WWW.DISS.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
(Авторефераты, диссертации, методички, учебные программы, монографии)

 

На правах рукописи

ДМИТРИЕВ Алексей Иванович

СПИНОВАЯ ДИНАМИКА В НАНОСТРУКТУРАХ

МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

01.04.17 – химическая физика, в том числе физика горения и взрыва

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка - 2008

Работа выполнена в Институте проблем химической физики Российской Академии Наук

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Моргунов Р.Б.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Жихарев В.А.

доктор физико-математических наук, профессор Скворцов А.А.

Ведущая организация: Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН

Защита состоится «» 2008 г. в ч. мин. на заседании диссертационного совета Д 002.082.01 при Институте проблем химической физики РАН по адресу: 142432, Московская область, г. Черноголовка, проспект Академика Н.Н. Семенова, 1, ИПХФ РАН, корпус 1/2 (актовый зал).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИПХФ РАН, г. Черноголовка, проспект Академика Н.Н. Семенова, 1.

Автореферат разослан «» _ 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета кандидат физико-математических наук Безручко Г.С.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

АКТУАЛЬНОСТЬ РАБОТЫ. Открытие семейства кластеров Mn12 в 90 - ые годы привело к развитию физики высокоспиновых молекул. Интерес к ним велик как в фундаментальной науке (необычные мезоскопические магнитные свойства в масштабе одной молекулы), так в практическом применении (спинтроника, квантовые компьютеры). В настоящее время одним из наиболее активно развивающихся направлений в молекулярном магнетизме является дизайн гибридных материалов, магнитные свойства которых зависят от электрического тока, пропускаемого через образец, или освещенности образца. Для решения задачи синтеза гибридных функциональных соединений в лаборатории профессора Э.Б.

Ягубского ИПХФ РАН был использован комбинаторный подход, который заключается в сочетании в одной кристаллической решетке молекулярных строительных блоков, ответственных за электропроводность (оптическую активность) и магнетизм. В качестве магнитной подсистемы использованы высокоспиновые кластере Mn12. Электропроводящую подрешетку образуют молекулы тетраметилтетратиафульвалена (TMTTF). Оптически активную нитрозильные комплексы рутения. Нами впервые были исследованы магнитные свойства этих соединений.

Очевидные трудности интегрирования вышеупомянутых образцов в современную полупроводниковую электронику (легкоплавкость, гигроскопичность, трудности в изготовлении омических контактов) стимулируют поиск альтернативных функциональных неорганических полупроводниковых твердых тел.

В качестве таких материалов в течение последнего десятилетия рассматривались полупроводники III, V групп, легированные переходными металлами. Из недавних обзоров на эту тему следует, что, например, GaN или GaAs:Mn, хотя и обладают нужными на практике свойствами (магнитосопротивлением, переключением магнитных состояний электрическим током и т.п.), но демонстрируют магнитное упорядочение при весьма низких температурах 2 - 100 К. Поэтому в последние годы исследователи обратились к полупроводникам IV группы (Si и Ge) [1-3]. Как правило, основной вклад в магнитную восприимчивость таких полупроводников дают кластеры сплавов, которые образуются в полупроводниках при высоких концентрациях примеси. Магнетизм такого рода давно известен и хорошо изучен.

Для решения проблемы агрегации примесных атомов переходных металлов в кластеры были развиты два пути. Использование ионной имплантации, позволяющей избежать диффузии примеси в кластеры, и создание наноструктур, поверхностная энергия которых вносит существенный вклад в баланс межатомных взаимодействий и кинетику диффузии. Эти два метода открывают дополнительные возможности для регулирования условий кластерообразования и его подавления в Si и Ge [4, 5]. Конечно, эти методы имеют и самостоятельный интерес для развития наноэлектроники «цифровых» сплавов и новой области наноструктур магнитных полупроводников. Кроме того, наноструктурирование германия увеличивает растворимость примеси переходных металлов в его кристаллической решетке до желаемых 1 - 2 %, обеспечивающих магнитоупорядоченное состояние. В нанопроволоках германия, легированного переходными элементами, температура Кюри становится высокой ~ 320 K [6]. Детальные исследования таких наноструктур показывают, что в них возможны новые типы магнитных возбуждений, новые закономерности переноса электрического заряда и спина и, главное, взаимосвязанное поведение намагниченности и проводимости, обеспечивающее эффекты переключения намагниченности электрическим током [7]. В связи с этим практическая важность наноструктур высокотемпературных ферромагнитных полупроводников не вызывает сомнений. В настоящее время имеются лишь предварительные попытки экспериментального исследования магнитных свойств легированных полупроводников на основе кремния и германия. Поэтому экспериментальное исследование магнитных свойств таких материалов позволит приблизиться к пониманию физической природы высокотемпературного магнитного упорядочения в наноструктурах магнитных полупроводников и причин влияния ограничений размерности на их магнитные свойства и электропроводность.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: установление взаимосвязи между спиновой динамикой и высокочастотными магнитными и электрическими свойствами новых гибридных молекулярных магнетиков на основе высокоспиновых кластеров марганца и германиевых наноструктур (пленок Ge, имплантированного Mn, и нанопроволок Ge, легированного Mn, Co). Обнаружение влияния ограничений размерности на магнитные и электрические свойства полупроводниковых наноструктур.

Исследования были сосредоточены на решении следующих задач:

разделение вкладов локализованных спинов и спинов носителей заряда в магнитную восприимчивость нанопроволок германия, легированного марганцем и кобальтом;

анализ роли размерности наноструктур магнитных полупроводников в их магнитных и электропроводящих свойствах;

поиск магниторезистивных эффектов в наноструктурах германия, легированного переходными металлами;

определение коэрцитивной силы, высоты потенциального барьера между спиновыми состояниями, обусловленного расщеплением спиновых уровней в нулевом поле и времени релаксации намагниченности гибридных молекулярных магнетиков на основе высокоспиновых комплексов марганца, а также выявление роли его окружения (молекулы TMTTF, нитрозильные комплексы Ru).

