WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 


На правах рукописи

Шеерман Фёдор Иванович

ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ МОДЕЛЕЙ

ЭЛЕМЕНТОВ

Специальность 05.12.07 – Антенны, СВЧ-устройства и их технологии

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Томск – 2007

Работа выполнена на кафедре Компьютерных систем в управлении и проектировании (КСУП) Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (г. Томск).

Научный руководитель: кандидат технических наук, доцент Бабак Леонид Иванович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Сычёв Александр Николаевич кандидат технических наук, Судейко Геннадий Иванович

Ведущая организация: Новосибирский государственный технический университет (НГТУ), г.

Новосибирск

Защита состоится « 18 » сентября 2007 г. в 900 часов на заседании диссертационного совета Д 212.268.01 при Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники по адресу:

634050 г. Томск, проспект Ленина, 40.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники по адресу:

634050 г. Томск ул. Вершинина, 74, корпус ФЭТ.

Автореферат разослан «17» августа 2007 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 212.268. доктор технических наук, профессор В.Н. Татаринов

Общая характеристика работы

Актуальность работы. В настоящий период во всем мире наблюдается исключительно быстрое развитие радиоэлектронных средств в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ). Это обусловлено, прежде всего, возрастающими потребностями общества в передаче, приеме и обработке информации. СВЧ радиоэлектронные системы (РЭС) используются в таких областях, как космическая, спутниковая, сотовая связь, радиовещание, телевидение, радиолокация, телеметрия, измерительная техника, беспроводные системы передачи данных и др.

Особенностью современного этапа развития СВЧ РЭС является все более широкое внедрение полупроводниковых устройств (ППУ) и, в частности, монолитных интегральных схем (МИС). Помимо улучшения основных технических параметров РЭС, таких, как точность и дальность действия, пропускная и разрешающая способности, применение СВЧ МИС позволяет кардинально снизить массу и габариты, повысить надежность и КПД, уменьшить стоимость при серийном производстве и т.д.

При отсутствии технологии МИС принципиально невозможно создавать современные РЭС гражданского и военного назначения с высокими качественными характеристиками.

В настоящее время несколько российских организаций разрабатывают отечественные технологии изготовления МИС. К ним относятся ФГУП «Исток» (г. Фрязино), ФГУП НПП «Пульсар» (г. Москва), институт СВЧ полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ) РАН (г. Москва), НПФ «Микран» (г. Томск), ФГУП НИИ полупроводниковых приборов (НИИПП, г. Томск) и др.

Как показала мировая практика, успешное создание СВЧ интегральных устройств связано с решением не только технологических проблем, но и не менее сложных задач проектирования МИС.

В частности, важнейшей проблемой, с которой сталкивается разработчик, является точное моделирование СВЧ устройств в заданном частотном диапазоне. Для этого используются современные программные средства автоматизированного проектирования СВЧ устройств. Однако успешное проектирование СВЧ устройств возможно только при условии создания библиотек топологических и электрических моделей элементов МИС, отражающих особенности технологии изготовителя, и интеграции этих библиотек в распространенные системы моделирования СВЧ устройств. При разработке и внедрении отечественных технологий изготовления СВЧ МИС такие библиотеки требуется создавать заново.

Другой важнейшей проблемой является автоматизированная подготовка топологии СВЧ МИС с использованием элементов используемой технологии. На этом этапе должен быть осуществлен выбор (синтез) принципиальной схемы и топологии СВЧ монолитного интегрального устройства (МИУ), удовлетворяющих поставленным требованиям. Сейчас, как правило, выбор схемы и топологии МИУ осуществляется на основе эвристического подхода с использованием опыта разработчика, упрощенных инженерных методик расчета, методом проб и ошибок и т.д. Решение этой задачи требует очень квалифицированных кадров со знаниями в области схемотехники, СВЧ техники и интегральной технологии. Обычным является применение многократного моделирования различных вариантов схем и топологий при разных сочетаниях параметров элементов, а также многократной оптимизации МИУ. Это делает процесс создания СВЧ МИС длительным и трудоемким и не гарантирует получения наилучших результатов.

Таким образом, задача создания библиотек моделей, методов и программных средств для автоматизированного проектирования (синтеза) СВЧ МИС на основе отечественных технологий является актуальной.

Задачи синтеза пассивных корректирующих (КЦ) и согласующих цепей (СЦ), а также активных ППУ с КЦ и СЦ рассматривались в работах Шварца Н.З, Толстого А.И., Петрова Г.В., Текшева В.Б, Манченко Л.В., Казанджана Н.Н, Гасанова Л.Г., Бабака Л.И., Карлина Г., Ярмана Б., Никласа К., Меллора Д., Абри П., Гонзалеса Г., Бессера И. и др.

Существующие методы синтеза позволяют достаточно успешно (с учетом определенных ограничений) решать задачи синтеза КЦ и СЦ, а также линейных ППУ с КЦ и СЦ, построенных с использованием идеальных элементов (идеальных резисторов, конденсаторов, катушек индуктивностей линий передачи и т. д.). Для синтеза пассивных КЦ и СЦ целесообразно использовать метод областей, при котором могут быть заданы произвольные требования к цепям в виде областей допустимых значений (ОДЗ) иммитанса. Для проектирования сложных активных СВЧ устройств наиболее удобным и перспективным в настоящее время является декомпозиционный метод синтеза (ДМС), который позволяет осуществить структурный синтез ППУ различных типов с учетом комплекса требований к характеристикам. При этом задача проектирования решается в два этапа:

1) выбор структурной схемы устройства и определение на фиксированных частотах рабочего диапазона ОДЗ параметров КЦ (например, иммитансных параметров или параметров рассеяния) по совокупности требований к характеристикам 2) синтез (выбор структуры и расчет элементов) КЦ по полученным ОДЗ.

Для решения задачи на втором этапе могут применяться интерактивные «визуальные» методики совместно с методом областей.

Однако задача схемотехнического синтеза МИС сопряжена с особыми трудностями. Это объясняется следующими особенностями: элементы МИС описываются сложными моделями, так как обладают потерями и паразитными параметрами, которые должны быть учтены при проектировании; при выборе (синтезе) принципиальной схемы необходимо учитывать топологическую реализацию МИС и ограничения на параметры элементов.

В настоящее время широко используется следующий подход к проектированию СВЧ МИС. Вначале, исходя из требований к МИС, рассчитывается или синтезируется первоначальная цепь на идеальных пассивных элементах (активные элементы описываются эквивалентными схемами или S-параметрами). При этом могут использоваться упомянутые выше методы расчета и синтеза СВЧ устройств. Затем по электрическим параметрам идеальных пассивных элементов определяются конструктивные параметры (обычно геометрические размеры) соответствующих монолитных интегральных (МИ) элементов. Идеальные элементы в цепи заменяются сложными моделями МИ-элементов (например, в виде эквивалентных схем или электромагнитных моделей). После этого проводится параметрическая оптимизация результирующей цепи в пространстве конструктивных параметров МИ-элементов.

Как показала практика, описанный подход обладает рядом существенных недостатков: большая трудоемкость, значительные временные затраты; результат оптимизации сильно зависит от выбора начального приближения; кроме того, нет гарантии, что первоначально выбранная структура цепи при замене идеальных элементов на монолитные сможет удовлетворить поставленным требованиям.

