WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ им. У.А.Арифова

На правах рукописи

УДК 537.533:537.534

КУРБАНОВ МУЗАФФАР КАДАМБАЕВИЧ

РАСПЫЛЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ LiF(100), Si(111) И 3C-SiC ПРИ

БОМБАРДИРОВКЕ МОНОАТОМНЫМИ (Ar+) И ПОЛИАТОМНЫМИ

(SF5+) ИОНАМИ 01.04.04 - Физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ташкент- 2012

Работа выполнена в Институте электроники им. У.А.Арифова АН РУз доктор физико-математических наук,

Научный руководитель:

профессор Юсупов Ахмед доктор физико-математических наук,

Официальные оппоненты:

профессор Турсунметов Комилжон Ахметович кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Максимов Сергей Евлантиевич

Ведущая организация Ташкентский государственный технический университет

Защита состоится «_»_2012 г. вчасов на заседании Объединенного специализированного совета Д.015.23.01 при Институте электроники имени У.А. Арифова и Институте ядерной физики Академии наук Республики Узбекистан по адресу: 100125, Ташкент, ГСП, Академгородок, Дурмон йули, 33. Тел.:(998-71) 262-79-40, факс(998-71) 262-87-67, е-mail:

aie@aie.uz

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института электроники им.

У.А. Арифова АН РУз и Фундаментальной библиотеке АН РУз.

Автореферат разослан «»_2012г.

Ученый секретарь Объединенного специализированного совета, доктор физико-математических наук, профессор Ж.Д.Ибрагимов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИССЕРТАЦИИ

Актуальность работы. Распыление поверхности твердых тел под действием атомных частиц находит все более широкое применение как в физических исследованиях, так и в различных технологических процессах, в частности, при обработке материалов микроэлектроники. Успешное применение распыления в значительной мере определяется уровнем развития фундаментальных исследований этого явления.
В зависимости от механизма протекания процесса различают столкновительное, электронное и химически стимулированное распыление. Основное внимание в данной работе уделено исследованию процессов физического и химически стимулированного распыления полупроводников и диэлектриков при облучении атомарными и молекулярными ионами. Такие исследования представляют как фундаментальный, так и прикладной интерес. С физической точки зрения пучки молекулярных частиц за счет высокой плотности выделяемой энергии при торможении в веществе и больших сечений взаимодействия с его атомами представляют интерес для выяснения механизмов распыления и эрозии поверхности и закономерностей образования и эмиссии кластеров. Работ по изучению влияния концентрации активных атомов в молекулах на характер травления мало, хотя эффективность распыления в большой степени определяется плотностью столкновений, стимулируя вклады физического и химического травления.

В процессах травления химически активными частицами трудно выделить вклад физического и химического механизмов, так как физическое распыление активирует поверхность материала, повышая скорость химических реакций, которые, в свою очередь, ослабляют химические связи поверхностных атомов, увеличивая скорость их физического распыления. При идентичных условиях число смещенных и распыленных атомов мишени на падающую молекулу оказывается большим, чем в сумме индивидуальными атомами молекулы.

Считая, что характерная энергия химической связи составляет 110эВ, можно предположить, что большое количество связей будет разрушено и подвижность атомов и молекул материала мишени возрастёт. Если же ион содержит некоторое количество химически активных атомов, то они также будет захвачены в приповерхностной области, обеспечивая реагентом химически стимулированное распыление.

Степень изученности проблемы. В последние годы важное значение приобретает проблема генерации и практического использования молекулярных пучков при решении задач микроэлектроники, к их числу относятся:

1. Изучение процессов физического и химического травления поверхности полупроводниковых материалов реактивными ионами.

2. Практически не изучена топография поверхности, развиваемая под действием молекулярных ионов, в сравнении с бомбардировкой атомарными частицами.

Существенное увеличение выхода распыленных частиц при полиатомной бомбардировке увеличивает чувствительность обнаружения примесных атомов по глубине при анализе поверхности полупроводниковых материалов.

4. Мало изученными являются процессы химически стимулированного молекулярного распыления при бомбардировке субкэвными (Е1кэВ) Связь диссертационной работы с тематическими планами НИР. Тема диссертации непосредственно связана с тематическими заданиями Государственной научно-фундаментальной программы Ф-2.1.16 «Ожеэлектронные и столкновительные процессы распыления и образования дефектов при взаимодействии многозарядных и полиатомных ионов с поверхностью полупроводников и диэлектриков», выполненной в 2002-2007г.

Целью исследования закономерностей распыления и эрозии поверхности ионных и полупроводниковых кристаллов при облучении их моно- и полиатомными ионами, в зависимости от числа атомов и энергии бомбардирующих частиц, температуры мишени.

Задачи исследования:

1. Разработка методики и модернизация экспериментальной установки для комплексного исследования эмиссии вторичных частиц и структурных нарушений поверхностей диэлектриков и полупроводников под действием моно- и полиатомных ионов в условиях контроля состояния поверхности мишеней до и после облучения.

2. Изучение массового состава положительных распыленных частиц с поверхности кристаллов LiF(100), Si(111) и 3С-SiC при облучении моно- и полиатомными ионами.

3. Исследование температурных и энергетических зависимостей выхода вторичных частиц с поверхности кристаллов LiF(100), Si(111) и 3С-SiC.

4. Сравнительное изучение топографии поверхности LiF(100) и 3С-SiC, развиваемой в процессе облучения ионами Ar+ и SF5+.

Объект и предмет исследования. Объектом исследования являются ионный монокристалл LiF(100) и полупроводниковые кристаллы Si(111), 3СSiC. Предметом исследования являются процессы атомарного и молекулярного распыления и состояния структуры поверхности ионного монокристалла LiF(100) и полупроводниковых кристаллов Si(111), 3С-SiC при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными SF1+SF5+ ионами.

Методы исследования. Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и оптическая микроскопия (ОМ).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Методики получения пучков полиатомных газовых ионов (SFn+, n=15) субкэвной энергии и измерения масс-спектров распределения кластерных ионов с компенсацией потери интенсивности первичного молекулярного пучка при регулировании давления газа в ионном источнике.