НАУЧНАЯ НОВИЗНА: в данной работе проведены исследования статических и высокочастотных динамических магнитных и электропроводящих свойств наноструктур германия, легированного переходными металлами (квазиодномерных нанопроволок и квазидвумерных тонких пленок) одинакового состава и с одинаковым количеством примесных ионов. Анализ данных, полученных в данной работе, и их сравнение с литературными данными позволили установить, что ограничение размерности ведет к увеличению температуры ферромагнитного упорядочения в наноструктурах германия, легированного переходными металлами. Кроме того, обнаружено, что при переходе от квазидвумерной к квазиодномерной системе Ge:Mn происходит подавление микроволнового магнитосопротивления, что свидетельствует о влиянии ограничений размерности на спин - зависимое рассеяние носителей заряда в системе Ge:Mn.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ. В настоящее время актуален поиск путей развития электроники, предусматривающих миниатюризацию (наноэлектроника) и новые принципы работы ее элементов (спинтроника). Практический интерес к молекулярным магнетикам на основе высокоспиновых кластеров переходных металлов обусловлен их замечательным свойством - молекулярной бистабильностью. Это означает, что магнитная молекула может находиться в двух состояниях с противоположным направлением магнитного момента. Переходы между этими состояниями могут быть индуцированы магнитным полем. Т.е. такая молекула представляет собой естественный запоминающий элемент. Для характерного расстояния между молекулами 10 нм плотность записи информации в такой молекулярной памяти составляла бы десятки Тбит/см2. Интерес к молекулярным наномагнетикам для практических применений (молекулярная магнитная наноэлектроника, квантовые компьютеры, устройства записи и хранения информации) [8] ограничивается проблемой записи и считывания информации, которую, казалось бы, можно решить, если химически связать кластер с фотохромным или электропроводящим блоком. Но даже если удастся решить проблему записи и считывания информации, остается еще одна трудность – конечное время хранения информации. При температуре 1,5 К время магнитной релаксации в системе Mn12, достигая 108 с, все же оказывается недостаточным для современных компьютеров. Коммерческие образцы магнитных дисков могут хранить информацию ~ 100 лет (109 - 1010 с).

Высокую плотность записи информации могут обеспечить также германиевые нанопроволоки в диэлектрических мембранах, совместимые с существующей электроникой. Корреляция магнитных и электропроводящих свойств, обнаруживаемая в таких материалах, позволит перейти к MRAM - памяти (magnetice random-access memory - магниторезистивная память с произвольным доступом), в которой отсутствуют механически движущиеся элементы, что позволяет сократить скорость чтения и записи информации. На основе нанопроволок могут быть созданы сверхчувствительные электрометрические и тензометрические элементы и т.д.

Обнаруженные в нанопроволоках и тонких пленках явления распространения спиновых волн могут служить физической основой для создания спинтронных приборов нового поколения, основанных на размерных эффектах.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И

РЕЗУЛЬТАТЫ:

результаты исследований нанопроволок, тонких пленок германия, легированного переходными металлами и гибридных молекулярных магнетиков методом электронного спинового резонанса;

результаты определения статических магнитных характеристик (температуры Кюри, коэрцитивной силы, намагниченности насыщения) нанопроволок, тонких пленок германия, легированного переходными металлами и гибридных молекулярных магнетиков методом СКВИД - магнетометрии;

результаты измерений микроволнового магнитосопротивления нанопроволок и тонких пленок германия, легированного переходными металлами в резонаторе ЭПР - спектрометра.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА. Автором диссертационной работы были проведены измерения температурных и полевых зависимостей намагниченности образцов на СКВИД - магнетометре, получены спектры электронного спинового резонанса образцов на ЭПР - спектрометре, обработаны и проанализированы экспериментальные данные в программных пакетах Origin, Mathematica, WinEPR.

Подготовлены публикации по теме диссертации.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты работы докладывались на XXIV и XXV Всероссийских симпозиумах по химической кинетике (г. Москва, 2006, 2007), XVIII и XIX Всероссийских симпозиумах «Современная химическая физика», (г. Туапсе, 2006, 2007), III Международной конференции «Высокоспиновые молекулы и молекулярные магнетики» (г. Иваново, 2006), International conference on magnetism (Kyoto, Japan, 2006), International conference on magneto-science (Hiroshima, Japan, 2007), I и II Русско-Японских симпозиумах «Магнитные явления в физикохимии молекулярных систем» (г. Оренбург, 2006, 2007), VII Voevodsky conference «Physics and chemistry of elementary chemical processes» (г. Черноголовка, 2007), 3rd International Conference «Materials Analysis and Processing in Magnetic Fields» (Tokyo, Japan, 2008), Международной научной конференции «Ломоносов-2008» (Москва, 2008).

Автор диссертации является призером конкурса молодых ученых, проводимого в рамках XXV Всероссийского симпозиума по химической кинетике и I Всероссийской олимпиады по нанотехнологиям «Нанотехнологии - прорыв в будущее», организованной МГУ.

ПУБЛИКАЦИИ. По теме диссертации опубликовано 5 статей в отечественных и зарубежных журналах, рекомендованных ВАК и 14 тезисов докладов на всероссийских и международных конференциях.

ОБЪЕМ И СТРУКТУРА РАБОТЫ. Диссертационная работа изложена на страницах машинописного текста, включая 1 таблицу и 67 рисунков. Текст диссертации состоит из введения, литературного обзора, экспериментальной части и трех глав, содержащих описание и обсуждение результатов, завершается выводами и списком литературы (191 источник).

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы и практическая значимость работы, сформулированы цель и задачи работы, приведены основные научные результаты, предшествующие данной работе.

Глава 1. Литературный обзор В этой главе проведен анализ и обобщение основных результатов исследования магнитных свойств высокоспиновых кластеров переходных металлов, координированных различным лигандным окружением. Уделено внимание влиянию молекулярной структуры высокоспиновых кластеров и их лигандного окружения на температуру перехода в суперпарамагнитное состояние - температуру блокирования Тb и поведение релаксации намагниченности.