Для снижения временных затрат и трудоемкости, улучшения характеристик устройств методики проектирования СВЧ МИС должны учитывать паразитные параметры элементов уже на этапе выбора (синтеза) структуры цепи, обеспечивать хорошее начальное приближение при выполнении параметрической оптимизации. В литературе неоднократно расНачало начальных значений элементов Автоматический переход от идеальной Анализ характеристик МИ-цепи строится монолитная цепь, при этом каждый идеальный пассивный элемент заменяется моделью соответствующего МИ-элемента. Размеры МИ-элементов автоматически рассчитываются по известным электрическим параметрам идеальных элементов.

Таким образом, параметры моделей элементов МИ-цепи (геометрические размеры) оказываются связанными с величинами элементов идеальной цепи. Кроме моделей МИ-элементов, МИ-цепь может также включать модели соединительных линий (микрополосковые линии, тройники) и заземляющих отверстий (VIA) в подложке, позволяющие более точно учесть особенности реализации и топологию конкретной цепи.

Затем выполняется моделирование монолитной цепи и вычисление целевой функции, оценивающей отличие ее характеристик от требуемых значений. По результатам этой оценки осуществляется изменение структуры и (или) параметров идеальной цепи и соответствующей МИ-цепи. Таким образом, синтез монолитной цепи производится с использованием точных моделей МИ-элементов, учитывающих потери и паразитные параметры. В результате обеспечивается хорошее начальное приближение для последующей оптимизации.

Описанная процедура является универсальной и представляется весьма эффективной при синтезе СВЧ МИУ различных типов. Однако до настоящего времени она не была практически реализована, ряд вопросов требует дальнейшего исследования.

В частности, не исследованы вопросы выбора быстродействующих моделей МИэлементов, не проверена на конкретных моделях процедура автоматического расчета геометрических размеров, не рассмотрено совместное применение преобразования моделей, ДМС и метода областей для проектирования активных и пассивных СВЧ монолитных цепей, не рассмотрены вопросы реализации методики в существующих САПР СВЧ устройств.

На основании вышеизложенного можно сформулировать цель настоящей работы и определить основные направления исследований.

Цель работы. Целью данной работы является разработка и исследование методов и алгоритмов проектирования СВЧ МИУ с использованием методики преобразования моделей, декомпозиционного метода синтеза и метода областей; реализация на этой основе программных систем проектирования СВЧ МИУ; построение и верификация библиотек моделей элементов, проектирование и исследование СВЧ МИУ на базе отечественных GaAs MESFET и pHEMT монолитных технологий.

Цель работы достигается решением следующих основных задач.

1. Построение и верификация моделей основных элементов МИС для отечественных 0,3 мкм GaAs MESFET (НИИПП, НПФ «Микран») и 0,15 мкм GaAs pHEMT (ИСВЧПЭ РАН) технологий изготовления.

2. Разработка процедур автоматического перехода от идеальных пассивных элементов к МИ-элементам с произвольными потерями и паразитными параметрами.

3. Разработка способов проектирования цепей на распределенных элементах.

4. Разработка и исследование методики «визуального» проектирования КЦ и СЦ на монолитных элементах по ОДЗ иммитанса.

5. Разработка методик проектирования монолитных транзисторных СВЧ усилителей на основе декомпозиционного метода синтеза и интерактивных визуальных процедур.

6. Разработка способов интеграции программ синтеза и распространенных САПР СВЧ устройств для применения методики преобразования моделей; реализация самостоятельных и интегрированных программных систем автоматизированного проектирования СВЧ МИС.

7. Разработка и исследование СВЧ МИС различного назначения.

Научная новизна работы заключается в следующем.

1. Впервые реализована и исследована методика проектирования (синтеза и оптимизации) СВЧ МИУ на основе преобразования моделей элементов, позволяющая учесть потери и паразитные параметры монолитных элементов.

2. Впервые предложены процедуры автоматического расчета геометрических параметров пассивных элементов МИС по электрическим параметрам идеальных элементов на основе одномерной и адаптивной многомерной интерполяции.

3. Предложен новый способ проектирования распределенных и сосредоточеннораспределенных цепей, основанный на использовании сосредоточенных идеальных цепей-прототипов и методики преобразования моделей элементов.

4. Предложены интерактивные методики «визуального» проектирования КЦ и СЦ, а также транзисторных усилителей на монолитных элементах на основе метода областей, ДМС и преобразования моделей элементов.

Практическая ценность работы состоит в следующем.

1. Построены модели основных типов МИ-элементов, позволяющие осуществить проектирование СВЧ МИУ, выполненных по отечественным GaAs MESFET и pHEMT технологиям.

2. Разработаны программные модули и способы интеграции, позволяющие в интегрированной среде выполнить синтез и оптимизацию СВЧ МИС с использованием алгоритмов моделирования и библиотек элементов, имеющихся в коммерческих САПР СВЧ устройств.

3. Разработанные алгоритмы, методы и программное обеспечение позволяют сократить время и трудоемкость проектирования СВЧ МИС, разрешают получить устройства с более высокими техническими характеристиками, снижают требования к уровню квалификации и опытности проектировщика. Все это обеспечивает более быстрое выполнение проектных работ при разработке СВЧ МИС, изготавливаемых по отечественным технологиям.

4. С использованием разработанных методов и программ на базе зарубежных и отечественных GaAs MESFET и pHEMT технологий спроектированы СВЧ МИУ различных типов (малошумящие и мощные транзисторные усилители, активные фильтры, конвертеры импеданса, фазовые манипуляторы) с повышенным уровнем требований к комплексу рабочих характеристик. В частности, на основе отечественной 0,15 мкм GaAs pHEMT технологии разработана и изготовлена первая в России опытная партия гетероструктурных МИС малошумящего усилителя (МШУ) диапазона 8 – 12 ГГц с характеристиками на уровне зарубежных аналогов.

Положения, выносимые на защиту.

1. Методика преобразования моделей элементов позволяет осуществить синтез и оптимизацию СВЧ МИУ с учетом потерь и паразитных параметров монолитных элементов.

2. Предложенные способы построения функций преобразования позволяют реализовать методику преобразования для любых моделей монолитных элементов, независимо от вида и структуры моделей.

3. Совместное использование методики преобразования и идеальных цепейпрототипов на сосредоточенных элементах позволяет осуществить синтез распределенных и сосредоточенно-распределенных цепей.

4. Использование методики преобразования моделей элементов совместно с методом областей, ДМС и интерактивными «визуальными» процедурами обеспечивает эффективное проектирование КЦ и СЦ на монолитных элементах, а также СВЧ МИУ Апробация результатов. Представленная работа выполнялась как составная часть НИР на кафедре компьютерных систем в управлении и проектировании (КСУП) ТУСУРа.

Работа была поддержана грантами международной организации INTAS (INTAS № 06-1000016-6390 для молодых исследователей и INTAS-CNES №06-1000024-9199), а также являлась частью НИР, выполняемых по грантам Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ №06-07-96916, 2006 г.) и Министерства образования и науки РФ (грант 2005 г. по программе «Развитие научного потенциала высшей школы»).

Основные результаты исследований опубликованы в работах [1–15], а также докладывались на различных симпозиумах и конференциях, в числе которых Международная научно-практическая конференция «Электронные средства и системы управления», ТУСУР, г. Томск, 2004 и 2005 гг., Всероссийская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР», г.

Томск, 2005 и 2006 гг., Всероссийская научно-техническая конференция студентов и молодых ученых «Современные проблемы радиоэлектроники», КГТУ, г. Красноярск, 2005 и 2007 гг., Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2005, 2006), г. Севастополь, 2005 и 2006 гг., VI научно-техническая конференция «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА» (Пульсар-2007), 2007г.

