАВОВЫЕ АСПЕКТЫ ИНФОРМАТИКИ АВТОРЕФЕРАТ ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ КАНДИДАТА ТЕХНИЧЕСКИХ НАУК Москва 2006 Работа выполнена во Всероссийском институте научной и технической информации РАН Научный руководитель : доктор технических наук, профессор...»

«ЛИПИН Андрей Александрович ТЕПЛО- И МАССООБМЕН В ПРОЦЕССАХ ДОПОЛИАМИДИРОВАНИЯ И СУШКИ ПОЛИАМИДА-6 05.17.08 - Процессы и аппараты химических технологий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново 2012 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО “Ивановский государственный химикотехнологический университет” на кафедре “Процессы и аппараты химической технологии”. Научный - кандидат технических наук, доцент руководитель: Кириллов Денис Владимирович -...»

«Бажанова Анна Геннадьевна ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ПОЛУЧЕНИЕ МАГНЕТИТА ДЛЯ СИНТЕЗА МАГНИТНЫХ ЖИДКОСТЕЙ 05.17.03. – Технология электрохимических процессов и защита от коррозии АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново – 2011 2 Работа выполнена в ГОУ ВПО Ярославский государственный технический университет на кафедре Охрана труда и природы и в ГОУ ВПО Ивановский государственный химико-технологический университет на кафедре Технология...»

«СТЕНИНА Елена Ивановна ТЕХНОЛОГИЯ ПРОПИТКИ ДРЕВЕСИНЫ МЫШЬЯКСОДЕРЖАЩИМИ АНТИСЕПТИКАМИ 05.21.05 – Древесиноведение, технология и оборудование деревообработки АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2009 Диссертационная работа выполнена на кафедре древесиноведения и специальной обработки древесины Уральского государственного лесотехнического университета Научный руководитель - кандидат технических наук, доцент Левинский Юрий...»

«ЧЕРЕМИСИНОВ АНДРЕЙ АНДРЕЕВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ТРЕХКОЛЛЕКТОРНОГО БИПОЛЯРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА С НИЗКИМ КОЛЛЕКТОРНЫМ РАЗБАЛАНСОМ ДЛЯ РАБОТЫ В СЛАБЫХ И ПЕРЕМЕННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ Специальность: 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2013 Работа выполнена на кафедре интегральной электроники и...»

«Назарова Виктория Валерьевна ИНТЕНСИФИКАЦИЯ ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА ТОНКОДИСПЕРСНОГО МЕЛА ДЛЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ Специальность 05.17.11 – Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Белгород – 2012 Работа выполнена на кафедре технологии цемента и композиционных материалов Белгородского государственного технологического университета им. В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова)...»

«ЗАХАРЧЕНКО Антон Сергеевич ОБОСНОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЙ ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНОЙ ОТДЕЛКИ ТЕКСТИЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ СТИРОЛМЕТАКРИЛОВЫХ И УРЕТАНОВЫХ ПОЛИМЕРОВ 05.19.02 – Технология и первичная обработка текстильных материалов и сырья АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Иваново 2013 Работа выполнена на кафедре Химическая технология волокнистых материалов федерального государственного бюджетного образовательного...»

«ФАЗЫЛОВА ДИНА ИЛЬДАРОВНА РЕСУРСОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИН С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДРЕВЕСНЫХ НАПОЛНИТЕЛЕЙ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ 05.17.06 - Технология и переработка полимеров и композитов АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Казань – 2010 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Казанский государственный технологический университет (ГОУ ВПО КГТУ) Научный руководитель :...»






 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.