Рассмотрены экспериментальные исследования динамических и статических магнитных и электропроводящих свойств легированных магнитных полупроводников, обнаруживающих взаимосвязь между магнетизмом и спиновой поляризацией носителей заряда. Анализируются результаты экспериментальных исследований полупроводников III, V групп (GaN:Mn, GaAs:Mn и т.п.), в которых низкие значения температуры Кюри ~ 2 - 50 К ограничивают практическое применение обнаруженных ранее эффектов спин-зависимого транспорта, магнитооптических спиновых эффектов и т.п. Основное внимание уделено полупроводникам IV группы (Si и Ge), легирование которых переходными металлами (преимущественно Mn) приводит к возникновению магнитоупорядоченного состояния в них. Проведен анализ теоретических работ, показывающих, что спин-поляризованные носители заряда способны обеспечивать косвенное обменное взаимодействие между примесными ионами и приводить к ферромагнитному упорядочению при концентрациях примеси на уровне 1 - 2 %.

Глава 2. Экспериментальная часть В этой главе описаны использованные в данной работе физические методы исследования магнитных и электропроводящих свойств образцов и приборы, с помощью которых выполнялись измерения. Она включает части, посвященные СКВИД - магнетометрии (в DC и AC режимах) и ЭПР - спектроскопии, включая характеристики приборов и условия экспериментов (приготовление образцов, калибровочные образцы, температурный интервал и диапазон магнитных полей).

Рассмотрены методы:

определения магнитных характеристик вещества (температура Кюри, коэрцитивная сила, намагниченность насыщения и т.д.) методом СКВИД магнетометрии;

исследования динамики коллективных спиновых возбуждений методом ЭПР спектроскопии;

измерения электрической проводимости и микроволнового магнитосопротивления в резонаторе ЭПР - спектрометра.

Глава 3. Спиновая динамика в гибридных молекулярных магнетиках на основе высокоспиновых кластеров марганца Данная глава посвящена исследованию двух типов образцов: гибридных молекулярных магнетиков на основе кластеров Mn12 и молекул TMTTF, а также на основе кластеров Mn12 и нитрозильных комплексов Ru.

Новый гибридный молекулярный магнетик на основе высокоспиновых кластеров Mn12 и молекул TMTTF при температуре 2 К на полевой зависимости магнитного момента демонстрирует гистерезис (рис. 1) с коэрцитивной силой 120 Э, [Mn12O12(MeCO2)16(H2O)4], где ее значение составляло 1600 Э. Отметим, что в магнитных полях вплоть до 50 кЭ в исследуемом соединении не наблюдалось скачков намагниченности, свойственных высокоспиновым кластерам марганца. В то же время в исходном образце [Mn12O12(MeCO2)16(H2O)4] на фоне петли гистерезиса наблюдались скачки намагниченности, возникающие вследствие туннелирования спина в кластерах. Отсутствие скачков намагниченности на кривой гистерезиса в исследуемом соединении может быть обусловлено тем, что эти скачки оказываются «замаскированными» в порошкообразном образце вследствие анизотропии отдельных кристаллитов.

Электронный спиновый резонанс исследуемого образца в нулевом поле (предварительно образец был охлажден в магнитном поле 1 кЭ) свидетельствует об остаточной намагниченности образца, что хорошо согласуется с наличием гистерезиса на полевой зависимости магнитного момента. По мере повышения температуры в спектре электронного спинового резонанса возникал дополнительный сигнал (ДС), который представлял собой серию узких линий (рис.

2). Повторное прохождение спектра в районе возникновения ДС позволило обнаружить, что границы ДС хорошо воспроизводятся, также как его отдельные элементы (рис. 2). Амплитуда ДС А на несколько порядков величины больше, чем шум спектрометра. Отметим, что зависимости А от различных параметров измерения спектров (амплитуды и частоты модуляции, мощности в резонаторе и др.) сильно отличались от предсказаний теории [9] и экспериментально полученных зависимостей для шума спектрометра. Возможным объяснением наблюдаемого явления может быть следующее: поскольку величина кристаллического поля кластера Mn12 сильно анизотропна и зависит от ориентации внешнего поля по отношению к кластеру, то в исследуемом порошке вклад в спектр будут давать несколько кристаллитов, резонансные уровни которых находятся при разных резонансных полях.

Для подтверждения этого, нами было произведено преобразование Фурье для высокочастотных компонент спектра. Наличие 10 – мощных гармоник в Фурье-преобразовании указывает на то, что обнаруженный ДС является наложением нескольких эквидестантных спектров с разными амплитудами и частотами. Это объясняет температурную зависимость статистических параметров наблюдаемого нами спектра. При низких температурах ~ 4 К рост интенсивности ДС с температурой происходит благодаря тому, что вклад в спектр дают все новые и новые спиновые переходы. Уменьшение интенсивности ДС при Т 6 К связано с уменьшением амплитуды линий, отвечающих отдельным переходам. Таким образом, обнаруженный ДС отвечает спиновым переходам между энергетическими уровнями кластера Mn12.

Новые гибридные соединения на основе кластеров Mn12 и фотохромных нитрозильных комплексов Ru были исследованы на СКВИД - магнетометре в переменном магнитном поле (АС - измерения). Анализ температурного поведения мнимой части АС - восприимчивости новых гибридных соединений (рис. 3.) позволил определить время релаксации намагниченности 0 и высоту потенциального барьера Ueff между спиновыми состояниями, обусловленного расщеплением спиновых уровней в нулевом поле.

M, СГСМ-ед.

Рис. 3. a) Температурные зависимости мнимой части АС - восприимчивости, b) зависимость времени релаксации намагниченности от обратной температуры (сплошная линия - аппроксимация уравнением Аррениуса) в гибридном молекулярном магнетике [RuNO(en)2Cl]{[Mn12O12(C6H5CO2)16(H2O)4]} Для образца [RuNO(en)2Cl]{[Mn12O12(C6H5CO2)16(H2O)4]}2 время релаксации 0 = 0,6210-8 с, Ueff = 59,2 K, а для [RuNO(NH3)4OH][Mn12O12(CHCl2CO2)16(H2O)4]2 0 = 0,1910- с, Ueff = 58,5 K. Такие же величины Ueff были получены для не «модифицированных»

высокоспиновых кластеров Mn12 [10]. Это указывает на слабую чувствительность Ueff к присутствию нитрозильных комплексов Ru. Вместе с тем, присутствие нитрозильных комплексов Ru приводит к изменению времени релаксации намагниченности 0 в три раза.