Реализация и внедрение результатов работы. Методы и алгоритмы, представленные в работе, используются при проектировании СВЧ усилителей и других устройств в НПФ «Микран» (г. Томск), ФГУП НИИПП (г. Томск). Созданные программы внедрены в НПФ «Микран», в Исследовательском институте систем СВЧ и оптической связи (IRCOM, г. Лимож, Франция), а также в учебном процессе на кафедре КСУП ТУСУРа. Разработанные методы и программы использовались при разработке монолитного pHEMT малошумящего усилителя, совместно выполненной ТУСУР, НПФ «Микран» и ИСВЧПЭ РАН (г. Москва).

Личный вклад автора. Все представленные в диссертации результаты исследований получены лично автором либо при его непосредственном участии. В работах, опубликованных в соавторстве, автором получены существенные теоретические и практические результаты.

Публикации. По результатам выполненных исследований опубликовано работ. Из них 1 работа напечатана в журнале, включенном в перечень ВАК.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и 4 приложений. Общий объем работы составляет страниц. Основная часть включает 165 страниц, в том числе 120 страниц текста, рисунка и 20 таблиц. Список используемых источников содержит 142 наименования.

Краткое содержание работы Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, отмечены недостатки существующих подходов к проектированию МИС, определены цели и задачи исследования, показаны научная новизна и практическая ценность работы, излагаются положения, выносимые на защиту.

В первой главе проведен обзор видов моделей элементов и рассмотрены методы проектирования СВЧ МИС.

Для использования в программах оптимизации и синтеза модели МИэлементов должны быть быстродействующими, а также обеспечивать достаточную точность. Этому требованию удовлетворяют следующие группы моделей: модели на базе эквивалентных электрических схем (ЭС-модели), модели на основе многомерных полиномов, модели на базе нейронных сетей. Для построения моделей могут использоваться как результаты измерений, так и результаты полного электромагнитного анализа СВЧ устройств. Проведен обзор ЭС-моделей пассивных элементов МИС:

конденсатора, катушки индуктивности, резистора.

Рассмотрены методы структурного синтеза цепей на элементах с потерями, предложенные в работах С. Дарлингтона, Дж. Андерсена, Й. Су, Л. Лиу, Л. Жу, К.

Лина, Ч. Дезоера и др. Они могут быть разделены на три группы:

1) аналитические методы, основанные на классическом подходе к синтезу цепей;

2) методы предыскажений;

3) численные методы с использованием методов реальной частоты.

Указанные методы обладают рядом существенных недостатков: требуют громоздких вычислений, не являются универсальными, не позволяют учесть паразитные емкости и индуктивности монолитных элементов, не позволяют проектировать сложные активные ППУ. Отмеченные недостатки делают методы малопригодными для проектирования сложных МИС.

Также в первой главе рассматривается интерактивная «визуальная» процедура проектирования КЦ и СЦ по ОДЗ иммитанса. Она включает два шага: выбор структуры КЦ или СЦ, расчет элементов КЦ или СЦ.

Первая задача решается путем сопоставления расположения ОДЗ на плоскости иммитанса с содержащимися в библиотеке семействами годографов входного иммитанса, построенными для цепей различной структуры.

Для решения второй задачи используется следующий интерактивный подход.

Пусть Z( j, e) – импеданс сосредоточенной цепи; e = (e1, e1, …, en) = {R, L, C} – вектор параметров элементов цепи, он включает сопротивления, индуктивности и емкости элементов. Разделим вектор элементов e на два составляющих вектора:

e = (eА, eВ). Вектор eА = (e1, e2) содержит два неизвестных элемента. Вектор eВ = (e3, …, en) содержит остальные элементы, величины которых задаются проектировщиком, это так называемые «управляемые» элементы цепи: e B = e 0.

Среди частот k ( k = 1, m ) выбирается опорная частота ref, на этой частоте задается желаемое (опорное) значение импеданса цепи Zref в пределах соответствующей ОДЗ Eref (рис. 2). Приравнивая комплексное сопротивление цепи на частоте ref требуемому значению, получим систему уравнений с двумя неизвестными e1, e2:

Из (1) может быть найден вектор решения e* и построен годограф импеданса цепи Z( j, e). При этом величины управляемых элементов e 0 будут влиять на форму годографа, который будет проходить через неподвижную (опорную) точку Zref. Изменяя значения опорного импеданса Zref и управляемых элементов цепи, можно добиться попадания импеданса цепи на частотах Рисунок 2 – Процесс нахождения значений элементов КЦ с заданной структурой Интерактивная «визуальная» методика стимулирует интеллектуальные способности человека анализировать ситуацию, помогает осознанному выбору решений и ведет к повышению качества проектирования.

При «визуальном» проектировании СЦ двухполюсная цепь должна представлять собой реактивный четырехполюсник, нагруженный на резистор (рис. 3). ОДЗ выходного импеданса цепи Z могут быть получены, исходя из ограничений на модуль коэффициента передачи.

Описанная процедура ранее была реализована в программе «визуального» проектирования КЦ и СЦ LOCUS и может быть использована для проектирования МИС с использованием методики преобразования моделей.

Для проектирования активных МИУ с КЦ и СЦ предлагается использовать ДМС. Метод обеспечивает общий подход к проектированию линейных и нелинейных водниковых приборов и пассивных КЦ (согласующих цепей, цепей ОС и т. д.). При этом КЦ рассматриваются как управляемая часть цепи, Zin Zout=Z ZL выбором которой добиваются нужных харак- Рисунок 3 – Согласование комплексной теристик устройства в целом. нагрузки и активного сопротивления Вторая глава посвящена выбору и ве- генератора рификации быстродействующих моделей МИ-элементов, а также исследованию процедур преобразования моделей для основных пассивных элементов МИС.

Для обеспечения необходимой точности должна быть выполнена верификация моделей элементов МИС в заданном диапазоне частот и геометрических размеров элементов. С этой целью были выбраны и исследованы ЭС-модели основных пассивных элементов МИС для 0,18 мкм GaAs pHEMT технологии ED02AH (фирма OMMIC, Франция): отрезка МПЛ, неоднородностей в МПЛ, заземляющего отверстия, катушки индуктивности, МДМ-конденсатора, резистора. Выбор технологии ED02AH обусловлен доступностью для нее библиотеки элементов, кроме того, эта технология близка к 0,15 мкм pHEMT технологии ИСВЧПЭ РАН. Модели были реализованы в виде программного кода в среде моделирования Microwave Office (MWO) и MATLAB 6.5, верифицированы путем сравнения с результатами полного ЭМ-моделирования и со встроенными моделями среды MWO. Результаты показали, что ЭС-модели в большинстве случаев могут использоваться до частот порядка 25 ГГц.

Далее на основе результатов исследования параметров технологического процесса, а также результатов измерений удельных емкостей и сопротивлений пассивных элементов, S-параметров транзисторов в среде MWO были построены ЭС-модели основных типов активных и пассивных монолитных элементов для 0,3 мкм MESFET технологии НИИПП и 0,15 мкм pHEMT технологии ИСВЧПЭ РАН.

На примере построенных моделей была разработана и исследована методика преобразования моделей табличным способом. В данной методике как идеальный пассивный элемент (R, L, С), так и соответствующий ему МИ-элемент представляются в виде четырехполюсника (рис. 4) и описываются матрицей параметров W, где W - одна из матриц Z, Y, S. Пусть W I (e ) - матрица идеального элемента; e - электрический параметр идеального элемента (R, L, С); W M (d ) - матрица МИ-элемента;

d = (d1,K, d N ) - вектор конструктивных (геометрических) параметров МИ-элемента.