2. Масс-спектры вторичных ионов при распылении кристаллов LiF(100), Si(111) и 3С-SiC с ионами Ar+ и SFn+ в зависимости от числа атомов n в бомбардируемой молекуле.

3. Температурные зависимости вторичной ионной эмиссии LiF(100) в интервале температур 20-6000С, а также данные решеточных и примесных ионов мишеней Si(111) и 3С-SiC при облучении моно Ar+ и полиатомными ионами SF5+.

4. Энергетические зависимости физического и химически стимулированного ионного распыления при облучении поверхности ионного кристалла LiF(100) и полупроводниковых мишеней Si(111) и 3С-SiC ионами Ar+ и SFn+.

5. Эрозия поверхности кристаллов LiF(100) и 3С-SiC, развиваемая при облучении моно- и полиатомными ионами.

Научная новизна:

1. Модернизирована сверхвысоковакуумная экспериментальная установка с целью стабилизации первичного ионного пучка молекулярных ионов низкой энергии (E0~10-15эВ) на один бомбардирующий атом.

2. Впервые при облучении монокристалла LiF(100) полиатомными ионами SF2+SF5+ установлено возрастание выхода атомарных ионов в 2-8 раза, молекулярных на 0,51,5 порядка по сравнению с результатами воздействия ионов Ar+ и SF1+.

3. Впервые установлена немонотонная зависимость выхода вторичных ионов от изменения температуры мишени Si(111) и 3С-SiC, что связано с различными режимами распыления, в результате изменения концентрации адсорбированного фтора и примесных атомов на поверхности.

4. Установлено, что при низких энергиях облучения Е1кэВ химически активная компонента бомбардирующего иона SFn+ играет основную роль в химически стимулированном распылении Si(111) и 3С-SiC. Ионы с большим содержанием атомов фтора производят наибольшее эрозии кремниевых кристаллов.

5. Впервые установлено, что при полиатомной бомбардировке степень эрозии поверхности LiF(100) и 3С-SiC возрастает в результате образования плотных скоплений ямок травления, что коррелирует с повышенным удалением материала мишени в виде атомарных и молекулярных ионов.

Научная и практическая значимость результатов исследования.

Полученные в работе новые результаты представляют интерес для физики взаимодействия полиатомных и химически активных частиц с поверхностью различных типов твердых тел и способствуют выяснению механизмов распыления в результате столкновительных и химических процессов.

Выявленные закономерности эмиссии комплексных ионов из ионного кристалла могут представлять интерес в связи с использованием полиатомной бомбардировки для изучения состава и структуры испускаемых многоатомных частиц диэлектрических и органических материалов, имеющих молекулярную структуру в процессе распыления. Существенное увеличение выхода распыленных частиц при молекулярной бомбардировке увеличивает чувствительность обнаружения примесных атомов по глубине при послойном и общем анализе полупроводниковых материалов. Выявление структурных изменений поверхности неметаллов при облучении атомарными и молекулярными ионами важно для выяснения механизмов распыления различных комплексных частиц.

Реализация результатов работы. Высокий выход распыленных частиц в ионизированном состоянии важен для использования молекулярных ионов в целях диагностики поверхности методом ВИМС, получения пучков многоатомных частиц различных веществ и использованием их в фундаментальных исследованиях. Полученные результаты могут способствовать совершенствованию технологии целенаправленной ионнолучевой обработки материалов полиатомными ионами в результате независимого управлением числом и кинетической энергией падающих частиц на образцы, с использованием аналитической аппаратуры для изучения структуры и эволюции облучаемей поверхности.

Апробация работы. Основные положения диссертации докладывались и обсуждались на научных семинарах Института электроники АНРУз, а также на:

Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2002, 2003, 2004, 2005); Республиканской конференции по физической электронике (Ташкент, 2002, 2005, 2009); Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 2003, 2005); Международной конференции посвящённой 90-летию академика С.А.Азимова (Ташкент, 2004); Международной конференции, посвящённой 15летию независимости Узбекистана (Ташкент, 2006).

Опубликованность результатов. Основное содержание диссертации опубликовано в 20 научных работах, из них 5 статей в международных и республиканских научно-технических изданиях, 15 тезисов в изданиях международных и республиканских научно-практических конференций.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованной литературы из наименований. Работа изложена на 132 страницах, содержит 40 рисунков, таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обосновывается актуальность выбранной темы исследований, её научное и прикладное значение, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, и показана новизна полученных результатов.

В первой главе приводятся обзор и анализ научной литературы, посвященной исследованию распыления и травления поверхности различного класса твердых тел под действием атомарных и молекулярных ионов.

Рассмотрены механизмы, типы травления в полупроводниковых образцах.

Подробно излагаются существующие модели травления, основные способы изучения процесса и экспериментальные закономерности. Показывается актуальность сравнительного экспериментального исследования травления полупроводниковых материалов под действием атомарных и молекулярных ионов.

сверхвысоковакуумной установки и методов исследования продуктов десорбции и распыления полупроводниковых материалов под действием потоков электронов, моно- и полиатомных ионов.

Экспериментальная сверхвысоковакуумная установка состоит из следующих узлов: источники моно Ar+ и полиатомных SF5+ ионов с фильтром Вина, электронная пушка, изготовленная для исследования электронностимулированной десорбции, позволяющая получать пучок медленных электронов в диапазоне энергий 5-1000эВ с током 10-7А/см2 на мишени;

монопольный радиочастотный масс-спектрометр МХ-7304, позволяющий исследовать выход вторичных положительных ионов. Использование монопольного масс-спектрометра, пропускание которого не зависит от энергии положительных ионов в условиях слабой зарядки, позволило исследовать температурные зависимости выхода вторичных ионов. Разработаны системы замедления и методика измерения масс-спектров распределения кластерных ионов с компенсацией потери интенсивности первичного молекулярного пучка при регулировании давления газа в ионном источнике. Преимуществом разработанной методики является возможность в одном эксперименте проводить комплексное изучение ЭСД и распыления.