Глава 4. Ферромагнитный резонанс и электрическая проводимость в ориентированных нанопроволоках германия, легированного переходными металлами Ge1-xMx (M = Mn, Co) Исследован набор композитных образцов Al2O3, содержащих нанопроволоки германия с различным типом и варьируемым содержанием легирующей примеси переходных металлов (xMn = 0,01, 0,03, 0,05, xCo= 0,01, 0,03). Здесь x - доля атомов магнитной примеси, x = nimp/nsem, где nsem - концентрация атомов германия, nimp концентрация примесных атомов. Нанопроволоки Ge1xMnx синтезированы в порах мембран анодированного оксида алюминия путем использования техники сверхкритической жидкости [4]. Этот метод изготовления нанопроволок позволяет получать ориентированные нанопроволоки с регулируемым диаметром и длиной.

Длина нанопроволок L = 60 мкм определяется толщиной мембраны, диаметр d = нм – диаметром нанопор. Нанопроволоки выращены при температуре 500 °C и давлении 37,5 МПа в результате распада в сверхкритическом состоянии СО дифенилгерманита и дикарбонила марганца. Среднее расстояние между нанопроволоками D = 200 нм (рис. 4).

Рис. 4. a) Изображение пучка нанопроволок Ge0,99Mn0,01, частично извлеченных из мембраны путем растворения последней, полученное на просвечивающем электронном микроскопе.

Отдельная нанопроволока видна с правой стороны пучка, b) схема мембраны с нанопроволоками М, СГСМ-ед./см Рис. 5. Петли гистерезиса ориентированных нанопроволок Ge0,99Mn0,01 диаметром 60 нм наблюдается гистерезис намагниченности при Т = 300 К (черные символы) и Т = 1,8 К нанопроволок Ge0,99Mn0,01 с коэрцитивной (светлые символы) свидетельствует о ферромагнитном упорядочении спинов.

Для правильной интерпретации экспериментальных результатов важно знать размерность композитного образца, содержащего нанопроволоки. Для этого нужно оценить вклад диполь-дипольного взаимодействия между отдельными нанопроволоками в их магнитные свойства. Размерность определяется фактором формы и заполнения, влияющим на коэрцитивную силу и поле анизотропии,. Если f 1, то имеет место предельный случай двумерной нанопленки, образуемой неразличимыми взаимодействующими нанопроволоками. Если f 0, то имеет место случай невзаимодействующих одномерных нанопроволок. В нашем случае фактор f = 0,08, т.е. исследуемые образцы представляли собой совокупность одномерных невзаимодействующих нанопроволок. Зная значение f, и принимая во внимание намагниченность насыщения Ms = 5 СГСМ-ед./см3, было определено поле анизотропии нанопроволок Ha = 20 Э.

Спектр ферромагнитного резонанса (ФМР) нанопроволок Ge0,99Mn0,01 состоял из четырех линий (рис. 6). Анализ ориентационной зависимости резонансного поля линии 1 спектра ФМР нанопроволок позволил установить, что ось легкого намагничивания направлена вдоль оси нанопроволок при Т= 15 К.

Рис. 6. Спектр электронного спинового резонанса нанопроволок Ge0,99Mn0,01 диаметром 60 нм при ориентации постоянного магнитного поля спектрометра вдоль оси нанопроволок, при температуре Т=15 К. Цифрами обозначены линии спектра. На врезке изображена ассиметричная линия Дайсона 4 при углах 00 и 900 между осью нанопроволок и постоянным магнитным полем спектрометра Анализ температурных зависимостей резонансного поля и ширин линий, а также данные структурных исследований позволили отнести линии 1, 3 к ФМР в подсистеме ионов Mn3+, линию 2 к ФМР в подсистеме ионов Mn2+. Наличие двух линий, отвечающих одной магнитной подсистеме ионов Mn3+ можно объяснить тем, что в нанопроволоках ориентация спинов управляется обменным взаимодействием и диполь-дипольным взаимодействием. Это может приводить к появлению дополнительного пика в спектре ферромагнитного резонанса.

geff Рис. 7. Зависимость эффективных g - проводимости. Так как концентрация факторов асимметричной линии Дайсона легирующей примеси очень высока ~ легированного Mn, Cr, Fe, Co (светлые взаимодействия D. Для сравнения приведены g – факторы примеси переходных металлов (темные символы) в низких температурах. Эти носители германии [11]. Горизонтальные линии заряда даже при самых низких отвечают g - факторам поверхностных дефектов в германии и свободных электронов Следующие факты позволяют нам полагать, что линия 4 отвечает парамагнитному резонансу носителей заряда:

линия 4 имеет асимметричную форму Дайсона, характерную для парамагнитного резонанса подвижных носителей заряда, отношение положительной части А к отрицательной части В линии зависит от ориентации нанопроволок в резонаторе, вариации концентраций примесных ионов не влияют на g – фактор и ширину асимметричной линии 4, что следовало ожидать, если линия отвечала бы парамагнитному резонансу на дефектах структуры, так как дефектность структуры различается при изменении концентрации g - фактор и ширина асимметричной линии 4 близки к литературными данными для линии парамагнитного резонанса носителей заряда в Отличие g – фактора линии 4 от g – фактора свободного электрона обусловлено спин-орбитальным взаимодействием, т.к. часть времени электроны проводимости локализованы на примесях. Нами была обнаружена зависимость g – фактора линии 4 от абсолютного значения спин-орбитального взаимодействия в примесных ионах переходных металлов (рис. 7).

Аппроксимируя ассиметричную линию Дайсона 4 выражением, взятым из [12]:

удалось оценить абсолютное значение удельного сопротивления нанопроволок ~ 10-3 Ом см при Т = 4 К, что согласуется со значением удельного сопротивления Ge, легированного 1 % примеси переходных металлов [7]. (Здесь I = A + B – интенсивность линии, Hres - резонансное поле и HL - ширина линии, – весовой коэффициент рассеянной СВЧ – мощности).

На рис. 8 представлены температурные зависимости удельной микроволновой проводимости нанопроволок и произведения магнитной восприимчивости, /комнат., отн. ед.

произведения магнитной восприимчивости, соответствующей линии 4, на температуру Т и электрической проводимости ориентированных нанопроволок Ge0,99Mn0,01 диаметром 60 нм спинами ионов марганца осуществляется посредством косвенного обменного взаимодействия, обусловленного делокализованными носителями заряда.