Близость характеристик идеального элемента и МИ-элемента в некотором частотном диапазоне [L, U ] можно оценить с помощью критерия W M (d) ния остальных параметров d 2,K, d N фиксируются, в этом случае при изменении d1 буРисунок 4 – Преобразование моделей пасдут изменяться форма и размеры МИсивных сосредоточенных элементов МИС «коэффициентов формы» МИ-элемента kn = dn / d1 ( n = 2, N ), при этом значения d 2,..., d N будут следить за значением d1, форма МИ-элемента будет сохраняться, а размеры изменяться пропорционально d1.

В интервале [d1, d1+ ] выбирается множество дискретных значений d1t, n = 1, T.

Для каждого значения d1 = d1t из указанного множества можно найти такое значение электрического параметра e = et, при котором величина минимальна:

Выполнив эту операцию для множества значений d1t [d1, d1+ ], получим в численном виде зависимость При необходимости может быть найден ряд зависимостей вида (2) для различных сочетаний параметров d 2,..., d N или k2,..., k N. Используя (2), можно найти обратную зависимость:

Зависимость (3) позволяет решить задачу синтеза монолитного элемента, т.е.

по электрическому параметру e найти его геометрические размеры d.

Зависимости (d1 ) и 1 (e ) аппроксимируются полиномами, коэффициенты которых сохраняются в памяти ЭВМ. Полученные полиномы позволяют быстро решить задачу перехода от электрических параметров монолитных элементов к геометрическим размерам и наоборот.

Следует отметить, что достаточно точная замена идеального элемента МИэлементом возможна лишь в том частотном диапазоне, где их характеристики близки между собой. Поэтому требуется выполнить исследование характеристик МИэлемента в интервале значений d1 [d1, d1+ ] при заданных сочетаниях d 2,K, d N или k 2,K, k N и определить диапазон частот, в котором возможно замена. Целесообразно также построение нескольких полиномов преобразования для различных частотных диапазонов и для разных интервалов изменения d1.

В частности, при преобразовании параллельно включенной индуктивности (рис. 5) эквивалентность МИ-индуктивности и идеальной индуктивности целесообразно оценивать по мнимой составляющей входного сопротивления.

найти как среднее арифметическое между минимальным и максимальным значениями индуктивности L11 () спиральной катушки в этом диапазоне (рис. 6):

L11max Рисунок 6 – Определение индуктивноL11max L11min ).

сти Для спиральной катушки в качестве варьируемого параметра целесообразно взять общую длину спирали l, а в качестве фиксированных – ширину проводника W и величину зазора G.

В качестве примера на рис. 7 приведена зависимость l = 1 ( L11 ) для квадратI ной спиральной катушки индуктивности при W = G = 10 мкм в частотном диапазоне 1–3ГГц, которая аппроксимирована полиномом третьей степени. Относительное уклонение L для индуктивностей от 0,1 до 5,5 нГн при этом не превысило 7 %. Полиномы преобразования также были построены для диапазонов 4–8 ГГц ( L 8%) и 9– 15 ГГц ( L 11%).

Подобным образом строятся полиномы преобразования для МДМконденсатора и GaAs-резистора в этих же диапазонах частот.

Описанный табличный метод позволяет строить только одномерные функции преобразования. Поэтому был предложен универсальный алгоритм получения многомерных функций преобразования для произвольных моделей МИ-элементов. Алгоритм позволяет получить искомую зависимость 1 в виде многомерного полинома:

Полином (6) дает возможность быстро находить значение изменяемого геометрического параметра МИ-элемента d1 по значениям электрического параметра идеального элемента e и фиксированных геометрических параметров d 2,..., d N.

В основе процедуры лежит адаптивный алгоритм многомерной полиномиальной интерполяции. В этом алгоритме функция F ( X ), заданная своими значениями на некотором множестве точек X ( S ) ( S = 1,..., N S ) в ограниченной области (гиперпараллелепипеде) D = X : xi xi xi+, i = 1,..., n веl, мм Рисунок 7 - Аппроксимация зависимо- эффициенты, которые вычисляются путем приI сти l ( L11 ) в частотном диапазоне 1-3ГГц X (S ).

Процесс построения полинома итерационный. Он начинается на множестве начальных точек, заданных на границе области D, затем точки добавляются по одной адаптивно на основе оценки функции ошибки. В качестве функции ошибки (рефлективной функции) R ( X ) используется расстояние между текущим полиномом Новая точка выбирается вблизи максимума рефлективной функции max R ( X ).

Функция (8) характеризует абсолютные отклонения функций, однако, практическое применение описываемого алгоритма показало, что целесообразнее использовать рефлективные функции, описывающие относительные отклонения.

По мере добавления новых точек добавляются и новые члены к полиному (7).

Процесс продолжается до тех пор, пока не будет достигнута требуемая точность :

В случае применения алгоритма для построения функции преобразования в качестве вектора параметров X выступает вектор [e, d 2,..., d N ]. Задача состоит в построении полинома P ( X ), определяющего зависимость d1 = P ( X ) при изменении вектора X, т.е. параметров e, d 2,..., d N в пределах заданной области D R n. Для ее решения необходимо для каждого значения вектора X = X (S ) знать соответствующую величину геометрического параметра d1 = d1( S ). Иначе говоря, требуется найти такое d1( S ), при котором для известных d 2 S ),..., d NS ) значение электрического параметра МИэлемента будет равно e(S ).

Решение последней задачи осуществляется с помощью оптимизационного алгоритма. Находится значение d1( S ), которое соответствует минимуму функции ошибки Er (e( S ), d ( S ) ), имеющей смысл усредненной по частотам относительной разности между S-параметрами идеального элемента и МИ-элемента в заданном частотном диапазоне [L, U ] при фиксированных e( S ), d 2 S ),..., d NS ) :

После вычисления значений d1( S ), S = 1,..., N S 0 они используются для построения полинома M H ( X ). Далее в области D генерируется новая точка X N S 0 +1, для нее в результате решения задачи (9) находится соответствующее значение d1( N S 0 +1) и т.д. По завершении интерполяционного алгоритма получаем искомый многомерный полином d1 = P (e, d 2...d N ).

Описанный общий адаптивный алгоритм многомерной интерполяции был реализован в программе Model Builder. Программа в автоматическом режиме взаимодействует со средой моделирования MWO. В MWO передаются текущие значения параметра e(S ) и вектора d (S ), затем для внутренних моделей среды при помощи встроенных алгоритмов моделирования и оптимизации находится значение d1( S ), которое возвращается в программу Model Builder.

В качестве примера на рис. 8 приведены результаты построения многомерного полинома преобразования для модели параллельно включенного монолитного МДМконденсатора, выполненного по технологии НИИПП. МДМ-конденсатор в среде MWO описывается моделью TFCM. Изменяемым геометрическим параметром являлась длина конденсатора l, независимым – коэффициент формы k = W / l (где Wширина конденсатора), а электрическим параметром – емкость идеального конденсатора C. Полином преобразования, описывающий зависимость l = 1 (C, k ), построен в частотном диапазоне 1–4 ГГц для интервалов значений C = 0,1…10 пФ, k = 0,5…2.