В третьей главе представлены результаты сравнительного исследования эмиссии с поверхности ионного кристалла LiF(100) при бомбардировке моно- и полиатомными ионами.

В параграфе 3.1. приведены результаты сравнительных исследований эмиссии вторичных ионов из LiF(100) при облучении моно Ar+ и полиатомными SFn+(n=15) ионами. В случае ионов Ar+ процесс эрозии протекает за счет физического распыления, а в случае SFn+ эрозия может происходить в результате совместного действия физического и химически стимулированного распыления. Однако, вероятность прилипания летучего фтора из газа SF60 к поверхности нагретого LiF(100) будет низка, потому что, во-первых, составляющие LiF(100) имеют насыщенный тип связи, во-вторых, ионная доза, используемая для анализа, меньше пороговой для изменения стехиометрического состава поверхности. Поэтому можно полагать, что распыление мишени ионами SFn+ будет протекать преимущественно за счет упругих столкновений.

В параграфе 3.2. приводятся результаты исследований температурных зависимостей эмиссии вторичных частиц из чистой поверхности LiF(100) в интервале температур 20-6000С, в процессе облучения ионами Ar+ и SF5+.

Вакуум в области мишени по остаточным газам был не хуже 23·10-9торр.

Контроль изменения состава поверхности мишени в процессе её нагрева дополнительно производился методом ЭСД. Значения интенсивности выхода вторичных частиц фиксировались обычно через 5-7 минут после изменения температуры мишени.

Эксперименты показали, что кривые зависимости выхода ионов от температуры Y=f(T) под действием двух типов ионов имеют примерно подобной характер, а сами выходы ионов сложным образом зависят от изменения температуры.

В параграфе 3.3. приводится информация об образовании и эмиссии простых и сложных ионизованных комплексов при облучении неметаллов полиатомными ионами в зависимости от их кинетической энергии E0.

Энергетические зависимости выхода Y(E0) вторичных частиц из LiF(100) при облучении ионами Ar+ и SFn+(n=15) в диапазоне энергий E0=0,11,2 кэВ приведены на рис.1.

Установлено, что выходы как простых (Lin+, Fn+), так и сложных комплексных соединений Li+(LiF)n+, где n=14, по-разному зависят от изменения E0 и природы бомбардирующих частиц. Так, при облучении ионами Ar+ и SF1+ динамика изменения выхода вторичных частиц от E бомбардирующих ионов Ar+ и SF1+, имеет схожий характер: при малых E наблюдается быстрый рост Y, а далее с увеличением E0 выходы ионов замедляются. Можно полагать, что максимальная энергетическая эффективность ионного распыления для всех SFn (n=15) находится в диапазоне 400-600эВ. При этом максимальная доля энергии ионов расходуется на процесс распыления кристалла LiF(100). Эффективность распыления полиатомными ионами можно связать: с максимальной передачей энергии при одновременном столкновении нескольких фторидов, входящих в состав бомбардирующей молекулы и с атомами мишени; с повышенным образованием и удалением молекулярных комплексов. При низкоэнергетической бомбардировке возрастание выхода вторичных частиц, видимо, происходит в результате генерации коррелированных каскадов рекойлов. Обнаружено уменьшение пороговых энергий выхода комплексных частиц с ростом числа атомов в последовательности SF3+SF5+.

В параграфе 3.4. приводятся результаты исследований увеличения выхода положительных атомарных и молекулярных ионов из кристалла LiF(100) с ростом числа атомов в составе молекулы SFn+(n=15), которые позволяют считать, что степень эрозии поверхности образца зависит от числа атомов в составе бомбардирующей молекулы. В связи с этим, эксперименты по распылению сопровождались сравнительным изучением микрорельефа поверхности LiF(100), развивающегося в процессе облучения ионами Ar+ и SF5+. Опыты проводились при одинаковых дозах облучения 1016ион/см2, энергии ионов E0=1,5кэВ, температуры мишени ~200°С. Облучение проводилось под углом 450 относительно нормали. В случае бомбардировки ионами Ar+ на облученной поверхности образца формируются ямки эрозии с меньшей плотностью и менее ярко выраженной кристаллографической огранкой. Поверхность дна ямок примерно плоская. Наблюдается уширение ямок эрозии в результате слияния их с малыми ямками. Бомбардировка поверхности LiF(100) более тяжелыми ионами SF5+ вызывает увеличение плотности ямок эрозии, с лучше выраженной геометрией.

ВЫХОД Рис.1. Энергетические зависимости выхода вторичных частиц при облучении LiF(100) ионами Ar+ и SFn+(n=15) В четвертой главе методами ВИМС и ОМ исследовались процессы физического и химически стимулированного распыления, а также структуры поверхности кристаллов Si(111) и 3С-SiC до и после облучения ионами Ar+ и SF5+. Исследованы поверхности кристаллов Si(111) и 3С-SiC при облучении химически активными ионами SF1+SF5+ и ионами инертного газа Ar+.

Изучены: массовый состав вторичных частиц, их выходы в зависимости от числа атомов F в бомбардирующей молекуле в диапазоне кинетических энергий Е0=0,13,0кэВ и температуры мишени 255000С. Проведены сравнительные бомбардировке ионами Ar и SF5.

В параграфе 4.1. представлены результаты изучения и выявления вклада физического и химически стимулированного распыления полупроводниковых мишеней в виде заряженных ионов. Для этого был изучен полный массспектральный состав вторичных положительных ионов под действием инертного Ar+ и химически активных SFn+ молекулярных ионов. Найдено, что состав вторичных частиц в результате как физического, так и химически стимулированного распыления довольно сложен. В масс-спектрах из обезгаженных поверхностей Si(111) и 3С-SiC обнаружены ионы, которые по происхождению можно разбить на группы:

1. Одноатомные однозарядные ионы элементов Si+, C+. В масс-спектре эти ионы по интенсивности, в основном, преобладают над другими видами 2. Многоатомные SimCn+(m, n=26) однозарядные кластерные ионы элементов мишеней. Для этих ионов характерной является тенденция уменьшения их интенсивности с увеличением числа атомов в кластере.