Представляется интересным сравнение магнитных свойств нанопроволок, легированных марганцем, со свойствами нанопроволок, легированных другими переходными металлами, например Co. Синтез нанопроволок GexCo1-x (x = 0,01, 0,03) проводился при температуре 873 К и давлении 37,5 МПа в сверхкритическом состоянии СО2 в процессе распада октакарбонила дикобальта и дифенилгерманита.

Результаты структурных и химических исследований позволили установить, что нанопроволоки GexCo1-x состоят из поликристаллического германия. Атомы кобальта неравномерно распределены в кристаллической решетке, образуя кластеры GeCo в объеме нанопроволок. Средняя плотность нанопроволок в мембране составляет 1,51012 м-2, что соответствует среднему расстоянию между нанопроволоками D ~ 300 нм. Далее без специальных упоминаний имеются в виду образцы Ge0,99Co0,01.

Исследуемые образцы Ge0,99Co0,01 ферромагнитны, так как при температуре 4 К наблюдается гистерезис намагниченности образца, коэрцитивная сила Нс = 300 Э.

(рис. 9). В магнитном поле ~ 2 кЭ происходит насыщение намагниченности, а ее значение MS = 60 СГСМ-ед./см3.

M, СГСМ-ед./см Рис. 9. Петля гистерезиса нанопроволок Ge0,99Co0,01 диаметром 60 нм при Т = 2 К Для нанопроволок Ge0,99Co0,01 можно предполагать, что наблюдаемый ФМР соответствует подсистеме ферромагнитных кластеров, обнаруживаемых в нанопроволоках методами рентгеноструктурного анализа. Не исключено, что определенный вклад в магнитные свойства нанопроволок могут давать диспергированные ионы Со, связанные косвенным обменным взаимодействием через электроны проводимости.

Движение вектора магнитного момента под действием магнитного поля в ферромагнитных образцах описывается уравнением Ландау – Лифшица, учитывающим затухание прецессии магнитного момента образца:

где М – вектор намагниченности образца; - гиромагнитное отношение; Н – вектор напряженности эффективного магнитного поля, включающий, внешнее постоянное поле спектрометра, поле магнитной анизотропии и размагничивающие поле, безразмерный параметр затухания, зависящий от размеров образца, характеризующий диполь - дипольное взаимодействие внутри спиновой системы ферромагнетика и взаимодействие спиновой системы с другими системами (например, с фононами решетки).

Решив уравнение Ландау - Лифшица можно получить выражение для формы линии ФМР при фиксированной частоте микроволнового поля [13], которым и была выполнена аппроксимация линии 1 спектра ФМР (рис. 10). Из аппроксимации были найдены резонансное поле и ширина линии 1 спектра ФМР. Аппроксимация ориентационной зависимости резонансного поля позволила определить поле анизотропии 400 Э и установить, что ось легкого намагничивания направлена вдоль оси нанопроволок.

Аппроксимируя линию Дайсона 2 известным выражением для формы ассиметричной линии (см. выше) удалось оценить удельное сопротивление нанопроволок ~ 10-3 Ом см, что согласуется со значением удельного сопротивления германия, легированного 1 % примеси переходных металлов [7].

Сравнивая магнитные и проводящие свойства нанопроволок Ge0,99Co0, Ge0,99Mn0,01 можно сказать, что, несмотря на схожесть их структуры, магнитные свойства их различны. Значения намагниченности насыщения, коэрцитивных сил, полей анизотропии На на порядок отличаются. Вероятно, это вызвано тем, что магнитные свойства нанопроволок Ge0,99Mn0,01 обусловлены диспергированными ионами марганца, связанными косвенным обменным взаимодействием, а нанопроволок Ge0,99Co0,01 – ферромагнитными кластерами.

dI/dH, отн. ед.

ориентированных нанопроволок Ge0,99Co0,01 диаметром (белая линия 1 - аппроксимация уравнением Ландаусферических кластеров Co Если сравнивать значения удельного сопротивления нанопроволок, то можно сказать, что они по порядку величины одинаковы. Это означает, что электропроводность нанопроволок обоих типов обусловлена подвижностью зарядов в кристаллической решетке германия. Кластеры GeCo не вносят вклада в электропроводность нанопроволок Ge0,99Co0,01.

Спиновую динамику кластеров GeСо в германиевых нанопроволоках можно моделировать на отдельных кластерах Со в немагнитных оболочках (рис. 11), технология изготовления которых хорошо отработана в ИПХФ РАН. Поэтому для верификации спектра ФМР кластеров GeСо в нанопроволоках мы сравнили его со спектром ФМР кластеров Со в полимерной оболочке, обеспечивающей изоляцию частиц друг от друга.

Спектр электронного спинового резонанса в кобальтовых кластерах при температурах T = 8 – 290 К представлял собой линию большой ширины HPP, типичной для ферромагнитного резонанса формы (рис. 12). Спектры электронного спинового резонанса, полученные при нарастании и убывании магнитного поля развертки спектрометра, не совпадают, т.е. наблюдается гистерезис микроволнового поглощения (рис. 13), что свидетельствует о наличии внутреннего поля в образце и остаточной намагниченности. Следовательно, в образце наблюдался ФМР. Другим доказательством этого факта является петля гистерезиса с коэрцитивной силой на уровне 100 Э (рис. 14).

dI/dH, отн. ед.

ферромагнитного резонанса. Линия 2 спиновый резонанс в полимерной оболочке Согласно модели Стонера – Вольфарта, спины атомов, образующих кластер, могут вращаться не только когерентно под действием внешнего магнитного поля, но и более сложно, образуя спиновые моды - "вихри" намагниченности. По этой модели поле анизотропии 3 Нс На 3,5 Нс. Таким образом, зная величину коэрцитивной силы Нс = 100 Э, оценим величину поля анизотропии ~ 300 - 350 Э.

Константа анизотропии Keff, определяется вкладом двух составляющих – константой объемной анизотропии KV и константой поверхностной анизотропии KS.

Вычислим значение Keff из уравнения Ha = Keff / MS, зная намагниченность насыщения MS = 60 СГСМ-ед./см3, и величину поля анизотропии: Keff = 0,5· эрг/см3.

Из уравнения Keff = KV + 6 KS / d, где d – диаметр кластера, и в соответствии с тем, что объемная анизотропия KV для кластеров переходных металлов практически совпадает со значением константы магнитной анизотропии для макромолекулярного образца, определим константу поверхностной анизотропии KS = 0,17 эрг/см2.