Была задана требуемая точность = 2 мкм. По завершении работы алгоритма был получен полином из 49 членов, максимальная степень полинома – 7. График зависимости l = P (C, k ) представлен на рис. 8, а. На рис. 8,б представлена поверхность функции относительной ошибки, характеризующей отличие коэффициента отражения S11 идеального конденсатора и МДМ-конденсатора, размеры которого получены с использованием полинома преобразования.

Рисунок 8 – Преобразование модели МДМ-конденсатора:

а) – зависимость длины конденсатора l от емкости С и коэффициента формы k;

б) – ошибка преобразования на частоте 1 ГГц В главе также предлагается методика синтеза распределенных и сосредоточенно-распределенных цепей, основанная на преобразовании моделей пассивных элементов. Согласно методике, в качестве цепи-прототипа используется идеальная сосредоточенная цепь, а в качестве ассоциированной цепи – соответствующая распределенная или сосредоточенно-распределенная цепь. В процессе синтеза оцениваются характеристики распределенной (сосредоточенно-распределенной) цепи, по результатам оценки изменяется структура и значения элементов идеальной сосредоточенной цепи-прототипа. Значения элеменТаблица 1 – Преобразования распределенных элетов цепи-прототипа связаны с па- ментов раметрами распределенных цепей Сосредоточен- Распределен- Формула преобный элемент ный элемент разования функциями преобразования. ТаLc распределенные и сосредоточенноcZ C распределенные цепи как на идеl= альных, так и на монолитных элементах. В качестве функций преобразования используются известные l, Z распределенным (табл. 1).

В третьей главе рассматривается применение методики преобразования моделей для проектирования СВЧ МИС. Вначале предлагается и исследуется интерактивная методика «визуального» проектирования двухполюсных КЦ и четырехполюсных СЦ непосредственно на монолитных элементах с учетом потерь и паразитных параметров. Методика основана на «визуальной» процедуре проектирования КЦ и СЦ и состоит в следующем. На экране компьютера вместе с ОДЗ отображаются одновременно два взаимосвязанных годографа импеданса – идеальной цепи Z I ( j) и соответствующей ей МИ-цепи Z M ( j) (рис. 9). В МИ-цепи каждый идеальный элемент (сопротивление, индуктивность, емкость, идеальная линия передачи) заменяется моделью соответствующего МИ-элемента, геометрические размеры которого рассчитываются по известным электрическим параметрам идеальных элементов с использованием формул преобразования, полученных одним из способов, предложенных в главе Если изменять форму годографа идеальной цепи, варьируя ее элементы, то при этом будет изменяться и форма годографа МИ-цепи.

Задача состоит в определении структуры и геометрических параметров элементов МИ-цепи для выполнения условия где Ek - области допустимых значений для импеданса КЦ.

Вначале пользователь по ОДЗ иммитанса выбирает структуру идеальной КЦ, тем самым задается и структура ассоциированной МИ-цепи. Затем, управляя формой Идеальная цепь Автоматически рассчитываемые как структуры, так и величин элементов монолитной КЦ. Кроме того, возможно в реальном времени контролировать топологию МИ-цепи.

Особенностью проектирования монолитных СЦ является то, что, при наличии потерь в цепи отсутствует однозначная связь между коэффициентами отражения на входе m1 и выходе m2 и коэффициентом передачи G. Размещение точек годографа выходного сопротивления МИ-цепи Z M ( j) в ОДЗ Еk позволяет точно контролировать значение m2, однако не гарантирует получения необходимых уровней согласования на входе m1 и коэффициента передачи G. Поэтому указанные характеристики необходимо в процессе проектирования контролировать дополнительно в режиме реального времени.

Описанная интерактивная процедура была реализована в программе LOCUS/M – MMIC, выполненной в среде инженерных расчетов MATLAB, и в интегрированной среде визуального проектирования монолитных КЦ и СЦ LOCUS-MMIC-MWO.

На примере проектирования нагрузки для конвертера иммитанса показано использование разработанной «визуальной» методики для проектирования двухполюсных КЦ.

Для оценки эффективности предложенной методики при проектировании монолитных СЦ рассмотрено решение известной тестовой задачи Фано: синтезировать цепь для согласования трехэлементной RLC-нагрузки (LL = 3,66 нГн, CL = 0, 76 пФ, RL = 50 Ом) с резистивным сопротивлением генератора в полосе частот f = 0…5 ГГц (рис. 3). Монолитная СЦ проектировалась при использовании технологии ED02AH фирмы OMMIC. При проектировании использовалась интегрированная среда LOCUS-MMIC- MWO.

расположения ента передачи СЦ G0,84, в программе LOCUS были выбраны идеальные цепи-прототипы, по которым в среде MWO автоматически строились соответствующие реализации монолитных СЦ (рис. 10).

0. СЦ, а в табл. 2 приводятся сравнительные характеристики, здесь m1max, m2max – максимальные значения модулей коэффициентов отражения на входе и выходе СЦ в полосе согласования; Gmin – минимальное значение коэффициента передачи по мощности СЦ в полосе согласования; G – неравномерность частотной хаЧастота, ГГц рактеристики передачи мощности. Наименьшие Рисунок 11 – Частотные характеристики передачи мощности СЦ на монолитных элементах Цепь 3, это можно объяснить отсутствием заземляющих отверстий.

Приведенный пример показал эффективность процедуры «визуального» проектирования монолитных КЦ и СЦ в разработанной интегрированной среде. При ее использовании проектировщик может в режиме реального времени быстро сравнить с учетом паразитных эффектов характеристики монолитных СЦ с разными структурами и (или) топологиями и выбрать лучший вариант. Это значительно уменьшает трудоемкость и повышает качество проектирования МИС.

Пример также показал, что структура идеальной цепи, обеспечивающая наилучшие характеристики (Цепь 2), не всегда ведет к оптимальной монолитной цепи.

Таблица 2 – Характеристики монолитных согласующих цепей Для проверки методики «визуального» проектирования распределенных и сосредоточенно-распределенных цепей с использованием преобразования моделей также было рассмотрено проектирование СЦ на отрезках идеальных линий передачи для задачи Фано в полосе частот f = 0…1 ГГц (LL = 18,3 нГн, CL = 3,82 пФ, RL = 50 Ом).

Полученные СЦ и их характеристики приведены в таблице 3 (здесь |Г|max – максимальное значение модуля коэффициента отражения).

Таблица 3 – Результаты синтеза распределенных и сосредоточенно-распределенных СЦ В четвертой главе анализируются способы реализации методики преобразования моделей в программах проектирования, приводится описание разработанных программ и программных модулей. Также представлены результаты разработки МИС различного назначения.

На основе алгоритма, предложенного в главе 2, реализована программа адаптивного построения моделей и функций преобразования в виде многомерных полиномов – Model Builder. Благодаря интеграции со средой моделирования MWO программа позволяет строить функции преобразования для любых моделей, имеющихся в этой среде. Кроме того, программа позволяет интерполировать любую зависимость, которая рассчитывается с помощью среды MWO, и построить быстродействующую модель на основе многомерных полиномов. Программа реализована в среде программирования Visual C++.

Было рассмотрено три возможных варианта построения среды проектирования на базе методики преобразования:

1. Формулы преобразования реализуются в уже имеющихся системах (средах) проектирования СВЧ устройств (рис. 12,а). В среде проектирования строится идеальная цепь-прототип и монолитный аналог. Для получения схемы на идеальных элементах могут использоваться интегрированные в среду программы синтеза. Значения элементов монолитной цепи связываются при помощи формул преобразования со значениями элементов идеальной цепи-прототипа. Проектировщик может в интерактивном режиме или автоматически в процессе оптимизации изменять значения элементов идеальной цепи и тут же контролировать характеристики получившейся монолитной цепи. Этот вариант построения не позволяет использовать внешние программы синтеза, а имеющийся набор встроенных средств синтеза ограничен.