3. Многоатомные фторсодержащие SimFn+, CFn+(m, n=14), а также оксиды кремния SimOn+ малой интенсивности (m, n=15).

4. Примесные щелочные ионы Na+ и K+ малой интенсивности.

При бомбардировке Si(111) и 3С-SiC ионами Ar+, бомбардируемый слой практически не меняет свой состав и остается “чистым” кремнием. При воздействии химически активных молекул SFn+(n=15) образуется модифицированный слой гетерогенного состава SimFn+, CmFn+, где m, n=14.

В параграфе 4.2. приведены температурные зависимости выхода решеточных и фторидо-кремнивых ионов из Si(111) и 3С-SiC при облучении ионами SFn+(n=15), а также выходы вторичных и примесных ионов от изменения температуры мишени Si(111) и 3С-SiC в интервале 250С5000С, на примере облучения ионами SF5+.

Установлен факт немонотонной зависимости выхода решеточных частиц от температуры, что объясняется вкладом различных режимов травления полупроводника. При низких температурах образца 252000С ионы выбиваются, в основном, из образующихся на поверхности химических соединений, имеющих слабые связи, которые разрушаются с повышением температуры, с образованием минимума распыления при 2000С. Общий характер влияния такого процесса примерно одинаковый для всех видов ионов.

Дальнейшее увеличение температуры до 2502700С приводит к возрастанию распыления, что связывается со снижением адсорбции фторидов и возрастанием доли физического распыления. В интервале 2705000С распыление ионов слабо зависит от изменения температуры, что, видимо, связано с образованием равновесного покрытия.

Исследования показали, что эмиссия вторичных атомарных примесей Na+, K+, P+ в конце исследованного интервала температур становится либо неизмеримо малой, либо достигает малого постоянного значения. Следует отметить, что уменьшенная при высокой температуре образца эмиссия вторичных ионов примесей снова появляется при снижении температуры.

Однако, выход вторичных ионов примесей при снижении температуры образца существенно меньше тока, наблюдаемого при повышении температуры образца.

В параграфе 4.3. приведены закономерности молекулярного распыления в результате исследования выхода вторичных продуктов от параметров ионной бомбардировки, а также материалов мишеней с учетом влияния среды.

Результаты сравнительных исследований выхода распыленных частиц из Si(111) и 3С-SiC под действием отдельных ионов SF1+SF5+ и их кинетической энергии Е0, показывают, что динамика изменения выхода вторичных частиц из Si(111) и 3С-SiC от энергии E0 бомбардирующих ионов SF1+SF5+ при столкновительном и химически стимулированном распылении отличается. Так, в интервале значений Е0=0,10,5кэВ физическое распыление резко уменьшается при приближении к порогу, в то время как частицы, распыляемые химическим путем, лишь медленно уменьшаются даже при низких энергиях (Е050эВ) бомбардирующих ионов. При энергии менее 1кэВ химически активная компонента иона играет основную роль при травлении. Поэтому ионы с большим содержанием атомов фтора (SF4+ и SF5+) производят наибольшее распыление. Установлено, что в области E=1,03,0кэВ доля физического распыления в виде атомарных ионов Si+, C+ и димеров Si2+, C2+ преобладает в 3раз над химическим. Однако, выходы фторсодержащих соединений SimFn+, CmFn+ в 2-5 раз превышают выходы решеточных молекул SimCn+ и кластерных ионов Sin+(n4). Эмиссия частиц от изменения Е0 бомбардирующих ионов при физическом и химически стимулированном распылении рассматриваются с точки зрения эффективности передачи импульса и энергии атомам мишени в условиях фторированной поверхности и вероятностью образования продуктов химической реакции при имплантации атомов фтора в нарушенную решетку полупроводника.

В параграфе 4.4. приведено результаты сравнительного исследования топографии поверхности 3С-SiC, развиваемой при бомбардировке ионами Ar+ и SF5+. Полученные масс-спектрометрические данные указывает на повышенное распыление кристалла 3С-SiC в виде атомов и молекул под действием полиатомных ионов SF5+. Также определена роль отдельных молекулярных ионов SFn+(n=15) в процессах травления полупроводников Si(111) и 3С-SiC.

На основе состава продуктов распыления определены механизмы эмиссии в присутствии химически активного F, образующего летучие соединения с компонентами мишени. Поэтому эксперименты по распылению сопровождались изучением топографии поверхности образца до и после облучения – методом ОМ. Для сравнения с воздействием молекулярных частиц использовали ионы Ar+, которые широко применяются в ионно-лучевом травлении полупроводниковых материалов, из-за достаточно высокого коэффициента распыления [1]. Бомбардировка производилась под углом 450 к поверхности образца. При этом дозы облучения, число частиц в пучке ионов и их кинетические энергии подбирались одинаковыми. При бомбардировке поверхности 3С-SiC атомарными ионами Ar+ с дозой D=1016 ион/см2 на исходной поверхности формируется рельеф, состоящий из выступов (светлые пятна) и темных пятен, представляющие собою углубления. Возникновения фигур травления (возвышений и углублений) при ионной бомбардировке, согласно [2,3], является результатом протекания трех процессов:

избирательного травления, миграции поверхностных атомов и конденсации эмиттированных частиц. Формируемый рельеф на поверхности при облучении моноатомным ионами Ar+, видимо, определяется хаотическим атомарным распылением поверхностных решеточных атомов Si и C. Образуемый на поверхности аморфный слой не дает ориентированных ямок травления.