Теоретические оценки константы поверхностной анизотропии для кластеров переходных металлов дают от 0,1 до нескольких единиц эрг/см2.

Ферромагнитные кластеры при определенной температуре (температуре блокирования) переходят в суперпарамагнитное состояние. Оценим температуру постоянная Больцмана. Для кластеров диаметром ~ 7 нм температура блокирования Tb 700 К.

M, СГСМ-ед./см Таким образом, сравнивая результаты магнитных исследований кластеров кобальта и нанопроволок германия, легированного кобальтом, удалось установить, что: спектры ФМР в обоих материалах сходны, хотя время релаксации спиновых возбуждений сильно различается. Значения намагниченности насыщения близки, как и коэрцитивные силы. Совокупность этих фактов указывает на то, что ФМР и гистерезис намагниченности нанопроволок германия, легированного кобальтом, обусловлен в основном ферромагнетизмом кластеров GeCo.

магнитосопротивление в тонких пленках GexMn1-x Тонкие пленки GexMn1-x (х = 0,02, 0,04, 0,08) были изготовлены методом ионной имплантации ионов Mn+ в монокристаллическую подложку Ge (100) [5].

Глубина проникновения ионов марганца составляла 120 нм и имела квазигауссов профиль. По данным структурных исследований полученные образцы представляли собой кристаллический германий с диспергированными в нем ионами марганца и содержат кластеры Mn5Ge3 диаметром от 9,5 нм. Удельное электрическое сопротивление пленок ~ 1 - 10 Ом см при Т = 290 К в нулевом магнитном поле.

Можно выделить наличие двух магнитных подсистем: кристаллическая решетка германия, содержащая растворенные ионы Mn и кластеры Mn5Ge3 (рис. 15). Эти две подсистемы имеют различные температуры Кюри (рис. 16). Для подсистемы кластеров Ge3Mn5 температура Кюри TC3 = 290 K, для подсистемы кристаллического германия с диспергированными ионами марганца TC1 = 15 K.

Кроме того, на температурной зависимости магнитного момента (рис. 16) имеется еще один переход при температуре TC2 = 60 K. Этот переход может отвечать аморфным преципитатам GeMn.

Спектр спинового резонанса ионно-имплантированной пленки Ge0,96Mn0,04 при температурах Т 60 К содержит три линии (рис. 17). Магнитная восприимчивость тонкой пленки на несколько порядков превышает расчетное значение. При Т 60 К M, СГСМ-ед.

Рис. 16. Зависимости магнитного момента М пленки магнитного поля Н = 1 кЭ перпендикулярно плоскости пленки - светлые символы и вдоль плоскости пленки - темные символы Hres, Э Рис. 17. Зависимость резонансного поля Hres от номера пика n в пленке Ge0,96Mn0,04 при T = 5 K. Сплошная При температурах Т линия – функция, описанная в тексте. На вставке показаны положения резонансных пиков при T = 5 K.

Магнитное поле перпендикулярно пленке резонанса образца (рис. 18). Видно, что резонансные линии лежат на нелинейном фоне. Наблюдаемый нелинейный фон превышает фон спектрометра на несколько порядков и отвечает микроволновому магнитосопротивлению (МС) в пленке. Это было проверено путем сравнения нелинейного фона МС при двух частотах СВЧ поля 10 ГГц и 24 ГГц.

МС было аппроксимировано (рис. 18) суммой: dP/dH=A(1-exp(BHm))+CHp, где A, B - не зависящие от поля коэффициенты, С - константа. Анализ коэффициентов m() и p(), отражающих физическую природу МС, указывает на то, что микроволновое МС является суперпозицией двух составляющих. Первая локализованных вблизи уровня Ферми. Эти уровни вырождены в нулевом магнитном поле. Внешнее магнитное поле вызывает расщепление и смещение этих уровней, в результате которого изменяется подвижность и плотность носителей заряда на уровне Ферми. Вторая - классическое МС Лоренца, которое обусловлено орбитальным движением зарядов в магнитном поле.

dP/dH, отн. ед.

Рис. 18. Спектр ферромагнитного резонанса указывает на то, что наблюдаемое тонкой пленки Ge0,96Mn0,04 при T = 262 K. микроволновое МС не связано с Магнитное поле параллельно Сплошной линией показана аппроксимация нелинейным сигналом магнитосопротивления, как описано в тексте то, что микроволновое магнитосопротивление в системе Ge:Mn чувствительно к ограничениям размерности, а не к дефектам структуры материала.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ:

Установлено, что присутствие молекул TMTTF приводит к уменьшению коэрцитивной силы высокоспинового комплекса марганца; присутствие нитрозильных комплексов Ru приводит к изменению времени релаксации намагниченности высокоспинового комплекаса марганца, но не изменяет высоту потенциального барьера между спиновыми состояниями, обусловленного расщеплением спиновых уровней в нулевом поле.

Разделены вклады в магнитную восприимчивость в нанопроволоках германия, легированного Mn (хMn = 0,01, 0,03, 0,05) и Co (хСо = 0,01, 0,03), от магнитоупорядоченной подсистемы и подсистемы носителей заряда.

Обнаружено, что при 70 К в нанопроволоках германия, легированного марганцем с концентрацией х = 0,01, 0,03, 0,05 происходит резкое изменение магнитного состояния, что приводит к изменению параметров спектра электронного спинового резонанса во всех подсистемах кристалла. В том числе, это приводит к уменьшению времени спиновой релаксации носителей проводимостью и магнитной восприимчивостью нанопроволок германия, легированного марганцем с концентрациями х = 0,01, 0,03 и 0,05.

Установлено, что при высоких температурах (T = 220 - 300 K) в пленках германия, имплантированного марганцем с концентрациями х = 0,02, 0,04 и 0,08, резонансные пики соответствуют ферромагнитным кластерам Mn5Ge3.

Низкотемпературный спиновый резонанс (T = 4 - 60 K) отвечает спин волновому резонансу.

Экспериментально установлено, что микроволновое магнитосопротивление в пленках германия, имплантированного марганцем с концентрациями 0,02, 0, и 0,08, состоит из двух основных компонент: положительное классическое лоренцево магнитосопротивление и отрицательное магнитосопротивление, возникающее из-за зеемановского расщепления локализованных состояний вблизи уровня Ферми.