2. Во втором варианте (рис. 12,б) модели элементов вместе с формулами преобразования реализуются в существующих программах синтеза в виде дополнительных программных модулей. Кроме 3. В третьем варианте (рис. 12,в) цепей на идеальных для моделей теза и среды моделирования, в Программы синтеза и оптимизации схемы генерируются в програм- преобразования моделирования ванием формул преобразования модели и алгоритмы, встроенные в среду моделирования. Схема на идеальных Формулы Схема на МИэлементах Рисунок 12 – Варианты построения среды проектиреализован в среде MWO для осу- рования МИ-цепей на базе методики преобразования ществления оптимизации монолит- моделей ных схем в пространстве электрических параметров идеальных цепей-прототипов.

Методика преобразования позволяет сделать процесс оптимизации более удобным и повысить его эффективность.

Второй вариант построения среды проектирования осуществлен в виде программы LOCUS/M – MMIC, написанной в среде инженерных расчетов MATLAB. В программе были реализованы модели основных монолитных элементов (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, соединительные линии), включены формулы преобразования и алгоритм моделирования на основе объединения матриц Sпараметров, что позволяет проектировать несложные монолитные КЦ и СЦ.

Третий вариант реализован в виде интегрированной среды визуального проектирования монолитных КЦ и СЦ LOCUS-MMIC-MWO, построенной при помощи технологии COM-Automation на базе программы LOCUS (Visual C++, автор Зайцев Д.

А.), и среды моделирования MWO (рис. 13). Интегрированная среда позволяет проектировать сложные КЦ и СЦ на основе моделей и алгоритмов моделирования, имеющихся в MWO, а также разрабатывать их топологию в интерактивном режиме.

монолитной цепи идеальной цепи библиотека цепей Рисунок 13 – Рабочая среда программ LOCUS-MMIC и MWO Для реализации программ проектирования СВЧ МИС на основе преобразования моделей разработаны универсальный программный модуль TRANSFORMER, обеспечивающий автоматический расчет геометрических параметров МИ-элементов по электрическим параметрам идеальных элементов, и модуль TRANSLOCUS, содержащий библиотеку из 28 монолитных КЦ и СЦ.

На примере МШУ диапазона 8–12 ГГц рассмотрено применение ДМС, «визуальных» процедур и методики преобразования моделей для проектирования сложных МИУ. При этом для получения ОДЗ импеданса двухполюсных цепей коррекции и обIm Г ратной связи (ОС), исходя из требований к усилитеpF Рисунок 14 – Проектирование выС использованием разработанных методик и ходной СЦ для МШУ Монолитный ФНЧ с частотой среза 5 ГГц, обеспечивающий избирательность, аналогичную чебышевскому фильтру третьего порядка на идеальных элементах (рис.

15). Характеристики МИ-фильтра: коэффициент передачи в полосе пропускания 4,4 ± 0,3 дБ; ослабление за полосой пропускания 32 дБ на частоте 8 ГГц; коэффициент отражения в полосе пропускания –12 дБ. Размер схемы 0,70,8 мм.

Рисунок 15 – Монолитный ФНЧ с частотой среза 5 ГГц (технология ED02AH): а) принципиальная схема; б) результаты моделирования; в) топология Монолитный активный фильтр с активными эквивалентами индуктивности на основе конвертера иммитанса (рис. 16). Фильтр имеет следующие параметры: ценC2 C 50 Ом Рисунок 16 – Монолитный активный фильтр на основе конвертера иммитанса (технология ED02AH): а) принципиальная схема; б) результаты моделирования тральная частота f0 = 2 ГГц, полоса пропускания f = 1,95–2,05 ГГц (относительная полоса пропускания f / f0 = 5 %), затухание в полосе пропускания не более 0,5 дБ, затухание на частотах ниже 1,8 ГГц и выше 2,3 ГГц не менее 35 дБ, модуль коэффициента отражения | S11 | в полосе пропускания не более – 18 дБ.

Монолитный фазовый манипулятор на основе транзисторного каскада с обратной связью (рис. 17). В диапазоне частот 1–10 ГГц манипулятор обеспечивает следующие характеристики в обоих состояниях: коэффициент передачи не менее -5, дБ; неравномерность АЧХ ± 0,1 дБ; коэффициенты отражения на входе и выходе не хуже -9,6 дБ; разность фаз и амплитуд сигнала в обоих состояниях 180° ± 2° и ± 0,3 дБ. Размер схемы 0,750,9 мм.

Рисунок 17 – Монолитный фазовый манипулятор диапазона 1–10 ГГц (технология ED02AH): а) принципиальная схема; б) ОДЗ и годографы импеданса цепи ОС; в) топология Монолитный МШУ диапазона 8–12 ГГц (рис. 18). Экспериментальные образцы монолитного МШУ, изготовленные в ИСВЧПЭ РАН, имеют следующие параметры: коэффициент усиления G = 15,5 ± 1,5 дБ; коэффициент шума NF 2,7 дБ; коэффициенты отражения на входе | s11 | –10 дБ и выходе | s22 | –10 дБ. Потребляемый ток равен 25 мА при напряжении питания 3 В. Измеренный уровень выходной мощности при сжатии сигнала на 1 дБ составил около 6 дБм. Размер схемы 1,61,2 мм.

Рисунок 18 – МШУ диапазона 8–12 ГГц (изготовлен в ИСВЧПЭ РАН по 0,15 мкм pHEMT технологии): а) принципиальная схема; б) результаты измерений; в) топология Монолитный мощный усилитель диапазона 8–12 ГГц со следующими характеристиками (рис. 19): коэффициент усиления G = 12 ± 1,5 дБ; выходная мощность при сжатии амплитудной характеристики на 1дБ P1дБ 20 дБм; коэффициенты отражения на входе | s11 | –13,2 дБ и выходе | s22 | –10,7 дБ. Размер схемы 1,21 мм.

PORT Рисунок 19 – Мощный усилитель диапазона 8–12 ГГц (технология НИИПП): а) принципиальная схема; б) результаты моделирования; в) топология Заключение. Основные результаты работы сводятся к следующему.

1. С целью оптимизации и синтеза СВЧ МИС выбраны, построены, исследованы и верифицированы быстродействующие ЭС-модели активных и пассивных монолитных элементов для отечественных 0,3 мкм GaAs MESFET и 0,15 мкм GaAs pHEMT технологий изготовления.

2. Впервые реализована и исследована методика проектирования СВЧ МИУ на основе преобразования моделей элементов, позволяющая учесть потери и паразитные параметры элементов.

3. Разработаны процедуры автоматического перехода от идеальных элементов к МИэлементам, основанные на одномерной и адаптивной многомерной аппроксимации зависимостей геометрических параметров МИ-элемента от электрических параметров идеального элемента.

4. Предложен новый способ проектирования распределенных и сосредоточеннораспределенных цепей, основанный на использовании сосредоточенных идеальных цепей прототипов и методики преобразования моделей.

5. На основе методики преобразования моделей и метода «областей» разработана и реализована интерактивная процедура «визуального» проектирования монолитных 6. Разработаны методики визуального проектирования СВЧ МИУ с КЦ и СЦ на основе ДМС.