При бомбардировке полиатомными ионами SF5+ поверхность 3С-SiC сильно эрозируется с образованием плотных выступов и углублений в результате совместного вклада физического и химического травления с образованием летучих соединений SiF, CF. Образование измененного слоя при распылении двухкомпонентного SiC химически активными ионами связано с различным удалением с поверхности его компонент–Si, C. При этом рельеф образуется при химически стимулированном распылении за счет атомов распыляемого вещества, а также в результате диффузии из объема и соединения атомов кремния и углерода на поверхности. Итак, мы приходим к заключению, что образование возвышенностей объясняется либо ростом кристалла из конденсирующихся паров, либо задержкой вылетающих атомов выступами поверхности. Симметричные же углубления появляется вследствие повышенной скорости распыления в определенных кристаллографических направлениях. При увеличении дозы облучения до 10171018ион/см2 происходит разрушение выступов и повышается концентрация ямок травления, пока вся бомбардируемая площадь не покроется ими.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении приводятся основные результаты, полученные в диссертационной работе, и выводы:

1. Проведена модернизация экспериментальной установки для обеспечения стабильной работы источника ионов на химически активных газах и получения потока полиатомных ионов низкой энергии (E0~10-15эВ) на один бомбардирующий атом.

2. При одинаковых энергиях E0, полиатомная бомбардировка увеличивает выходы решеточных молекулярных ионов типа LimFn+ (m, n=14) в 5- раза по сравнению с ионами Ar+ и стимулирует выходы тяжелых комплексов LimFn+ (m, n=46). Возрастание выхода молекулярной составляющей распыления в кристалле LiF(100) с упорядоченной структурой связано как с плотностью столновительных процессов, так и с передачей энергии от быстрых коррелированных атомов отдачи цепочке связанных катионов и анионов, выстроенных в направлении 100 в верхнюю полусферу мишени.

Установлена немонотонная зависимость выхода решеточных и фторидакремнивых ионов из Si(111) и 3С-SiC от изменения температуры образцов в интервале 250-5000С на примере облучения ионами SF5+. Эмиссия частиц от изменения температуры при физическом и химически стимулированном распылении объясняются эффективностью передачи импульса и энергии атомам мишени в условиях фторированной поверхности и вероятностью образования продуктов химической реакции атомов фтора в нарушенной решетке полупроводника.

На базе результатов исследований энергетических зависимостей выхода вторичных частиц из полупроводников выявлена граница области между процессами физического и химически стимулированного распыления. При энергии менее~1кэВ химически активная компонента иона играет основную роль при травлении. Поэтому ионы с большим содержанием атомов F в молекулах (SF4+ и SF5+) производят наибольшее распыление поверхности полупроводников.

Сравнительное изучение микрорельефа топографии методом оптической микроскопии поверхности LiF(100) и 3С-SiC в процессе бомбардировки ионами Ar+ и SF5+ показало, что при одинаковых дозах ~1016ион/см2, ионы SF5+, в отличие Ar+, увеличивают эрозию поверхности в результате совместного вклада физического и химического травления с образованием летучих соединений SiF, CF.

1. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н.Айнспрука, Д.Брауна. – М.: Мир, 1987. – 469 с.

2. Юрасова В.Е., Черепин В.Т., Рыжов Ю.А. Структурные эффекты во вторичной ионной эмиссии металлов и сплавов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – Москва, 2011. – №5. – С. 63-83.

3. Бериш. Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. В 2-х т. – М.:

Мир, 1986. – 318 с.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Лифанова Л.Ф., Курбанов М.К., Чурило И.В.

Распыление кристалла LiF при облучении моно–и полиатомными ионами Ar+ и SF5+ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – Москва, 2003. – №9. – С. 76-78.

2. Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Юсупов А., Джаббарганов Р.

Травление поверхности карбида кремния при бомбардировке молекулярными ионами SFn+(n=15) // Доклады академии наук Республики Узбекистан. – Ташкент, 2005. – № 2. –С. 25-29.

3. Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Юзикаева Ф.Р., Джаббарганов Р. Исследование распыления и топографии поверхности монокристалла LiF(100) при бомбардировке полиатомными ионами SFn+ // Узбекский физический журнал. – Ташкент, 2005. –№ 2(7).–С. 139-145.

4. Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Джаббарганов Р.

Исследование распыления и топографии поверхности монокристалла SiC при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными SF5+ ионами // Доклады академии наук Республики Узбекистан. – Ташкент, 2009. – №5.–С.32-36.

5. Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Джаббарганов Р. Физическое и химически-стимулированное распыление 3C-SiC при бомбардировке ионами Ar+ и полиатомными ионами SF5+ // Физика и химия обработки материалов. – Москва, 2011. – №4. – С. 10-12.

6. Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Джаббарганов Р., Саидханова Н.Г., Ахмаджанова М.Х., Курбанов М.К. Распыление кристалла LiF при облучении моно-и полиатомными ионами Ar+ и SF5+ // XXXII Межд. конф.

по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Тез. докл.

27-29 мая 2002. – Москва, 2002. – С. 97.

7. Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Джаббарганов Р. Эмиссия атомарных и молекулярных ионов из LiF от энергии и скорости бомбардирующих ионов Ar+ и SF5+ // III Республиканская конференция по физической электронике: Тез. докл. 6-8 ноября 2002.–Ташкент, 2002. – С.

8. Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Джаббарганов Р.

Распыление монокристалла LiF при бомбардировке полиатомными ионами SFn+(n=15) // XXXIII Межд. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Тез. докл. 26-28 мая 2003. – Москва, 2003. – С.77.

9. Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Джаббарганов Р., Ахмаджанова М.Х. Эмиссия атомарных и молекулярных ионов из кристалла LiF при облучении моно Ar+ и полиатомными SFn+ (n=15) // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП–2003): Материалы XVI Межд. конф. 25-29 августа 2003. – Звенигород, 2003. – Т.1. – С. 401-403.

10. Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Джаббарганов Р., Шарапов У.Б. Сверхвысоковакуумный вторично-ионный масс-спектрометр для изучения травления и структуры поверхности полупроводников и диэлектриков при облучении электронами, моно и полиатомными ионами // Фундаментальные и прикладные вопросы физики: Труды конференции посвященной 60-летию Академии наук Республики Узбекистан и Физикотехнического института, 27-28 ноября 2003. –Ташкент, 2003. – С. 381-383.

Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Юсупов А., Юзикаева Ф.Р.

11.

Распыление кремния и карбида кремния при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными ионами SF5+ // XXXIV Межд. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Тез. докл. 31 мая- июня 2004. – Москва, 2004. – С. 91.

Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Юзикаева Ф.Р., 12.

Джаббарганов Р. Исследование распыления и топографии поверхности монокристалла LiF(100) при бомбардировке полиатомными ионами SFn+(n=15) // XXXIV Межд. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Тез. докл. 31 мая-2 июня 2004.-Москва, 2004.-С. 93.

Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Юсупов А., Юзикаева Ф.Р., 13.

Шарапов У.Б. Распыление кремния и карбида кремния при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными ионами SF5+ // Фундаментальные и прикладные вопросы физики: Труды международной конференции, посвящённой 90летию академика С.А.Азимова, 18-19 ноября 2004. – Ташкент, 2004. – С.

Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Юзикаева Ф.Р. Распыление 14.

поверхности карбида кремния при бомбардировке молекулярными ионами SF5+ // XXXV Межд. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: Тез. докл. 31 мая-2 июня 2005. – Москва, 2005. – С. 133.

Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К., Юзикаева Ф.Р. Распыление 15.

поверхности кремния и карбида кремния при бомбардировке молекулярными ионами SFn+(n=15) // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП–2005): Труды XVII межд. конф. 25-29 августа 2005. – Звенигород, 2005. – Т.1. – С. 442-445.

Раджабов Ш.С., Атабаев Б.Г., Курбанов М.К. Физическое и химическое 16.

распыление карбида кремния при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными ионами SF5+ // V Республиканская конференция по физической электронике: Тез. докл. 2-4 ноября 2005. -Ташкент, 2005.-С.

Раджабов Ш.С., Юзикаева Ф.Р., Курбанов М.К., Атабаев Б.Г. Анализ 17.

фторированной поверхности карбида кремния методом электронно– стимулированной десорбции // IV Республиканская конференция по физической электронике: Тез. докл. 2-4 ноября 2005. – Ташкент,2005. – С.

Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Джаббарганов Р., Юзикаева 18.

Ф.Р. Исследование распыления и топографии поверхности монокристалла SiC при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными SF5+ ионами // Фундаментальные и прикладные вопросы физики: Материалы третьей международной конференции, посвященной 15-летию независимости Узбекистана, 26-27 ноября. – Ташкент, 2006.– С. 235-236.

19. Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Курбанов М.К., Ахмаджанова М.Х.

Исследование распыления и топографии поверхности монокристалла LiF(100) при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными ионами SF5+ // 5-ая конференция по физической электронике, посвященная 100-летию со дня рождения У.А.Арифова, 28-30 октября 2009. – Ташкент, 2009. – С.70.

20. Курбанов М.К., Атабаев Б.Г., Раджабов Ш.С., Джаббарганов Р, Юзикаева Ф.Р. Исследование стимулированного разрывом связей молекулярного распыления и травления поверхности пленки 3C-SiC при бомбардировке моно Ar+ и полиатомными SF5+ ионами // 5-ая конференция по физической электронике, посвященная 100-летию со дня рождения У.А.Арифова, 28- октября 2009. – Ташкент, 2009. – С.79.

Физика-математика фанлари номзоди илмий даражасига талабгор урбанов Музаффар адамбаевичнинг 01.04.04 – физикавий электроника ихтисослиги бўйича «Якка (Ar+) ва кўпатомли (SF5+) ионлар таъсирида LiF(100), Si(111), 3C-SiC кристалларнинг чангланиши» мавзусидаги диссертациясининг

РЕЗЮМЕСИ

Таянч сўзлар: чангланиш, якка ва кўпатомли ионлар, емирилиш, топография, сирт, энергия, температура, доза, масс-спектрометрия.

Тадиот объектлари: ион боланишли монокристалл LiF(100) ва яримўтказгич Si(111), 3С-SiC кристаллари.

Ишнинг масади: ярим ўтказгич ва ион боланишли кристаллар сиртини емирилиши ва чангланиш онуниятларини бомбардимон илаётган заррачалар таркибидаги атомлар сонига, энергиясига ва нишон ароратига болилигини якка ва кўпатомли ионлар билан бомбардимон илиб тажрибада ўрганиш.

Тадиот методлари: иккиламчи ион масс-спектрометрия (ИИМС) ва оптикавий микроскопия (ОМ).

Олинган натижалар ва уларнинг янгилиги:

Биринчи марта LiF(100), 3С-SiC кристалларини бомбардимон илганётган SFn (n=15) бирламчи даста ионларидаги F атомининг n сони билан ортиши билан чангланаётган мусбат ионлар чиишининг ошиши кўрсатилган.

Биринчи марта сиртга ўтирган фтор ва киришма атомларнинг концентрацияси ўзгариши натижасида иккиламчи ионлар чиишининг нишон ароратининг ўзгаришига монотон бўлмаган боланиш аниланди.

Биринчи марта LiF(100) ва 3С-SiC кристаллари сиртининг эрозия даражаси кўпатомли ионлар билан бомбардимон илиш жараёнида осил бўладиган емирилиш зич ўйиларнинг ўшилиши натижасида ортиши аниланди, бу эса ўз навбатида намуна материалларининг атомар ва молекуляр ион кўринишида чииб кетишининг ортиши билан мос келади.

Амалий аамияти: Амалга оширилган тадиот натижалари келажакда диэлектрик ва яримўтказгичлар сиртини талил илиш ва емиришнинг янги усулларини ишлаб чииш имкониятини яратади.

Татби этиш даражаси ва итисодий самарадорлиги: Олинган натижалар Ф.2.1.16 –раамли грантини бажаришда ўлланилган.

ўлланиш соаси: физикавий электроника, ион-нурли емирилиш, микрова наноэлектроника.

РЕЗЮМЕ

диссертации Курбанова Музаффара Кадамбаевича на тему: «Распыление кристаллов LiF(100), Si(111) и 3C-SiC при бомбардировке моноатомными (Ar+) и полиатомными (SF5+) ионами» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 – физическая электроника Ключевые слова: распыление, моно- и полиатомные ионы, травление, топография, поверхность, энергия, температура, доза, масс-спектрометрия.