Проанализирована полевая зависимость магнитосопротивления пленок германия, имплантированного марганцем с концентрациями х = 0,02, 0,04 и 0,08, что позволило оценить длину релаксации фазы носителей заряда, которая увеличивается от 70 нм до 350 нм при понижении температуры от При переходе от квазидвумерной к квазиодномерной системе Ge:Mn обнаружено подавление микроволнового магнитосопротивления, что свидетельствует о влиянии ограничения размерности на спин - зависимое рассеяние носителей заряда в системе Ge:Mn.

Основное содержание диссертационной работы отражено в следующих публикациях:

1. Моргунов Р.Б., Tanimoto Y., Дмитриев А.И., Бердинский В.Л. Микроволновой отклик на магнитный фазовый переход в молекулярном магнетике на основе кластеров [Мn12О12(МеСО2)16(Н2О)4] и молекул ТМТТF // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 5, с. 945-950.

2. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Y. Tanimoto, И.Б. Кленина, O.L. Kazakova, J.S.

Kulkarni, J.D. Holmes. Магнитный резонанс в нанопроволоках Ge0.99Mn0.01 // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 2, с. 285-290.

3. R.B. Morgunov, A.I. Dmitriev, Y. Tanimoto, J.S. Kulkarni, J.D. Holmes, O.L.

Kazakova. Electron Spin Resonance in Ge Nanowires Doped With Mn // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2007, Volume 310, Issue 2, Part 3, р. 824-826.

4. Моргунов Р.Б., Дмитриев А.И., Джардималиева Г.И., Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Tanimoto Y., Leonowicz M.,. Sowka E. Ферромагнитный резонанс кобальтовых наночастиц в полимерной оболочке // Физика твердого тела, 2007, Т. 49, вып. 8, с. 1436-1441.

5. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Y. Tanimoto, O.L. Kazakova, J.S. Kulkarni, J.D.

Holmes. Спиновая динамика в ориентированных ферромагнитных нанопроволоках Ge0.99Co0.01 // Физика твердого тела, 2008, Т. 50, вып. 6, с. 657Дмитриев А.И., Казакова А.В., Кущ Н.Д., Моргунов Р.Б., Ягубский Э.Б.

Шумоподобные спектры ЭПР в молекулярном магнетике на основе кластеров Мn12 // Сборник тезисов III Международной конференции "Высокоспиновые молекулы и молекулярные магнетики", Иваново, 2006, с.39.

7. Моргунов Р.Б., Tanimoto Y., Дмитриев А.И. Генерация шумоподобных спектров в СВЧ диапазоне при магнитном переходе в соединении на основе ТМТТF и Мn12 // Сборник тезисов XVIII Всероссийского симпозиума «Современная химическая физика», Туапсе, 2006, с. 89.

8. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, O.L. Kazakova. Спиновая динамика в 1D и 2D наноструктурах магнитных полупроводников // Сборник тезисов XIX Всероссийского симпозиума «Современная химическая физика», Туапсе, 2007, с. 51.

9. R. Morgunov, A. Dmitriev, Y. Tanimoto, J.S. Kulkarni, J.D. Holmes, O.L.

Kazakova, L. Ottaviano, M. Passacantando. Magnetic properties of oriented nanowires and thin films of magnetic semiconductors // Book of

Abstract

of VII Voevodsky conference «Physics and chemistry of elementary chemical processes», Chernogolovka, 2007, p. 166.

10. R. Morgunov, Y. Tanimoto, A. Dmitriev, I.KIenina, O. Kazakova, J.S.Kulkarni, J.

D. Holmes. Ferromagnetic resonance in Ge:Mn nanowires // Book of abstract International conference on magnetism, Kyoto, Japan, 2006, р. 60.

11. R. Morgunov, A. Dmitriev, Y. Tanimoto, O. Kazakova. Magnetic field effects on spin-dependent scattering of charge carriers in 1D and 2D nanostructures of magnetic diluted semiconductors // Book of abstract International conference on magnetism, Hiroshima, Japan, 2007, р. 80.

12. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов. Магнитный резонанс в нанопроволоках Ge1-xMnx // Сборник тезисов XXIV Всероссийского симпозиума по химической кинетике, Москва, 2006, с.28.

13. А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов. Магнитные свойства ориентированных нанопроволок магнитных полупроводников // Сборник тезисов XXV Всероссийского симпозиума по химической кинетике, Москва, 2007, с.15.

14. Dmitriev A.I., Morgunov R., Tanimoto Y. Unusual ESR signal in Mn12 and TMTTF based compound // Book of abstract I Russian – Japanese symposium «Molecular and Biophysical Magnetoscience», Orenburg, 2006, р. 31.

15. Morgunov R.B., Dmitriev A.I., Y.Tanimoto, I.B. Klenina, O.L.Kazakova, J.S.

Kulkarni, J.D. Holmes Electron Spin Resonance in Ge nanowires doped with transition metals // Book of abstract I Russian – Japanese symposium «Molecular and Biophysical Magnetoscience», Orenburg, 2006, р. 33.

16. Dmitriev A.I., Morgunov R., Tanimoto Y. Spin dynamics in 1D and 2D nanostructures of magnetic semiconductors // Book of abstract II Russian –Japan symposium «Biophysical magnetoscience», Orenburg, 2007, р. 39.

17. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Y. Tanimoto, O. Kazakova, J.S. Kulkarni, J. D.

Holmes. Магнитные свойства ориентированных нанопроволок и нанопленок магнитных полупроводников // Сборник трудов Международного симпозиума «Физика и химия процессов, ориентированных на создание новых наукоемких технологий, материалов и оборудования», Черноголовка, 18. Morgunov R.B., Dmitriev A.I. Electron spin resonance and microwave magnetoresistance in 1D and 2D Ge:Mn nanostructures // Book of abstract 3rd International Conference «Materials Analysis and Processing in Magnetic Fields», Tokyo, Japan, 2008, р. 55.