7. Разработана программа адаптивного построения моделей элементов и функций преобразования в виде многомерных полиномов, интегрированная со средой моделирования MWO. Программа позволяет строить функции преобразования для любых моделей МИ-элементов в этой среде.

8. На основе программ LOCUS и MWO разработана интегрированная среда для проектирования монолитных КЦ и СЦ. В сочетании с программами проектирования активных СВЧ цепей, базирующихся на ДМС, она позволяет осуществлять проектирование СВЧ МИУ.

9. На основе результатов теоретических исследований с помощью разработанных моделей, методик и программ спроектированы и исследованы различные СВЧ МИУ, включая пассивные и активные фильтры, фазовые манипуляторы, многокаскадные малошумящие и мощные усилители с высокими характеристиками. В частности, совместно с НПФ «Микран» и ИСВЧПЭ РАН разработана, изготовлена и экспериментально исследована первая в России опытная партия гетероструктурных МИС МШУ диапазона 8-12 ГГц на основе 0,15 мкм GaAs pHEMT технологии.

Параметры усилителя не уступают зарубежным аналогам.

Приложение A содержит краткий обзор и параметры технологии изготовления МИС ED02AH. В приложении Б рассматривается построение и верификация моделей пассивных сосредоточенных и распределенных элементов СВЧ МИС для технологий ED02AH, НИИПП и ИСВЧПЭ РАН. В приложении В рассматриваются разработанные программы и программные модули, описана их структура и способы использования. Состав библиотеки монолитных КЦ и СЦ, разработанной и реализованной в программе LOCUS-MMIC, с указанием структуры и топологии цепей приведен в приложении Г.

Основное содержание диссертации отражено в 15 работах:

1. Черкашин М.В., Бабак Л.И., Шеерман Ф.И., Биллонне Л. Проектирование монолитного активного СВЧ фильтра // Современные проблемы радиоэлектроники:

Сб. трудов всероссийской научн.-техн. конф. – Красноярск: изд-во КГТУ, 2005. – С. 512–515.

2. Черкашин М.В., Бабак Л.И., Шеерман Ф.И. Проектирование монолитного активного СВЧ фильтра на основе преобразования моделей пассивных элементов // Электронные средства и системы управления: Матер. Междунар. научно-практ.

конф.: – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2004. – Ч. 1. – С. 55–60.

3. Бабак Л. И., Шеерман Ф. И., Черкашин М.В. Автоматическое вычисление геометрических размеров пассивных элементов СВЧ монолитных схем по электрическим параметрам // Электронные средства и системы управления: Матер. Междунар. научно-практ. конф. – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2004. – Ч. 1. – С. 40–44.

4. Шеерман Ф. И., Бабак Л. И. Оптимизация СВЧ монолитных интегральных схем в пакете Microwave Office на основе преобразования моделей монолитных элементов // Электронные средства и системы управления: Матер. Междунар. научнопракт. конф. – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2004. – Ч. 1. – С. 49–53.

5. Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Процедура визуального проектирования согласующих цепей для монолитных интегральных СВЧ устройств // Научная сессия ТУСУР 2005: материалы Всероссийской научн.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых специалистов. – Томск: изд-во ТУСУРа, 2005. – С. 228–231.

6. Шеерман Ф.И., Бабак Л.И. Вычисление геометрических размеров пассивных монолитных элементов по электрическим параметрам на основе многомерной адаптивной интерполяции // Электронные средства и системы управления: Матер.

Междунар. научно-практ. конф. – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2005. – Ч. 1. – С.

150–154.

7. Бабак Л. И., Шеерман Ф. И., Черкашин М. В. Сверхширокополосный монолитный фазовый манипулятор на основе транзисторного каскада с обратной связью // Электронные средства и системы управления: Матер. Междунар. научно-практ.

конф. – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2005. – Ч. 1. – С. 110–115.

8. Шеерман Ф.И, Бабак Л.И, Баров А.А, Вьюшков В. А. Проектирование монолитного усилителя мощности диапазона 8-12 ГГц с помощью программ автоматизированного синтеза // Электронные средства и системы управления: Матер. Междунар. научно-практ. конф. – Томск: изд-во ИОА СО РАН. – 2005. – Ч. 1. – С. 154– 9. Шеерман Ф.И., Барышников А.С., Нехорошев М.В., Вьюшков В.А., Бабак Л.И. Интегрированный инструмент для синтеза согласующих цепей в среде проектирования СВЧ-устройств Microwave Office // Научная сессия ТУСУР – 2006:

Материалы Всеросс. научн.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых.

– Томск: В-Спектр, 2006. – Ч. 2. – С. 207–210.

10. Шеерман Ф.И., Барышников А.С., Нехорошев М.В., Вьюшков В.А., Бабак Л.И. Интеграция программы синтеза согласующих цепей в среду проектирования СВЧ устройств Microwave Office // 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2006): Материалы конф. в 2 т. – Севастополь: Вебер, 2006. – Т. 1. – С. 211–212.

11. Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Зайцев Д.А. Интегрированная среда «визуального»

проектирования корректирующих и согласующих цепей монолитных СВЧ устройств // Известия Томского политехнического университета. – Томск, 2006. – Т.

309. – №8. – С. 166–171.

12. Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Вьюшков В.А., Зайцев Д.А. Генетический синтез согласующих цепей по областям допустимых значений иммитанса // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. трудов всероссийской научн.-техн. конф. – Красноярск: изд-во КГТУ, 2007. – С. 241–244.

13. Шеерман Ф.И., Бабак Л.И., Зайцев Д.А. Интегрированная среда «визуального»

проектирования согласующих цепей монолитных СВЧ устройств // Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА (Пульсар–2007): Сб. материалов 6-ой научно-техн. конф. – 2007. – С. 156– 14. Черкашин М.В., Бабак Л.И., Шеерман Ф.И., Баров А.А. Визуальное проектирование монолитного малошумящего усилителя Х-диапазона // Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА (Пульсар–2007): Сб. материалов 6-ой научно-техн. конф. – 2007. – С. 162– 15. Мокеров В.Г., Гюнтер В.Я., Аржанов С.Н., Федоров Ю.В., Щербакова М. Ю., Черкашин М.В., Бабак Л.И., Баров А.А., Шеерман Ф.И. и др. GaAs p-HEMT МИС МШУ X-диапазона частот // Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА (Пульсар–2007): Сб. материалов 6-ой научно-техн. конф. – 2007. – С. 51–

 


Похожие работы:

«Каравашкина Валентина Николаевна Исследование замедляющих систем с аномальной дисперсией и разработка устройств на их основе Специальность: 05.12.07 Антенны, СВЧ устройства и их технологии Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2011 Работа выполнена на кафедре Электроники и микроэлектронных средств телекоммуникаций Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования Московский технический...»

«ПЕТРОВ Виталий Валерьевич СТРУКТУРА ТЕЛЕТРАФИКА И АЛГОРИТМ ОБЕСПЕЧЕНИЯ КАЧЕСТВА ОБСЛУЖИВАНИЯ ПРИ ВЛИЯНИИ ЭФФЕКТА САМОПОДОБИЯ 05.12.13 – “Системы, сети и устройства телекоммуникаций” АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук Москва, 2005 Работа выполнена на кафедре Радиоприемных устройств Московского энергетического института (Технического университета) Научный руководитель – кандидат технических наук, профессор БОГАТЫРЕВ Евгений...»