Объекты исследования:

полупроводниковые кристаллы Si(111), 3С-SiC.

Цель работы: экспериментальное изучение закономерностей распыления и эрозии поверхности ионных и полупроводниковых кристаллов при облучении их моно- и полиатомными ионами, в зависимости от числа атомов и энергии бомбардирующих частиц, температуры мишени.

Методы исследования: вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и оптическая микроскопия (ОМ).

Полученные результаты и их новизна:

Впервые показано, что при бомбардировке кристаллов LiF(100), 3С-SiC имеет место возрастание выхода положительно распыленных ионов с ростом числа n атомов F в первичном пучке SFn+(n=15).

Впервые установлена немонотонная зависимость выхода вторичных ионов от изменения температуры мишени, что связано с различными режимами распыления, в результате изменения концентрации адсорбированного фтора и примесных атомов на поверхности.

Впервые установлено, что при полиатомной бомбардировке степень эрозии поверхности LiF(100) и 3С-SiC возрастает в результате образования плотных скоплений ямок травления, что коррелирует с повышенным удалением материала мишени в виде атомарных и молекулярных ионов.

Практическая значимость: Результаты выполненных исследований в дальнейшем позволят разработать новые методики анализа и травления поверхности диэлектриков и полупроводников.

Степень внедрения и экономическая эффективность: результаты использованы при выполнении гранта Ф.2.1.16.

Область применения: физическая электроника, ионно-лучевое травление, микро и наноэлектроника.

RESUME

Thesis of Qurbanov Muzaffar Qadambaevich on the scientific degree competition doctor of the philosophy in physics sciences in 01.04.04 on speciality physical «The sputtering of crystals LiF(100), Si(111), 3С-SiC by bombardment monoatomic Key words: sputtering, mono and polyatomic ions, etching, topography, surface, energy, temperature, dose, mass-spectrometry.

Subjects of research: ionic monocrystal LiF(100) and semi-conductor crystals Si(111) and 3С-SiC.

Purpose of work: experimental study of the laws sputtering and erosion of the surface of ionic and semiconductor crystals at the irradiation this surfaces by monoand polyatomic ions depending number of atoms and energy of bombarding particles and also target temperature.

Methods of research: Secondary-ion mass-spectrometry (SIMS) and optical microscopy (OM).

The results obtained and their novelty:

For the first time was shown that at the bombardment of crystals LiF(100), 3СSiC takes place increasing emission of positively ions with number n atoms of F in primary beam SFn+(n=15).

For the first time no monotonic dependence emission of secondary ions on change target temperature that is connected with various modes of sputtering, as a result of change of concentration of the adsorbed fluorine on a surface is established.

Also was established, that at polyatomic bombardment increases of degree erosion of surface LiF(100), 3С-SiC in result of formation of dense congestions of etching by that correlates with the raised removal of material of target in the form of atomic and molecular ions.

Practical value: The receiving results will allow developing new techniques of analysis and etching of dielectric and semiconductor surfaces.

Degree of embed and economic effectivity: These results were used by made of grant F.2.1.16.

Field of application: physical electronics, ion-beam etching, micro and nanoelectronics.



 


Похожие работы:

«УСАЧЕВА СВЕТЛАНА АЛЕКСАНДРОВНА НЕАВТОНОМНАЯ ДИНАМИКА АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ С ЗАПАЗДЫВАНИЕМ И ИХ КОНЕЧНОМЕРНЫХ МОДЕЛЕЙ 01.04.03 – Радиофизика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико–математических наук Саратов – 2012 Работа выполнена в Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского. Научный руководитель : доктор физико-математических наук, профессор Рыскин Никита Михайлович Официальные оппоненты : Прохоров Михаил Дмитриевич,...»

«ЭСЛАМИЗАДЕХ МОХАММАДХАДИ ДИНАМИКО-СТАТИСТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ РЕАКЦИИ ВЫНУЖДЕННОГО ДЕЛЕНИЯ Специальность 01.04.16 – физика атомного ядра и элементарных частиц Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва – 2007 Работа выполнена на кафедре физики атомного ядра и квантовой теории столкновений...»

«Юкечева Юлия Сергеевна Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства Специальность 01.04.10 - физика полупроводников АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук НОВОСИБИРСК 2009 Работа выполнена при Учреждении Российской академии наук Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Научный руководитель : кандидат физико-математических наук Воробьев Александр Борисович...»

«Филатов Антон Валентинович МЕТОД ОБРАБОТКИ КОМПЛЕКСНЫХ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ ИНТЕРФЕРОГРАММ В УСЛОВИЯХ ВЫСОКОЙ ВРЕМЕННОЙ ДЕКОРРЕЛЯЦИИ Специальность 01.04.01 – Приборы и методы экспериментальной физики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Барнаул – 2009 Работа выполнена в Автономном учреждении Ханты-Мансийского автономного округа – Югры Югорский научно-исследовательский институт информационных технологий Научный руководитель :...»

«ВЯЛЫХ ДЕНИС ВАСИЛЬЕВИЧ Гибридизация электронных состояний и особенности тонкой структуры зон в твердотельных системах 01.04.07 – физика конденсированного состояния АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук САНКТ-ПЕТЕРБУРГ – 2012 Работа выполнена на физическом факультете ФГБОУ ВПО Санкт-Петербургского государственного университета и институте физики твердого тела Технического университета Дрездена Научные консультанты: Доктор...»

«ТУРИЩЕВ СЕРГЕЙ ЮРЬЕВИЧ ЭЛЕКТРОННО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ СТРОЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ЕГО СОЕДИНЕНИЙ Специальность 01.04.10 - физика полупроводников АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Воронеж - 2014 2 Работа выполнена в ФГБОУ ВПО Воронежский государственный университет Научный консультант : доктор физико-математических наук, профессор Терехов Владимир Андреевич Официальные оппоненты : Солдатов Александр...»