19. Дмитриев А.И. Наноструктуры разбавленных магнитных полупроводников будущее спинтроники // Сборник трудов Международной научной конференции «Ломоносов-2008», Москва, 2008, с. 205.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:

1. Morgunov R., Farle M., Passacantando M., Ottaviano L., Kazakova O. Electron spin resonance and microwave magnetoresistance in Ge:Mn thin films // Phys. Rev.

B, 2008, Volume 77, p. 114824-114833.

2. Kazakova O., Morgunov R., Kulkarni J. Effect of magnetic defects and dimensionality on the spin dynamics of GeMn systems: Electron spin resonance measurements // Phys. Rev. B, 2008, Volume 77, p. 235317-235322.

магнитосопротивление и электронный спиновый резонанс в тонких пленках и нанопроволоках Ge:Mn // ЖЭТФ, 2008, Т. 133, вып. 6, с. 1-15.

4. J. S. Kulkarni, O. Kazakova, D. Erts, M. Morris, M.T. Shaw, J.D. Holmes.

Structural and magnetic characterization of Ge0.99Mn0.01 nanowire arrays // Chem.

Mater., 2005, № 17, p. 3615-3619.

5. L. Ottaviano, M. Passacantando, A. Verna. Direct structural evidences of Mn dilution in Ge // J. Appl. Phys., 2006, № 100, p. 063528-063529.

6. O. Kazakova, J.S. Kulkarni, J. D. Holmes, S.O. Demokritov. Room-temperature ferromagnetism in Ge1–xMnx nanowires // Phys. Rev. В., 2005, Volume 72, p.

094415-094420.

7. A. P. Li, J. F. Wendelken, J. Shen, C. Feldman, J. R. Thompson, H. H. Weitering.

Magnetism in MnxGe1–x semiconductors mediated by impurity band carriers // Phys.

Rev. В., 2005, Volume 72, p. 195205-195214.

8. M.N. Leuenberger, D. Loss. Quantum computing in molecular magnets // Nature, 2001, № 410, p. 789-793.

9. Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии. М.: Мир, 1970, с. 558.

10. R. Sessoli, H.L. Tsai, A.R. Schake, S. Wang, J.B. Vincent, K. Folting, D. Gatteschi, [Mn12O12(CH3COO)16(H2O)4] // J. Am. Chem. Soc., 1993, № 115, p. 1804-1816.

11. С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках. М.: Металлургия, 12. M. Peter, D. Shaltiel, J.H. Wernick, H.J. Williams, J.B. Mock, R.C. Sherwood.

Paramagnetic Resonance of S-State Ions in Metals // Phys. Rev., 1962, Volume 126, p. 1395 – 1402.

13.R. Berger, J. Bissey, J. Kliava. Lineshapes in magnetic resonance spectra // J. Phys.:

Condens. Mater., 2000, Volume 12, p. 9347-9360.

14. A.I. Veinger, A.G. Zabrodskii, T.V. Tisnek. Anomalous positive microwave magnetoresistance of compensated Ge:Ga near the metal - insulator transition // Phys. Stat. Sol. (b), 2002, Volume 230, Issue 1, p. 107-111.



 
Похожие работы:

«Белов Кирилл Иванович ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВСКИПАНИЯ НЕДОГРЕТОЙ ВОДЫ НА ПЕРЕГРЕТЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ Специальность 01.04.14 Теплофизика и теоретическая теплотехника. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва – 2010 Работа выполнена в Объединенном институте высоких температур Российской Академии Наук Научный руководитель : канд. техн. наук, с.н.с. Ивочкин Юрий Петрович Научный консультант : докт. техн. наук, с.н.с. Зейгарник...»

«НЕМЫТОВ Петр Иванович СИСТЕМЫ ПИТАНИЯ И УПРАВЛЕНИЯ СЕРИИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРОМЫШЛЕННЫХ УСКОРИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ С МОЩНОСТЬЮ ВЫВЕДЕННОГО ПУЧКА СОТНИ КИЛОВАТТ 01.04.20 – физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук НОВОСИБИРСК - 2010 Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН. НАУЧНЫЙ КОНСУЛЬТАНТ: КУКСАНОВ – доктор...»

«ГУЩИН Лев Анатольевич ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ГАЗЕ ВОЗБУЖДЁННЫХ АТОМОВ И В ПРИМЕСНЫХ КРИСТАЛЛАХ 01.04.21 – лазерная физика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Нижний Новгород – 2013 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институт прикладной физики Российской академии наук (г. Нижний Новгород). Научный руководитель доктор физико-математических...»

«ЗАХАРОВА Людмила Николаевна МЕТОДЫ РАДИОЛОКАЦИОННОЙ ИНТЕРФЕРОМЕТРИИ В ИССЛЕДОВАНИИ ХАРАКТЕРИСТИК ЗЕМНЫХ ПОКРОВОВ Специальность 01.04.03 — Радиофизика АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учной степени кандидата физико-математических наук Фрязино – 2011 2 Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Фрязинский филиал) Научный руководитель : кандидат технических наук Захаров Александр Иванович...»

«Бобылёв Юрий Владимирович АНАЛИТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ В НЕЛИНЕЙНОЙ ТЕОРИИ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫХ НЕУСТОЙЧИВОСТЕЙ Специальность 01.04.08 – физика плазмы Автореферат диссертация на соискание учёной степени доктора физико–математических наук Москва – 2007 Работа выполнена на физическом факультете Тульского государственного педагогического университета им. Л.Н. Толстого Научный консультант : доктор физико-математических наук, профессор Кузелев Михаил Викторович Официальные оппоненты : член...»

«Андреев Степан Николаевич МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ЛАЗЕРНО-ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ КОРПУСКУЛЯРНОГО И ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 01.04.21 - Лазерная физика Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук Москва – 2013 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук Научный консультант : Рухадзе Анри Амвросиевич доктор физико-математических наук,...»

«Лончаков Антон Владимирович МОЛЕКУЛЯРНЫЙ ДИЗАЙН ПРЕДШЕСТВЕННИКОВ ХАЛЬКОГЕН-АЗОТНЫХ ГЕТЕРОЦИКЛИЧЕСКИХ АНИОН РАДИКАЛОВ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ИХ СОЛЕЙ 01.04.17 - химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук НОВОСИБИРСК – 2013 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте химической кинетики и горения им....»








 
© 2013 www.diss.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, Диссертации, Монографии, Методички, учебные программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.