«Демский Дмитрий Викторович МЕТОД РАСЧЁТА ЭФФЕКТИВНОСТИ ЭКРАНИРОВАНИЯ ДЛЯ НЕОДНОРОДНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ЭКРАНОВ Специальность 05.12.04 – Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2014 Работа выполнена в федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего профессионального образования Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики....»

«УДК 621.396.96 Белоруцкий Роман Юрьевич Цифровые методы имитации эхосигналов РЛС с синтезированием апертуры антенны Специальность: 05.12.14 – Радиолокация и радионавигация Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Томск – 2014 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет. Научный руководитель : доктор...»

«Донкеев Сергей Сергеевич ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВХОДНЫХ ФИЛЬТРОВ НА ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИМПУЛЬСНЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ 05.12.04 Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук Самара — 2006 Работа выполнена на кафедре основ...»

«ПОЗДНЯК Ирина Сергеевна РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ АЛГОРИТМОВ АДАПТИВНОЙ МАРШРУТИЗАЦИИ В МУЛЬТИСЕРВИСНЫХ СЕТЯХ СВЯЗИ Специальность 05.12.13 – Системы, сети и устройства телекоммуникаций АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Самара 2009 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики (ГОУВПО ПГУТИ). Научный...»

«Xвaлин Aлeкcандp Львoвич Aнaлиз и cинтeз интeгpaльныx мaгнитоупpaвляемыx рaдиoтeхничecкиx устpoйств нa фeppитoвыx peзoнaтopax 05.12.04 Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Самара – 2014 Работа выполнена в ОАО Институт критических технологий, г.Саратов Официальные оппоненты : Ильин Евгений Михайлович, д.ф.-м.н., ведущий аналитик Инновационного технологического центра КНП МГТУ им....»

«БЕЛОВ ДМИТРИЙ ИГОРЕВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ УДАРОЗАЩИЩЕННЫХ ПОЛИМЕРНЫМИ КОМПАУНДАМИ КОНСТРУКЦИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ Специальность 05.12.04 - Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Владимир 2012 Работа выполнена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования...»

«Смирнов Александр Сергеевич МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ЦИФРОВЫХ РАДИОЛИНИЙ СВЯЗИ Специальность: 05.12.13 — Системы, сети и устройства телекоммуникаций Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва - 2009 Работа выполнена на кафедре Радиоэлектронные и телекоммуникационные устройства и системы Московского государственного института электроники и математики (технического университета) доктор технических наук, профессор...»

«Лемешко Николай Васильевич РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ УЗЛОВ РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ С ПРИМЕНЕНИЕМ IBIS-МОДЕЛЕЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 05.12.04 — Радиотехника, в т.ч. системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2008 Работа выполнена на кафедре Радиоэлектронные и телекоммуникационные устройства и системы Московского государственного института электроники и математики. Научный...»

«ПРОФЕРАНСОВ Дмитрий Юрьевич АЛГОРИТМЫ МНОГОУРОВНЕВОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ КОРПОРАТИВНЫХ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ СЕТЕЙ Специальность 05.12.13 – Системы, сети и устройства телекоммуникаций АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва 2012 1 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) на кафедре Вычислительные системы и сети. Научный руководитель : Доктор технических наук,...»

«Бакеев Владимир Борисович СОЗДАНИЕ МЕТОДИК И ОСНОВ ПРОЕКТИРОВАНИЯ КОМПЛЕКСОВ ОБОРУДОВАНИЯ КОНФИДЕНЦИАЛЬНЫХ КОРПОРАТИВНЫХ СИСТЕМ ТОННЕЛЬНОЙ РАДИОСВЯЗИ Специальность 05.12.13 Системы, сети и устройства телекоммуникаций Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Самара – 2009 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики...»

«БЕЛИК Глеб Андреевич МЕТОД ПОВЫШЕНИЯ УСТОЙЧИВОСТИ ПЕЧАТНЫХ УЗЛОВ БРЭА КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ К ВОЗНИКНОВЕНИЮ ЭСР Специальность 05.12.04 – Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2013 Работа выполнена на кафедре физической химии и экологии Национального исследовательского университета Высшая школа экономики Саенко Владимир Степанович, Научный руководитель : доктор...»

«Xвaлин Aлeкcандp Львoвич Aнaлиз и cинтeз интeгpaльныx мaгнитоупpaвляемыx рaдиoтeхничecкиx устpoйств нa фeppитoвыx peзoнaтopax 05.12.04 Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Самара – 2014 Работа выполнена в ОАО Институт критических технологий, г.Саратов Официальные оппоненты : Ильин Евгений Михайлович, д.ф.-м.н., ведущий аналитик Инновационного технологического центра КНП МГТУ им....»

«Бражников Вячеслав Анатольевич РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ФИДЕРНЫХ УСТРОЙСТВ ДКМВ ДИАПАЗОНА С УЧЕТОМ КВАЗИРАСПРЕДЕЛЕННОГО ХАРАКТЕРА ИХ ЭЛЕМЕНТОВ Специальность 05.12.07 Антенны, СВЧ-устройства и их технологии Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Самара – 2011 Работа выполнена в Федеральном государственном образовательном бюджетном учреждении высшего профессионального образования Поволжский государственный университет...»

«Гюнтер Антон Владимирович ФОРМИРОВАНИЕ НОВЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЕЙ С НУЛЕВОЙ ЗОНОЙ КОРРЕЛЯЦИИ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ В ШИРОКОПОЛОСНЫХ СИСТЕМАХ Специальность 05.12.13 Системы, сети и устройства телекоммуникаций Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Самара – 2013 Работа выполнена в Федеральном государственном образовательном бюджетном учреждении высшего профессионального образования Сибирский государственный университет...»

«Ба хт ин Ал екса нд р А л екса н д ро ви ч Разработка методов управления связностью и обеспечения качества обслуживания в мобильной эпизодической сети с ретрансляцией Специальность 05.12.13 — Системы, сети и устройства телекоммуникаций Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва, 2009 Работа выполнена на кафедре Телекоммуникационные системы Московского государственного института электронной техники (технического университета) Научный...»

«ОСТАНКОВ Александр Витальевич ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ РЕЗОНАНСНЫХ ГРЕБЕНЧАТЫХ СТРУКТУР ДЛЯ АНАЛИЗА И СИНТЕЗА ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ДИФРАКЦИОННЫХ АНТЕНН Специальность: 05.12.07 Антенны, СВЧ устройства и их технологии АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Воронеж – 2011 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Воронежский государственный технический университет Научный консультант доктор технических наук, профессор Юдин Владимир Иванович Официальные...»

«МИЛЮТИН Данила Святославович УДК 621.391 ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ СПУТНИКОВОЙ РАДИОНАВИГАЦИИ В УСЛОВИЯХ МНОГОЛУЧЁВОСТИ Специальность 05.12.14 - радиолокация и радионавигация Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель д.т.н., профессор М. И. Жодзишский Москва, 2010 Работа выполнена на кафедре 402 Радиосистемы управления и передачи информации Московского авиационного института (государственного технического университета)...»

«ПЛАСТИКОВ Андрей Николаевич ПРОЕКТИРОВАНИЕ МНОГОЛУЧЕВЫХ ОФСЕТНЫХ ДВУХЗЕРКАЛЬНЫХ АНТЕНН С ОДНОКООРДИНАТНЫМ И ДВУХКООРДИНАТНЫМ СКАНИРОВАНИЕМ Специальность 05.12.07 – Антенны, СВЧ устройства и их технологии АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Москва – 2013 Работа выполнена на кафедре Антенных устройств и распространения радиоволн Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования...»







 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.