«Константинов Андрей Алексеевич РАДИОИЗЛУЧЕНИЕ ШИРОКИХ АТМОСФЕРНЫХ ЛИВНЕЙ КАК МЕТОД РЕГИСТРАЦИИ КОСМИЧЕСКИХ ЛУЧЕЙ СВЕРХВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ Специальность 01.04.23 – физика высоких энергий АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва 2009 Работа выполнена в Отделе частиц сверхвысоких энергий...»

«Гриняев Сергей Николаевич ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ И ДЕФЕКТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ Специальность 01.04.10 – Физика полупроводников АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Томск 2011 Работа выполнена в ОСП Сибирский физико-технический институт им. академика В.Д.Кузнецова Национального исследовательского Томского государственного университета и на кафедре теоретической и экспериментальной физики ФГБОУ ВПО...»

«Лавров Владимир Васильевич ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАТУХАЮЩИХ ВЗРЫВНЫХ ПРОЦЕССОВ В ГЕТЕРОГЕННЫХ ПОРИСТЫХ ВВ. РАЗРАБОТКА СТАНДАРТНЫХ МЕТОДОВ ОЦЕНКИ ВЗРЫВООПАСНОСТИ Специальность 01.04.17 – химическая физика, в том числе горения и взрыва АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Черноголовка 2008 Работа выполнена в Институте Проблем Химической Физики РАН Научный руководитель : доктор физико-математических наук Шведов Константин...»

«Горбачев Максим Викторович ТЕРМОДИНАМИКА РЕАЛЬНЫХ ЦИКЛОВ СИСТЕМ КОНДИЦИОНИРОВАНИЯ ВОЗДУХА 01.04.14 - теплофизика и теоретическая теплотехника АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Новосибирск – 2009 Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении Высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет Научный руководитель : доктор технических наук, доцент Дьяченко Юрий Васильевич...»

«Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН Научный консультант доктор технических наук, профессор Терехов Виктор Иванович Низовцев Михаил Иванович Официальные доктор технических наук, оппоненты: профессор Бурдуков Анатолий Петрович доктор технических наук, доцент Попов Игорь Александрович доктор технических наук, профессор Сеначин Павел Кондратьевич ТЕПЛО- И МАССОПЕРЕНОС В ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНЫХ...»

«КУЗНЕЦОВ Петр Михайлович МЕХАНИЗМЫ И ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ЭРОЗИОННОГО ФАКЕЛА И ВОЛНОВОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ В ЗОНЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Специальность 01.04.07 – Физика конденсированного состояния АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Белгород – 2014 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования Тамбовский государственный...»

«Соснин Эдуард Анатольевич ДЕЙСТВИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ЭКСИЛАМП НА ЖИДКУЮ И ГАЗОВУЮ ФАЗЫ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ 01.04.05 - оптика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Томск – 2009 Работа выполнена в ГОУ ВПО Томский государственный университет и в Институте сильноточной электроники СО РАН. Научный консультант : доктор физико-математических наук, профессор Тарасенко Виктор Федотович Официальные оппоненты : доктор...»

«СМИРНОВ Сергей Сергеевич АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ В МАГНЕТИКАХ С ОРИЕНТАЦИОННЫМИ ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ 01.04.11 – физика магнитных явлений АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Тверь – 2007 Работа выполнена на кафедре магнетизма Тверского государственного университета. Научный руководитель доктор физико-математических наук, профессор Пастушенков Ю.Г. Официальные оппоненты : доктор физико-математических наук, доцент...»

«Чернышева Мария Анатольевна ГЕНЕРАЦИЯ СУБПИКОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ В РАЗЛИЧНЫХ СХЕМАХ ТУЛИЕВЫХ ВОЛОКОННЫХ ЛАЗЕРОВ С ПАССИВНОЙ СИНХРОНИЗАЦИЕЙ МОД 01.04.21 – Лазерная физика Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва – 2014 Работа выполнена в Федеральном бюджетном научном учреждении Российской академии наук Научном центре волоконной оптики РАН Научный руководитель : доктор физико-математических наук, профессор Крюков Петр...»

«ЖУКОВ АРКАДИЙ ПАВЛОВИЧ МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МИКРОПРОВОДОВ С АМОРФНОЙ, НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ И ГРАНУЛЯРНОЙ СТРУКТУРОЙ. Специальность 01.04.11 – физика магнитных явлений АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук Москва 2010 Работа выполнена на кафедре магнетизма физического факультета Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова Официальные оппоненты : доктор физико-математических наук, Якубовский Андрей Юрьевич...»

«Репин Андрей Владимирович МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ РАЗЛИЧНЫХ ФОРМ ПОЧВЕННОЙ ВЛАГИ И НЕФТЕСОДЕРЖАЩИХ ПОРОД 01.04.01 – приборы и методы экспериментальной физики АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Омск - 2010 Работа выполнена в ГОУ ВПО Омский государственный педагогический университет Научный руководитель : доктор физико-математических наук, профессор Бобров Павел Петрович Официальные оппоненты : доктор...»

«Воронцов Дмитрий Анатольевич ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНОГО СОСТАВА И СТЕХИОМЕТРИИ РАСТВОРА НА КИНЕТИКУ РОСТА КРИСТАЛЛОВ DKDP И KDP 01.04.07 – физика конденсированного состояния Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Нижний Новгород – 2008 Работа выполнена в Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского. Научный руководитель : кандидат физико-математических наук, доцент Портнов Вадим Николаевич Официальные оппоненты :...»

«Товстун Сергей Александрович Анализ процессов зарождения и роста наночастиц в истинных и обратно-мицеллярных растворах 01.04.17 – Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Черноголовка – 2010 Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте проблем химической физики Российской академии наук. Научный руководитель : доктор...»

«Половников Кирилл Викторович ТЕОРЕТИКО-ГРУППОВОЙ ПОДХОД К КОНФОРМНОЙ МЕХАНИКЕ С РАСШИРЕННОЙ СУПЕРСИММЕТРИЕЙ Специальность 01.04.02 теоретическая физика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Томск – 2009 Работа выполнена на кафедре Высшей математики и математической физики Томского политехнического университета доктор физ.-мат. наук, профессор Научный руководитель : Томского политехнического университета Галажинский Антон...»








 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.